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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。CSE-外延片清洗机设备设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶圆直径6...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 图示4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率< 200 °C ±10% (加熱棒本體)l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告5. 電控系統l 控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組:參...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制)液体溅射(尘埃强制除去)(推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式:CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可自行达成供酸之功能。...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等设备名称CSE-单片清洗机类型单片式适用领域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:<3E10 atoms/cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式:CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可自行达成供酸之功能。在...
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TGV 玻璃通孔湿法蚀刻蚀穿失效与孔内气泡管控方案

时间: 2026-11-03
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TGV 玻璃通孔湿法蚀刻过程中,蚀穿失败、孔内气泡残留是制约良率的核心瓶颈。大量量产验证表明,绝大多数蚀穿不良根源并非蚀刻药液浓度不足,而是孔内气泡阻滞蚀刻反应。本文将气泡分为夹带空气、反应生成气体、溶解气体析出三类,阐明不同气泡对蚀穿能力、孔形均匀性的差异化影响,并给出一套可落地的四阶段程序化真空脱泡工艺方案、设备选型规范、良率验收标准及低成本辅助改善手段,助力 TGV 产线稳定实现 99.5% 以上通孔蚀穿良率。


TGV 深孔湿法蚀刻蚀穿失败的直接诱因,绝大多数来自孔内气泡。孔内滞留气体按来源可分为三类:夹带空气、反应产气、溶解气析出;其中夹带空气决定通孔能否顺利蚀穿,后两类主要影响孔形轮廓、侧壁均匀性。要将蚀穿良率从未优化脱泡基线的 60%~85% 提升至 99.5% 以上,核心方向并非单纯提升 HF 药液浓度,而是搭建一套程序化四阶段真空脱泡体系。

气泡来源与失效机理

第一类为夹带空气:基板入槽瞬间,孔口快速被液面封闭,孔内原有空气来不及排出就被药液包裹;疏水掩膜(光刻胶、金掩膜)会放大这种孔口自封口效应,气体滞留在孔底形成稳定气垫,直接阻断蚀刻反应,造成蚀穿开路。 第二类为反应气体:蚀刻过程中生成的 SiF₄水解形成微气泡,同时激光打孔后的改性变质层残碳与氢氟酸反应持续产气;这类气泡多附着在孔壁中下部以及孔底转角位置,造成孔底圆角异常、侧壁凹坑。 第三类为溶解气体析出:药液升温后,溶解在药液内的空气达到过饱和状态,随机在孔壁析出微小气泡,形成点状蚀刻阻挡,表现为孔壁麻点、局部蚀刻不均。

针对气泡的工程处理手段以减压脱泡为主:等温条件下,孔内半径为 r 的气泡,当槽侧管路压力由常压 P₀降至绝对压力 P 时,气泡体积按 P₀/P 比例膨胀,气泡浮力同步放大;更关键的是,孔底稳定气垫可通过抽真空 — 破空复压循环逐步排出。抽真空阶段气泡膨胀,一部分气体被抽出体系;破空阶段,压差驱动新鲜药液冲入通孔内部,置换残留气相。一次抽破空循环,相当于对深孔内部完成一次强制换液;多次循环后,孔内残余气体量会按照单次残留比例的 N 次方衰减。这也是成熟脱泡工艺普遍采用间歇循环模式,而非连续恒定抽真空的根本原因。

量产设备选型方案

量产优先选用循环管路减压脱泡方案,不推荐整槽直接抽真空方案:独立 PFA 减压罐容积为主蚀刻槽容积的 5%~10%,工作绝对压力区间 20~40 kPa;主蚀刻槽维持常压运行,不受减压工况下药液沸点限制,脱气与蚀刻同步连续进行,不占用主线节拍。

设备选型三条硬性红线:

  1. 与 HF 药液直接接触的密封件,优先选用全氟醚橡胶(FFKM);普通氟橡胶(FKM)长期在 HF 工况下存在溶胀、腐蚀失效风险;

  2. 真空泵禁止选用油泵,避免油气倒吸污染药液,同时矿物油接触 HF 会快速劣解;

  3. 减压罐必须配套爆破片与独立泄放管路,落实负压安全防护。

四阶段程序化脱泡工艺(按孔径、深径比适配)

  • P1 入槽浸润阶段:采用阶梯下浸搭配孔面药液预喷淋,优先破除孔口快速封死形成的气垫,从源头降低夹带空气进入通孔内部。

  • P2 预脱泡阶段:抽至 40 kPa 保压 20 s 后破空复压,循环 5~10 次,重点清除孔底夹带的原生空气,是保障蚀穿能力的核心步骤。

  • P3 蚀刻中段脱泡:减压罐持续维持 30~40 kPa 稳定脱气;每 30 分钟插入 2 min 兆声波脉冲辅助扰动,抑制反应气泡在孔壁附着堆积。

  • P4 终段强脱阶段:蚀刻周期最后 10%~15% 区间,下调压力至 25 kPa 执行抽破空循环,循环次数 10~20 次,在即将蚀穿的临界阶段破除残存气垫。

针对 50 μm 孔径、深径比 10:1 规格产品,建议兆声波全程开启,并搭配 ±15° 可调倾角夹具。

良率验收与异常排查闭环标准

采用三项指标联合验收,形成工艺闭环:

  1. 陪片通孔蚀穿率 ≥ 99.5%;

  2. 80 μm 孔径规格,同面板五点取样孔径极差 ≤ ±3 μm;

  3. 出槽红外背光全检,气泡不良孔占比 ≤ 0.5%。

任意一项指标劣化时,按优先级顺序排查:兆声波波形与功率 → 真空度稳定性 → 循环管路流量 → 槽液老化与污染物累积。

低成本辅助改善手段

  1. 预浸润工序:产品入蚀刻槽前,先经过去离子水喷淋或 IPA 预湿槽浸润;IPA 表面张力约 22 mN/m,仅为水的 1/3 左右,可将孔内空气残留量降低一个数量级;

  2. 倾角夹具:夹具倾角 5~15° 可调,让孔口朝向适配气泡上浮路径;深径比≥10:1 的产品,建议倾角方案与真空脱泡同步启用,改善排气效率。

常见问答

Q1:为什么不直接提高 HF 浓度、延长蚀刻时间来解决蚀穿不良? 

A1:提高 HF 浓度主要提升蚀刻速率,无法消除孔底气垫带来的蚀刻阻滞。气泡隔绝药液与玻璃基材接触时,哪怕延长蚀刻时间、提升酸浓度,孔底也不会继续腐蚀;反而会加剧侧壁侧向腐蚀、孔形失控、掩膜损耗加速,良率与一致性更容易恶化。气泡阻滞属于界面传质问题,优先解决排气、换液,再匹配合适的药液参数。


Q2:整槽直接抽真空和独立循环减压罐脱泡,差距主要在哪? 

A2:整槽抽真空会降低药液沸点,HF 更易挥发、药液配比漂移严重,同时槽体、夹具都需要负压耐压设计,设备成本高、安全风险大。独立循环减压罐方案仅在旁路管路内脱气,主槽保持常压,药液挥发可控、不占用蚀刻节拍,更适合连续量产。


Q3:IPA 预浸润会不会带来安全风险或者药液污染? 

A3:IPA 预浸润为前置独立槽,不与 HF 蚀刻槽互通,正常工艺搭配溢流水洗即可带走残余 IPA;需要管控预浸润槽的挥发、防静电,槽区配置排风。严禁 IPA 带入蚀刻槽,避免造成 HF 体系杂质累积、副反应异常。


Q4:兆声波是不是功率越大脱泡效果越好? 

A4:不是。功率过高会造成掩膜(金、光刻胶)疲劳脱落、孔壁微裂纹、玻璃基材微损伤;功率偏低则扰动不足,气泡难以脱离孔壁。优先锁定兆声波形均匀性,再调试功率,以陪片良率、孔壁形貌作为判定依据,而非单纯加大功率。


Q5:深径比小于 5:1 的 TGV,还需要这套四阶段真空脱泡程序吗? 

A5:深径比 5:1 以内,夹带空气更容易自主上浮排出,可简化程序:保留 P1 浸润、P2 短循环预脱泡,P3、P4 可取消强真空循环。但如果是小孔径、疏水掩膜产品,依然建议保留基础脱泡流程,规避随机气泡不良。


Q6:真空脱泡循环次数加多,会不会造成产能下降? 

A6:本方案采用旁路连续脱气,抽破空循环嵌入蚀刻周期内并行执行,不额外增加主工艺时长;仅 P2 预脱泡属于前置步骤,可通过多工位并行上料抵消节拍损失。对比反复返工、低蚀穿良率带来的产能损耗,脱泡工序的时间投入收益更高。


Q7:孔径极差超差,一定是气泡造成的吗? 

A7:不一定。孔径变差诱因分两类:气泡会造成局部蚀刻停滞带来孔径不均;除此之外还有药液温度梯度、槽内流场死角、掩膜厚度不均、玻璃基材材质差异。排查顺序优先确认气泡不良占比,再排查流场与温度均匀性。


Q8:FFKM 密封件在 HF 工况下可以永久使用吗? 

A8:不可以。FFKM 是 HF 工况优选密封材料,但长期浸泡、温度波动下依然存在老化,需要建立定期点检更换周期;FKM 普通氟橡胶禁止长期接触热 HF,极易溶胀开裂、漏液。


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