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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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半导体光刻

时间: 2021-08-10
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半导体光刻

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平版印刷术被定义为“一种从已经准备好的平坦表面(如光滑的石头或金属板)印刷的方法,以便油墨仅粘附在将要印刷的设计上”。在半导体器件制造中,石头是硅片,而墨水是沉积、光刻和蚀刻工艺的综合效果,从而产生所需的特征。因为用于器件制造的光刻涉及使用光学曝光来创建图案,所以半导体光刻通常被称为“光刻”。与已经讨论的检查和计量技术一样,光刻是图案化的选择技术,因为它是光学的,因此能够实现小特征和高晶片产量。这与直接书写和压印等其他技术形成对比。


光刻的基本原理

1示出了用于定义浅沟槽隔离特征的典型光刻工艺。这一过程包括以下步骤:

1. 基板清洁和准备

2. 形成热氧化层,并在干净的衬底上沉积一层氮化硅

3. 沉积碳硬掩模,然后沉积一层抗反射材料

4. 沉积一层光刻胶

5. 预烘焙光刻胶

6. 对准衬底/光刻胶和掩模版,使用紫外辐射和4x-5x成像曝光光刻胶。重复步骤和扫描

7. 曝光后烘焙

8. 在光致抗蚀剂中显影图案,并硬烘焙以去除剩余的溶剂

9. 执行蚀刻以打开电介质抗反射涂层(DARC)和硬掩模图案,并去除光致抗蚀剂和DARC

10. 执行蚀刻以在衬底中打开沟槽并去除硬掩模

11. 清洁表面

半导体光刻 

                       图半导体器件构图工艺的示意图 

深紫外光刻

用于光刻的DUV技术完全基于投影光学,因为光掩模上的图案比光致抗蚀剂上形成的最终图案大得多。193纳米光刻工具中的光学系统被称为折反射系统。该术语意味着它使用透镜(折射)和反射(反射)元件来引导和调节来自激光器的光。更多信息,请参见深紫外光刻。

半导体光刻 

集成电路特征尺寸和光刻技术的历史进展 

极端紫外光刻

正在开发EUV光刻技术,以满足22纳米以下特征尺寸的单次曝光构图要求(图3)。这项技术的独特之处在于光源的性质。更多信息请参见极端紫外线光刻。

半导体光刻 

3 EUV光刻示意图 

精密DUV光学

在半导体光刻系统中,光分子污染是可靠性和寿命的重要问题。因此,必须非常小心地防止这些系统中的光学器件暴露于粘合剂、润滑剂和任何其他有机碳以及硅氧烷、膦酸盐或硫酸盐。有机物在DUV范围内具有吸收性,在光学器件表面吸附和随后的DUV照明后,会发生反应形成各种破坏性污染物。挥发性有机化合物、可冷凝的硅氧烷和无机化合物的微量污染会导致光在透射或反射中损失,并可能导致波前畸变,严重影响性能并导致计划外停机。它会导致斯特雷尔降低(或光学成像质量降低)、偏振变化甚至去调谐,即光学波长的偏移,从而对光刻系统的性能产生负面影响。光分子污染的范围包括DUV波长(190 - 355纳米)和EUV波长(低于190纳米,通常为13.5纳米)。光分子污染机制很复杂,高度依赖于功率水平以及化合物的类型和浓度。有多个方面需要考虑,具体的解决方案必须在具体的应用中得到理解和证明。随着波长的不断缩短和功率的增加,防止这种形式的化学污染变得越来越重要。

光学制造商拥有消除或限制光分子污染影响的方法,有助于实现高性能、长寿命的光学器件和系统。其中包括专有的光学材料和化合物、专有的抛光、清洁和涂层工艺,以及洁净室处理设备和工艺。本节描述了将DUV光学系统与标准目录光学系统区分开来的功能,包括:

1. 料科学领域的广泛R&D可靠性和寿命测试

2. 系统的初始设计

3. 长寿命和最小预防性维护周期的系统设计

4. 次级供应链管理和控制

5. 内部洁净室环境和生产控制

6. 保持清洁和包装

        

半导体光刻

4 DUV光学材料透射图

许多光学材料在200纳米以下具有低透射率,因此紫外熔融石英或氟化钙(CaF2)是DUV透射光学衬底的首选材料。图4显示了这些材料的典型透射率,该透射率在200纳米以下,然后急剧下降。然而,如果不使用特别优化的工艺进行涂覆,CaF2光学器件容易出现缺陷和滑移面。在选择与DUV波长兼容的抛光化合物和工艺方面进行了广泛的研究和测试。一些抛光材料/化合物会吸收紫外线/DUV光,这会影响光学元件的可靠性和寿命。其他可能包含直接与DUV光反应导致损坏和故障的化合物。


EUV光刻的真空控制

EUV对光学组件和真空控制的规格有严格的要求。EUV光源需要硬真空,因为所有气体都吸收13.5纳米的光。使用过程控制设备,如MKS流量控制器、阀门和压力表。

压电式压力计在一个封装中包含两个压力计:一个微机电系统micro pirani传感器和一个压电式传感器。它们是为负载锁设计的,测量压力范围从大气压到中等真空(1000到1x10-5托)。这一宽范围允许该仪表用于要求绝对真空/压力切换能力的真空室应用中。


DUV光刻的精确运动控制

DUV光刻需要高速运动平台来处理具有高精度和稳定性以及快速步进和稳定时间的晶片。覆层(一个图案层相对于另一个图案层的相对位置)、临界尺寸和生产量推动了掩模版和晶片阶段的这些要求,在193纳米技术中,典型的覆层公差为临界尺寸的15%。吞吐量要求(高达200个晶片/小时)将每个晶片的最大处理时间限制在20秒以内。这意味着在掩模版和晶片平移操作中出现相对较高的速度和加速度。这些光刻工具中的运动控制系统必须能够在不影响掩模版或晶片振动水平的情况下实现这些速度和加速度,因为这会影响可实现的光盘。快速步进和建立需要主动隔振,以最小化光学柱的振荡和随后的照明延迟。

除了更高的速度之外,通过增加管芯尺寸,使得每个晶片处理更少的管芯,吞吐量也被最大化。然而,这种方法增加了对定位精度的要求。光刻应用需要运动平台校准,以确保晶圆厂中许多不同平台定位的可重复性。


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