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摘要

按照典型的双大马士革工艺一步一步地识别晶圆斜面、背面和隔离区的铜(Cu)污染。 物理气相沉积系统的屏蔽环不能有效地保护隔离区和斜面。 此外，铜可能溶解和积聚在用于介质后蚀刻清洁的溶剂中。 溶解的铜原子则可能  

再沉积在晶圆表面。 此外，粗糙的后侧面比光滑的前侧面更容易捕获铜原子。 如果背面表面没有SiO2膜，用稀HF进行化学机械抛光清洗后，不能去除背面表面的Cu。 提出了一种优化的单片自旋腐蚀工艺。 以HF、HNO3、H2SO4、H3PO4的配比为0.5:3:1:0.5时，蚀刻剂性能最佳。 实验表明，在很短的时间内，10 s的后侧清洗可以完全去除后侧表面、斜面和2mm隔离区的铜。 提出了一种“晶圆漂移”方法，解决了由于蚀刻残余而导致的边缘引脚附近的针痕问题。 优化后的清洗工艺比以往报道的清洗工艺时间更短，清洗效率更高。  

随着集成电路处理技术的进步，特征尺寸不断缩小。 由于器件性能和电路密度的提高而缩短。  通道长度和更小的器件几何形状，由于金属线更细更长和它们之间的空间更窄，多电平互连的电阻和电容都增加了。 铜(Cop- per, Cu)因其低电性而被认为是铝互连材料中最合适的替代材料。  

电阻率和优良的电迁移电阻。 然而，铜在硅和二氧化硅中都是一种快速扩散体。 3-5介质中的铜污染会导致器件不稳定性和介质可靠性的降低。 6-12此外，硅中的铜作为缺陷中心，破坏少数载流子寿命并增加结漏电流。 13-17在控制晶圆片正面表面的铜污染方面做了大量的工作。 

 工艺过程中的铜污染   略

设备检查      略

产品验证     略

结论   略

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