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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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实现新的硅表面处理标准的湿法清洁方法

时间: 2021-09-25
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实现新的硅表面处理标准的湿法清洁方法

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摘要

      目前的硅基技术要求万亿分之几(PPT)范围内的表面污染容限,要求烘烤温度低于800℃的硅外延等工艺的较低热预算,以及每次清洗的硅消耗量低于0.1毫米。

      这些新的限制现在可能会超过同类最佳制造清洗序列的能力。一些关键原因是:

      -其稀释化学物质的清洁效率,即使与万亿比特化学物质的使用相结合,也可能无法满足ppt污染要求,

      -需要原始稳定的氢封端硅表面终端,以满足许多热处理的低热预算要求

      -按照ITRS路线图的定义,使用过氧化物和基于臭氧的化学物质,每次清洁消耗的硅量固有地超过0.1毫米。

 

清洁效率

      制造环境中使用的大多数当前湿法清洗工艺仍然用天然化学氧化物层终止硅。这种天然或化学氧化物是清洗后污染的主要部分。传统的湿法清洗化学品如氢氧化铵、盐酸、硫酸、氢氟酸和过氧化氢的净化已经投入了大量的努力。添加H2O2、HCl和醇也常用于dHF混合物中,以抑制污染。虽然这些可能是一些有效的补救措施,但这些混合物中的主要成分超纯水(UPW)仍然含有溶解的杂质,这些杂质会渗入化学氧化物或在清洗后终止于硅表面。

 

氧化物和氢化物硅表面终端

      氧化物终止清洗对于不限制后续高温工艺的工艺来说是足够的,标准UPW中的溶解氧、二氧化碳、总有机碳和二氧化硅等杂质仍然存在,并可能对氧化物完整性和其他电气性能产生不利影响。热处理时,间隙碳也可以扩散到硅中。UPW的溶解有机物需要大幅减少,以提高这些化学生长氧化物的纯度。

      SiHx终端是许多工艺的理想选择使用dHF湿法清洗工艺实现100% SiHx终端几乎是不可能的由于暴露在空气中时硅表面固有的再氧化,最大限度地减少湿法清洗和后续工艺之间的排队时间至关重要SiHx表面暴露在空气中也会导致有机污染物的附着与氧化物终止清洗类似,UPW溶解的杂质对dHF工艺提供纯净、稳定的氢终止硅表面的能力有显著影响。

 

硅片干燥方法也面临挑战

       随着湿法清洗和漂洗步骤所面临的新挑战,有证据表明,目前最先进的使用异丙醇的硅片干燥方法是不可接受的有机污染水平的来源。随着表面污染规格的降低,其干燥后残留物的污染程度超过了异丙醇辅助干燥带来的好处。其他非化学干燥方法需要加强或发展。

 

简单的增强以满足苛刻的表面处理要求   

      深入研究硅晶片上天然氧化物的生长、浸入不同溶解氧水平和空气的去离子水中(图1)以及功能性H2水对颗粒去除效率和氢终止表面的益处。超纯水(UPW)的脱气和再气化可以成为实现这些新标准的一个组成部分。

      这项新技术发挥作用的一些关键要素是:

      -特定的dHF化学和工艺条件

      -超脱气水(< 100ppt)

      -H2功能水或阴离子表面活性剂9)以实现> 90%的颗粒去除效率

      -具有高纯度部件和管道的工艺设备

      XPS研究表明,这一过程可产生无法检测的氧化物(< 0.1A)长达3天。另一种在dHF过程后量化表面缺少C和O的极其灵敏的方法是封装SIMS。这两种表征方法中氧气和碳的缺乏间接表明湿法清洗过程后表面上SiHx的程度(图。2)根据UPW的溶解氧,该过程可产生< 3E12 at/cm2的空气氧化物密度(图。3). 这种能力使得低温硅和硅锗外延工艺的热预算低于800℃。4). 这一过程也被证明允许超过8小时的排队时间,而无需在清洁和epi过程之间使用特殊处理。

      在许多情况下,如果不是大多数情况下,现在有可能使用单步dHF湿法工艺来最大限度地减少硅损失,并降低拥有成本和环境问题。

      为了解决将异丙醇用于晶片干燥的有机残留物问题,已经研究了增强诸如常规旋转漂洗干燥(SRD)等低效方法的能力,这可能是替代现有记录异丙醇干燥技术的可接受选择。

     SRD工具的两项增强功能可使其作为有效的干燥工具重新浮出水面,以满足新的表面处理标准:

      -用真空补充干燥步骤可以显著减少水微滴

      -利用低溶解氧(脱气)UPW进行冲洗已显示可消除水痕

实现新的硅表面处理标准的湿法清洁方法

总结

      尽管随着新兴光伏和器件技术带来的表面处理规范的收紧,出现了复杂的问题,但事实证明解决方案本质上可能很简单。解决这些难题的简单方法的一些例子是:

      -一步dHF清洗可以克服与新的表面处理标准相关的三个障碍。

      -对UPW的溶解氧和其他溶解物质以及化学物质进行脱气已被证明是一项有价值的技术,可显著降低湿法清洗过程的清洗、漂洗和干燥步骤中的污染水平。

      -可增强SRD以实现有效的晶圆干燥,并取代基于IPA的方法

      -通过快速、减压、低温处理,几乎可以消除不可避免的空气传播有机污染物和异丙醇干燥残留物。

      这些实现具有挑战性的表面制备标准的简单方法可以在商用设备上找到。

 

文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁


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