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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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GaN 表面的清洁

时间: 2021-09-29
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GaN 表面的清洁

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摘要

      本文所描述的工作是对氮化镓的表面清洁和欧姆接触策略的系统研究的一部分。本研究的目的是确定最有效的湿化学和热解吸清洗去除氧(O)和C)碳的方法。比较了氢氯(HC1)和氢氟(HF)酸基清洗处理,并在超高真空(UHV)条件下将热解吸作为温度的函数进行了表征。在整个研究过程中,俄杰电子能谱(AES)分析用于监测表面O和C的存在。对于去除表面氧化物,hcl基溶液被发现是最有效的;在清洁的空气暴露条件下,HCI:DIH20(1:1)溶液导致残留的O和C水平最低。然而,hf基溶液导致更有效的从表面热解吸C。与通常观察到的热解吸清洁砷化镓的结果,完全去除暴露氮化镓氧和碳表面没有单独使用真空加热,甚至温度氮化镓分解发生(>800-900℃)。本研究的结果表明,氮化镓表面的氧和碳的存在即使是高温,必须添加进一步的原位清洁方法,以获得光谱清洁的氮化镓表面。

 

介绍 

      半导体器件结构之间的表面和界面是固态结构的基本组成部分。随着设备尺寸的缩小和集成规模的增加,这些接口的质量已经成为一个越来越重要的问题。此外,寄生电阻和电容的存在,如在接触界面上存在的电容,在更高的工作功率和更高的振荡频率下变得更加有害。对于许多设备,发生在接触接口上的损失占总损失的很大一部分,因此会对设备造成重大影响的性能。在半导体器件技术的发展过程中,表面清洁程序已经被设计出来脱脂并去除严重污染,去除颗粒和金属原子污染,去除表面氧化物,使表面提供尽可能的原子清洁。在实践中,表面清洁既是一种艺术形式或工艺,也是一种科学;对表面组成和结构的理解往往远远落后于处理步骤的成功应用。程序通常是通过经验推导出来的,很少对所涉及的化学或物理进行详细的调查。

      本研究比较了氢氯(HCI)和氢氟(HF)酸作为清洁剂;还比较了水溶液和甲醇基溶液的效果。已知HCI和高频溶液都能去除ga基半导体中的氧化物。然而,有证据表明高频溶液更有效的电和化学钝化,通过“捆绑”暴露悬键与原子氢,使用低分子量有机化合物钝化表面也在本研究中使用甲醇溶液,并与水溶液进行比较,观察由于氧和碳残基与氮化镓表面的键不同而导致的热解吸行为的任何差异。

 

实验

      实验中使用的紫外线、臭氧装置由室内空气中的汞灯组成。样品表面放置在灯表面2-3mm内;典型的紫外线暴露为20min。除接收和紫外、臭氧氧化条件外,连续用三氯乙烯(TCE)、丙酮、甲醇(MeOH)对样品进行溶剂清洗,并在每个酸清洗溶液中浸泡3min。本研究中使用的所有化学试剂均为高纯度电子级;没有使用最终的水冲洗。每次湿式化学清洗后,样品立即用N2吹干,固定在样品支架上,并尽快插入真空系统(基础压力510-9Torr及以下),以尽量减少暴露在室内空气中。在将样品固定到样品块所需的时间内,每个样品不可避免地暴露在空气中约10min。对于热解吸,样品在(UHV)条件下(<室的510-9Torr)使用热丝加热;样品以大约每分钟75~的速度加热,并按所需的速度保存冷却15min后冷却进行分析。

 

结果和讨论

     从各种湿化学溶液中清洗的氮化镓表面中获得的AES光谱如图所示1,以及典型空气暴露条件和紫外线、臭氧氧化表面的光谱。“DI”指去离子水;“溶剂清洗”指传统的三氯乙烯(TCE)、丙酮和甲醇(MeOH)。为了绘制这些数据,氮的峰到峰的高度都被设置为相同的值,以便可以比较氧和碳的相对浓度。峰值高度比的相关数据见表1。氧和碳信号的峰顶高度与氮信号的峰顶高度有关,表明了加氧基和碳基表面覆盖层的相对丰度。比率之所以使用峰值高度,是因为,尽管给定峰值中的计数总数可能因运行而异,但对于给定表面的相对峰值强度保持不变。在接收到的表面使用紫外线、臭氧氧化导致O大量增加,C覆盖率略有增加,这并不奇怪。

      其他最近的热解吸实验的结果NCSU在真空中执行类似氮化镓薄膜迄今为止表明,O和C没有完全消失,甚至氮化镓分解发生的温度(>800-900℃)。这些观察形成成熟的,通常直接的砷化镓表面氧化物的热行为。活性物种的存在来帮助表面去除(例如,氢等离子体,离子轰击等)。在NH3通量中加热以抑制氮化镓分解,预计会产生比真空中简单的热解吸更清洁的表面。在这方面的一个重要考虑是目前关注H及其补偿体杂质的作用。寻找一种尽可能获得原子“原始”表面的方法,必须包括与表面清洁程序有关的可能发生的任何表面损伤或其他性质退化的特征。

      在清洗方法中使用电离的、加速的气相物质很可能会造成一些表面损伤,这取决于电离物质的动能和质量。也有湿化学清洗步骤也可能造成一些表面损伤;有迹象表明,即使短期暴露于酸水溶液也会导致砷化镓表面微脱落,随着暴露时间的增加而增加。

GaN 表面的清洁  

1 用不同化学处理清洗的氮化镓表面的AES测量光谱

 GaN 表面的清洁

表一 不同湿化学处理处理的氮化镓表面的相对雾峰强度

GaN 表面的清洁 

3 高频清洗后的氮化镓表面的AES测量光谱随温度的变化

结论

      本研究进行的表面清洁实验结果表明,氮化镓表面的清洁溶液的选择取决于在后续处理步骤之前是否在真空中进行热解吸。在这里研究的湿化学清洗方法中,HCI:DI(1:1)溶液在清洁的表面残氧和碳水平最低。所有检测的涉及心衰的清洁方法最初都发现在表面留下更多的氧和碳。相比之下,我们发现基于hf的清洁处理可以更有效地从表面解吸C。与砷化镓的热解吸清洗中通常观察到的结果相反,仅使用真空加热没有完全去除空气暴露的氮化镓表面的O和C,即使是氮化镓分解的温度(>800-900℃在加热到800℃后,特别是HF:MeOH样品,经历了大量的C去除;然而,残氧覆盖并没有低于HCl清洗表面的水平。除了简单的湿式化学清洁和热解吸外,进一步的原位处理是必要的,以实现光谱清洁的氮化镓表面。

 

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