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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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单晶锗刻蚀速率的研究

时间: 2021-09-29
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单晶锗刻蚀速率的研究

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摘要

      本文研究了在不同条件下单晶锗的蚀刻速率。为简单起见,所使用的主要蚀刻剂只由h2O2、HF和水组成。给出了速率作为温度和蚀刻剂成分的函数,以及作为晶体的取向和杂质含量的函数的数据。一个假设在表面依次发生两个反应的方程拟合实验误差范围内的速率与温度数据。在所研究的范围内,速率控制过程对样品取向很敏感。从蚀刻数据中,得到了由于研磨造成的扰动表面层厚度的值。这在2-10u范围内,取决于样品取向和磨料粒径。给出了两种比较复杂成分的常见蚀刻剂的比较数据。

 

介绍

      为了进一步了解这些过程,人们对锗晶体在不同条件下的蚀刻速率进行了研究。为简单起见,大多数作品都局限于只含有HF、H202和水的蚀刻剂。为了确保样品的均匀性,所有样品都从一个掺杂n型锗的大单晶中切下来。由于晶体的电阻率随其长度变化缓慢,通过从晶体的适当区域选择样品,可以得到1~9欧姆厘米之间的电阻率。样品较薄,通常厚度在30英里左右,因此面面积与边缘面积之比较大。将边缘区域纳入与面相同的方向所引入的误差小于2%。样品用聚乙烯涂层的镊子保存,接触面积足够小,可以忽略。蚀刻率是通过测量已知蚀刻时间后样品的重量损失来获得的。体重被测量到0.2毫克,体重差异通常为大约是20毫克。人们相当注意蚀刻剂的新鲜度和组成以及样品的表面制备。为了使蚀刻溶液的循环不应该影响结果,所有的实验都是在足够剧烈的搅拌条件下进行的,因此搅拌的实质性变化对蚀刻速率没有影响。

 

蚀刻时间

      在玻璃板上用305号磨料均匀磨表面,制备了一些薄样品。它们称重,在恒温下用2号蚀刻进行短暂蚀刻,然后再次称重。然后计算这个区间的平均蚀刻率。重复蚀刻和称重过程,直到速率保持不变。在各自间隔的中点绘制平均速率,并得到rate-vs.-time曲线。实验结果的一个代表性样本如图所示 2。所示的值是从相同的9欧姆厘米晶体中切割出的三个不同方向的样品。第二组数据是用1-6欧姆时代的样品获得的,得到了类似的曲线,这些样品的数据使用更粗的磨料。

       在蚀刻速率变得恒定之前必须去除的层的厚度可以从图中的曲线中估计出来。得到了范围为2-10u的值。这些范围与寿命测量的Faust(1)和x射线线展宽的魏斯曼研究报告的无序层厚度值相同。据报道导致电阻率变化的扰动的厚度要小一个数量级。这表明,晶格影响寿命和线宽的性质被干扰到与表面被裂纹和凹坑的深度大致相同。如果这是真的,被扰动的表面层应该是晶体取向和磨料粒径的函数。如果扰动的极限被任意定义为蚀刻速率下降到其最终值的10%以内的深度,则结果如表1所示。

      如果蚀刻过程确实通过氧化和随后的溶液进行,那么找出关于氧化过程的什么将是有兴趣的。如果形成了GeO,那么由于这是不溶的,很可能发生第二次氧化为二氧化锗。从方程可以看出,不能从恒定下的速率与浓度数据中了解这些步骤。因为如果有h个连续的反应涉及相同的反应物到相同的功率,那么方程的形式与这些h个反应只被一个取代的形式相同。因此,我们不能分离这些h阶段。如果有所提议的连续氧化,就会出现这种情况。

 单晶锗刻蚀速率的研究

1 搅拌作用对蚀刻速率的影响

 单晶锗刻蚀速率的研究

2 蚀刻速率与蚀刻时间和晶体取向的函数。蚀刻前,表面用305号磨料细磨

速率与杂质

      图中8是9.4欧姆时代样品(111)表面蚀刻速率与温度依赖性的图。在同一图上绘制的是一个1欧姆时代的样品的点,(111)表面方向,作为温度的函数,以及在一个温度下的(100)和(110)表面的数据。单个温度点是多个观测结果的结果。仔细观察结果表明,9欧姆时代的材料蚀刻速度略高于1欧姆厘米时代的材料。差异接近实验误差的估计极限,但似乎是可重复的。这些样品都是掺砷的。

      为了确定蚀刻速率是否与杂质类型有关,我们测量了含有钒(6ohm-em)、锑(2ohm时代)、镓和锑平衡(0.7ohm-cm)和铟(0.02ohm-cm)的样品。所有蚀刻都比2欧姆电阻率的砷掺杂材料快约10%。然而,对方向的控制很差,这些结果可能有15%的怀疑。至少没有显著的差异观察到。迄今为止,一些杂质对蚀刻速率有不同影响的最好证据来自于小球体的蚀刻。含有锑和铟平衡(6ohm-cm)、磷(0.1ohm-cm)、铊(0.8ohm-cm)和镓(0.3ohm-cm)的晶体球在2号蚀刻中蚀刻成平衡形式。其中,只有掺杂镓的样品与掺杂砷的样品有显著差异。这个差异并不大。对于单独掺杂镓的样品,平衡形式不是一个十二面体。这表明(110)水平并不是最快的蚀刻平面。

 

蚀刻剂的比较

      在实践中使用了许多不同的蚀刻剂。附录中列出了一些最常见的情况。研究了2、3、4依特剂的rate-vs.-temperature依赖性。一些结果如图所示 9。3号蚀刻的数据非常不稳定,4号蚀刻的数据更差,因此无法绘制曲线。其中两点完全脱离了图。为获得这些数据所进行的一些实验表明,有时在锗表面会形成一层,以钝化或以其他方式抑制这些蚀刻剂的反应。例如,2号中的简短蚀刻将使样品在一段时间(一分钟蚀刻或更长时间)内几乎对3号蚀刻的作用免疫。在单独使用2时没有观察到这种抑制作用。因此,最好对通常使用3号或4号的操作使用2号蚀刻剂的浓缩版本。可以获得的速率可以从rate-vs.-dilution曲线,图。 6.未稀释的试剂H202和I-IF的混合物可以快速蚀刻。如果二氧化物最终在H2O2中形成,那么过氧化物和纯水应该蚀刻锗。

 单晶锗刻蚀速率的研究

 9 蚀刻率三种不同的蚀刻剂。3号和4号蚀刻剂的不稳定行为使得通过这些数据绘制曲线毫无用处

结论

      本文已发现,HF和H2O2的水溶液是一种可靠的锗蚀刻剂。当在聚乙烯中储存时,它长时间稳定,当在剧烈搅拌条件下使用时,在广泛的温度和成分下产生容易重复的结果。通过适当的调整条件,可以在室温下获得低至0.03u/min或高达20u/min的速率。蚀刻速率取决于晶体取向、表面无序度和晶体杂质含量,(110)表面和纯锗的腐蚀速率最快。随表面无序度的增加与表面积的增加相当。蚀刻攻击显然受到两个明显独立的按顺序发生在晶体表面的过程的限制。

 

文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁

 

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