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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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先进的Pre-Gate清洁评估

时间: 2021-10-09
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先进的Pre-Gate清洁评估

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摘要

      为了满足更严格的晶圆清洁度要求、新出现的环境问题和更严格的成本效益标准,晶圆清洁技术正慢慢远离传统的基于RCA的工艺。本文比较了在同一个湿式台架上进行的不同先进预浇口清洗工艺的清洗效率。稀释RCA、稀释动态清洁(基于HF/臭氧的工艺)和AFEOL(稀释SC1、HF和臭氧化学的组合)根据金属和颗粒去除性能和主要表面特性(表面粗糙度和少数载流子寿命)进行评估。还研究了硅和氧化物的消耗。对图案化的栅极氧化物结构进行电评估,并且将使用优化配方的分割批次的电结果与使用常规RCA工艺获得的电结果进行比较。这三种先进清洁工艺的稳健性已得到明确确立,我们证明它们的性能至少与标准RCA相同。

 

介绍 

      栅极前清洗被一致认为是控制薄栅极氧化物完整性的关键参数之一,因此也是最终器件性能和产量的关键参数之一。然而,尽管工艺要求越来越严格,多种形式的RCA清洗]仍然是全球集成电路制造中FEOL清洗顺序的首选。原因很简单:浓缩的NH4OH/ H2O2/ H2O混合物(SC1)在去除颗粒方面表现很好,HCl/ H2O2/ H2O混合物(SC2)在去除金属污染物方面也表现很好。

      本文提出了一种稀RCA,并讨论了它在湿式台架上的实现。我们介绍了DDC的最新技术进展。我们还引入了一种新的先进的生产线前端清洗技术,即AFEOL,它由氟化氢-臭氧和稀释SC1化学组成(人们可以称之为dRCA和DDC工艺之间的中间方法)。

 

实验

二氧化硅和三氧化二铝颗粒的污染程序是在分散了市售颗粒的去离子水中短暂浸泡。Si3N4污染的晶片通过将干净的晶片浸入静态污染的H3PO4蚀刻浴中获得。请注意,PRE强烈依赖于初始计数和晶圆的初始条件(污染前的清洁)。因此,所有污染晶圆的实验都是在同一批次的样品上进行的。颗粒测量在TENCOR Surfscan 6200上进行(颗粒尺寸:0.16米及以上)。

金属污染的程序包括浸泡在SC1溶液(0,25/1/5 @ 25°C)中,该溶液之前添加了标准铁、锌、铝、钙、…解决方案。金属污染水平是通过气相分解TXRF(里加库)和/或VPD电感耦合等离子体(瓦里安)检测的。这些技术对所研究元素的检测限约为109原子/cm2。 

 

结果和讨论

颗粒污染物去除

SC1化学中,颗粒通过NH4OH/ H2O2混合物的连续氧化和蚀刻作用被去除,这些化学物质的比例是关键参数,因为它决定了颗粒所附着的表面层的化学溶解速率(欠蚀刻机理)。在优化稀SC1溶液的同时,NH4OH/ H2O2的比例保持不变,这已被证明导致硅和二氧化硅的类似蚀刻行为高达0.25/1/500。在0,25/1/20的最佳工作点被明确地建立,用于去除我们研究的所有颗粒类型。

 

金属污染物去除 

表三报告了SCP和-PCD测量的表面寿命数据(τscp对应于表面复合寿命,τ pcd对应于少数载流子寿命)。用RCA/ dRCA清洗或DDC/AFOEL清洗处理的晶圆之间出现了明显的差异。对于最初被污染的晶片,这种区别更加明显(最初的污染水平与表二中给出的相同)。这表明这两组工艺的残留金属污染物略有不同。然而,应该记住,在一阶近似下,τ pcd与铁浓度成反比:[Fe] = (τ pcd)-1X5.1011。因此,通过-PCD测量的50 s的差异仅代表从2.5到3.3X109cm2.如上所述,在这个范围内,分析技术很难检测到变化。

 先进的Pre-Gate清洁评估

表二:残留的金属污染水平(清洗故意污染的晶片后)

硅表面粗糙度

当获得硅表面的“不切实际的粗糙化”时(通过在BHF 或在热去离子水或在碱溶液中的长时间处理),检测到产量损失。另一方面,当涉及相对光滑的表面(低均方根粗糙度)时,均方根粗糙度和固有氧化物性能之间的相关性并不十分清楚如图所示2、从这个角度来看DDC过程是非常有效的。AFEOL清洗也能够减少高峰的数量,但RCA和dRCA工艺并非如此。


结论

本文已经测量了表1中详述的三种替代清洁工艺的性能,并与标准RCA清洁进行了比较。在整片晶圆上,我们通过这些先进工艺获得的颗粒去除效率、金属去除效率和“表面特性”至少与RCA工艺一样好(通常更好)。通过测试几个批次的70栅氧化层结构,它们的坚固性已在图案化晶圆上得到统计证明。电学结果证实,dRCA、DDC或AFEOL清洗工艺可以作为传统RCA清洗的成本有效的替代品,具有化学消耗低得多、占地面积小和产量高的优点。

新的AFEOL序列累积了SC1化学去除粒子的可靠性(实际上是优化的稀释SC1)和臭氧化学确保最终硅表面完美钝化的可靠性。由于金属污染也得到很好的控制,这个过程可能代表着向更先进的清洁策略

 

文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁


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