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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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化学清洗过程中重金属污染的监测方法

时间: 2021-10-11
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化学清洗过程中重金属污染的监测方法

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摘要

      本文通过绘制少数载流子扩散长度、体中铁浓度和表面污染(表面电荷和表面重组),介绍了表面光电电压(SPV)在监测化学清洗和化学品纯度方面的应用。新的SPV方法和精密仪器的非接触性、晶片级的特性使该技术特别适合于重金属监测。该方法用于监测BHF中的铜污染,通过测量其对表面重组的影响,并通过其对整体重组的影响,快速热退火步骤用于驱动在清洗过程中沉积在表面的铁。铁表面污染测量到1X109cm-2水平,而该方法的检测限为2x108cm-2。不同等级的H202中不同的铁污染水平(1~13ppb)很容易区分。该程序应允许人们在1ppt水平上监测H202中的铁污染。进口化学品的清洁度并不总是一个限制因素,而且通常与使用点(在清洁站)的化学品的清洁度无关。

 

介绍

      集成电路(IC)复杂性的持续增加,以及需要减少栅极氧化物厚度的临界尺寸的减少,产生了更好地控制重金属污染的需要。这就对清洁方法和表征技术提出了严格的要求,迫切需要一种快速、廉价、高通量的测量方法,可作为一种质量控制(QC)方法,以实时确定清洗过程、进入的化学品、使用点的化学品和清洗站的性能。

在此,我们探讨了表面光电电压(SPV)在监测化学清洗中的应用。与其他技术如总反射x射线荧光光谱(TXRF)或原子吸收光谱(AAS)相比,SPV在监测清洗过程中的应用是相当新的,尽管已经取得了一些令人印象深刻的进展。与传统技术相比,SPV方法的主要优点是:能够在图案(产品)晶片上进行非接触测量,不需要样品制备,测量时间短(秒),允许实时反馈,不匹配的灵敏度(铁108cm-2的量级)。

 

实验

      在我们的实验中,我们使用RTA来驱动重金属,尽管炉退火也可以使用。之所以选择RTA,是因为它与传统的炉膛退火相比具有速度优势,而且RTA中的背景污染水平通常非常低,因为RTA是一个冷链系统。测定表面剩余铁浓度的典型程序如图所示。 9.图中显示了由最先进的清洗过程留下的表面铁污染的一个例子。 用该方法测量到的最低铁污染为1x109cm-2 (2 x1010cm-3)。目前,我们还不确定铁的污染水平是否是由RTA引入的。不幸的是,没有其他方法具有足够的灵敏度来交叉关联我们的测量结果。假设RTA污染背景不是一个限制因素,而铁检测仅与SPV测量的灵敏度有关(4x109cm-3)有关,我们认为这种方表面的灵敏度为2x108cm-2(用于标准厚度的硅晶片)和2x107cm-2(用于2.5mm厚的超纯硅样品)。对其他重金属的这一限制尚未确定。

 

结果和讨论

      某些沉积在硅表面的金属杂质,而不是被驱动到体中,可以表现为有效的表面重组中心或可能引入表面电荷。我们对重金属对表面电荷和表面重组的影响的研究才刚刚开始,我们的知识仍然相当有限。到目前为止,我们已经确定了p型10t2cm硅表面的铜对势垒高度(表面电荷)有相当有限的影响,但对表面重组有显著的影响。图5显示了铜对故意被铜污染的p型硅片表面电荷的影响。这些晶圆在污染前用SC-1、SC-2溶液清洗,铜从被铜盐污染的BHF中沉积下来,浓度在1ppb到1ppm之间。  随后用去离子水冲洗样品。用TXRF测定相应的铜浓度。除非铜表面浓度超过少数1014cm-2,否则其对表面电荷的影响不明显。铜对表面重组的影响更为明显。图3显示了暴露于100ppbCu污染BHF和未污染(铜浓度分别为1.5X1014和1X1011cm-2)的两个样品的SPV函数,这是在DI冲洗后测量的。

      收集并测量了四组晶圆(n型和p型体积)。晶片处理和结果总结如下:

      第1组:已接收的p型和n型批量控制晶片。没有热处理。

      第2组:两种类型的晶片都经过预先清洁处理以去除通常在到来的控制晶片上发现的表面污染。清洗后,晶片被给予一个1150℃的RTA驱动器2min,以将表面污染扩散到本体中。

      第3组:Wafers与第2组一样进行初始预清洗处理。然后将晶片浸入沸腾的“半”级(ICP/MS的13ppb)过氧化氢中浸泡30min。随后是与第2组相同的RTA驱动器。

      第4组:这些晶片除高纯度处理(ICP/MS处理1ppb)外,具有与第3组有相同的处理顺序。1150℃RTA经过化学处理。

化学清洗过程中重金属污染的监测方法 

3 SPV图,I/AV与~1,测量了铜表面污染前后相同的晶圆。截距值决定了扩散长度L,它保持不变

 化学清洗过程中重金属污染的监测方法

5 p型(10Ω-cm)硅中的表面电荷(表面屏障)与铜表面浓度的函数。铜在表面用TXRF测量

结论

      本文介绍了SPV通过绘制少数载流子扩散长度、体中铁浓度和表面污染(表面电荷和表面重组)在监测化学物质的化学清洁和纯度方面的应用。新的SPV方法的非接触性,晶片级的特点,和改进的仪器,使该技术特别适合于重金属监测。该方法用于监测BHF中的铜污染,通过测量其对表面重组的影响,通过对整体重组的影响对铁污染的影响表面在清洗过程中,进入整体。铁表面污染被测量到1X109cm-2水平,而该方法的检测限为2X108cm-2。制定了一种监测液体化学品中重金属污染水平的程序。不同等级的H202中不同的铁污染水平(1~13ppb)很容易区分。该程序应允许在1ppt水平上监测H202中的铁污染。进口化学品的清洁度并不总是一个限制因素,而且通常与使用点(在清洁站)的化学品的清洁度无关。设备本身通常会造成严重的限制。很明显,设备设计师可以受益更好地了解他们的设备性能限制。

      与TXRF和AAS等传统方法相比,SPV方法非常新,但它已经证明了它在监测集成电路处理线中湿化学问题方面的有效性。与更传统的方法相比,SPV测量的主要优点是其测量速度;信息是在一个过程步骤完成几分钟后获得的。该方法还具有在图案产品晶片中进行非接触式测量的能力。

 

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