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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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碳酸氢钠溶液氧化单晶硅太阳能电池的研究

时间: 2021-10-12
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碳酸氢钠溶液氧化单晶硅太阳能电池的研究

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摘要

      本文研究了一种用碳酸钠和碳酸氢钠溶液进行单晶硅太阳能电池织构化的新技术。通过一系列不同参数的对比实验,如Na2CO3和碳酸氢钠的浓度、溶液温度和刻蚀时间,来说明半球表面反射率的相关性。经过四组实验,我们在不同的硅表面获得了均匀可靠的金字塔形织构化。此外,我们发现通过添加碳酸氢钠可以获得更好的金字塔结构.已经发现在85℃下30分钟由20 wt%碳酸钠和4 wt%碳酸氢钠组成的混合溶液在硅表面上产生均匀的金字塔结构。纹理化的硅表面在太阳光谱的主要范围(400纳米-800纳米)中表现出较低的平均反射率(约12.84%)。因为这种组织化方法经济、无害、污染小。我们觉得它适合大规模生产。

 

介绍

      对于小型电源来说,光伏技术是一种可靠且经济的技术,其中最重要的因素之一是光电转换效率。为了提高单晶硅太阳能电池的光电转换效率,采用织构化降低硅片表面反射率,增强光吸收。在单晶硅的情况下,报道了许多关于氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)溶液与异丙醇(IPA)的混合物的研究,因为碱性溶液各向异性地蚀刻硅并在硅表面上产生小金字塔。

      许多解决方案可用于通过改善硅晶片结构光捕获来提高硅太阳能电池的效率,但是其中,碳酸盐/碳酸氢盐溶液可被认为是最无害、最危险和最昂贵的。报道了一种利用碳酸盐/碳酸氢盐溶液对太阳能电池基片进行有效纹理化的方法。同时,研究了反射率随Na2CO3和碳酸氢钠浓度、溶液温度和刻蚀时间的变化。

 

实验

      第一步是通过在超声波清洗机中用无水乙醇清洗晶片10分钟来去除样品上的油脂。在下一步中,将样品浸入稀释的氢氟酸(氢氟酸,4重量%)中1分钟,以去除天然氧化物,并在去离子水中漂洗几次。当所有的清洁工作结束后,样品被烘箱加热以去除表面的水分。

      清洗后的晶圆垂直放置在一个特别设计的自制装置中。然后在不同浓度的碳酸钠(Na2CO3)和碳酸氢钠(碳酸氢钠)中蚀刻晶片。在实验过程中,应控制好反应温度和时间。当反应结束时,将所有被侵蚀的晶片再次洗涤到无水乙醇溶液和去离子水中10分钟。之后,在干燥箱中干燥进行测试。在实验中,我们使用紫外-可见分光光度计获得了硅片表面的反射率数据。此外,通过扫描电子显微镜(SEM)测量表面形态的图像。

 

结果和讨论

不同碳酸钠浓度对质地的影响 

      初步研究了Na2CO3浓度对表面反射率的影响。溶液温度为85℃,蚀刻时间为30分钟。分别使用15重量%、20重量%、25重量%和30重量%的Na2CO3对纹理化的样品测量反射率。如图2所示。 发现反射率随着Na2CO3浓度增加到20 wt%而降低,当Na2CO3浓度超过20 wt%时,反射率开始升高。图。2显示了在400 nm-800 nm光谱范围内的加权平均反射率,我们可以看到最低值为14.98%。图。3是单晶硅片织构的SEM图像,已经显示出金字塔结构。所有这些实验结果意味着当我们使用单一试剂时,最好使用20 wt%的Na2CO3。


不同浓度碳酸氢钠对质地的影响

      除了现有的20 wt%浓度的Na2CO3,现在我们添加一些不同浓度的碳酸氢钠(2 wt%、4 wt%、6 wt%和8 wt%)。同样,我们确定溶液温度为85℃,腐蚀时间为30分钟。从图4的反射率曲线来看。 当碳酸氢钠浓度增加到4%时,我们可以看到最小反射率。图。5显示最低加权平均反射率为12.84%。图。6是扫描电镜照片。看来这种组合试剂体系可以成功织构化太阳能电池用单晶硅。


不同溶液温度对质地的影响

接下来,我们研究了表面反射率对溶液温度的影响。根据先前的研究,Na2CO3和碳酸氢钠的浓度固定在20 wt%和4 wt%。蚀刻时间保持30分钟不变。图。图7显示了反射率的不同温度依赖性。如图 8所示。 溶液温度显然对织构有很大影响。当溶液温度低于85℃时,很难组织化。虽然在较高的温度下我们可以获得较好的反射率,但很难控制稳定性和获得理想的金字塔结构。因此最佳温度为85℃,加权平均反射率为12.84%。这些样品的扫描电镜图如图所示9

 

不同蚀刻时间对纹理的影响。  

碳酸氢钠溶液氧化单晶硅太阳能电池的研究 

1 不同浓度碳酸钠纹理下的单晶硅晶片的反射率  2 不同浓度碳酸钠纹理下的单晶硅晶片的平均反射率 

结论

      在这项工作中,晶体硅太阳能电池的纹理化技术使用碳酸钠和碳酸氢钠溶液进行了研究。我们可以发现,通过改变溶液的Na2CO3和碳酸氢钠浓度、溶液温度和蚀刻时间,可以优化样品的反射率值,从而获得与基于异丙醇的溶液中获得的反射率值相当的低反射率值。

结果表明,我们的优化工艺在85℃下使用含20 wt% Na2CO3和4 wt%碳酸氢钠的溶液持续30分钟。织构化后,对于单晶硅片,我们可以获得可靠且均匀的金字塔形织构化表面,平均加权反射率为12.84%。我们的方法对高效太阳能电池的工业化生产寄予厚望。

 

文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁

 

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