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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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后端晶圆凸点工艺的清洁要求

时间: 2021-10-14
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后端晶圆凸点工艺的清洁要求

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摘要

      随着集成电路变得越来越复杂。每个芯片的输入/输出连接数在增长传统的引线键台、引线框架安装技术已经跟不上了。当芯片封装在一个拥有数百条引线的巨大器件中时;缩小芯片尺寸所节省的空间就会丢失。解决办法是颠簸金、导电胶,但最重要的是焊料凸点。实际上,世界上每—家半导体制造商都在使用或计划使用凸点技术来制造更大、更复杂的产品设备。

      用于制造凸起晶片的几种晶片凸起工艺。一些更流行的技术是蒸发、模板或丝网印刷、电镀、化学镀镣、焊料喷射、柱形凸块、贴花转印、冲孔和冲模、焊料注入或挤出、粘性点处理和球放置。

      本文将讨论使用这些技术来撞击晶片的工艺步骤。关键清洁是这些过程的要求。需要去除的主要污染物是光刻胶和焊剂残留物。去除这些污染物需 要湿法工艺,而湿法工艺不会

      侵蚀、晶片金属化或钝化。研究的重点是满足这一关键清洁要求的强化清洁解决方案。本文将介 绍定义从凸起晶片溶剂化和去除残留物所需的时间、温度、溶解能力和冲击能量的工艺参数。

 

介绍

      随着技术的发展,将会有许多需要创新的挑战,一个关键的挑战将是关键的清洁。 为了更好地理解临界清洗,本文将比较精密清洗和临界清洗的流行定义精密清洗:去除可检测到的污染物,这些污染物包含已知会影响产品可靠性或性能的特定不良物理或化学特性。临界清洗:去除可检测的离子和非离子污染 物,其中物理或化学性质阻止了后续组装 制造过程的成功完成,或者无法符合特定的性能要求。

 

晶圆级封装

      凸块直接应用于芯片本身在切割晶片之前。这些过程产生芯片级封装和倒装芯片。芯片规模封装是指封装不大于芯片管芯的1.2倍。倒装芯片是指将芯片面朝下安装在电路板上的做法,而不是像传统的引线框 架封装那样面朝上安装。CSP的一个显著特点是将集成电 路信号带到芯片表面排列的焊盘上,而不是沿着边缘排列 。然后使用各种技术之一施加焊料。然后焊料回流,使其与焊盘金属结合,并形成均匀的球体或小球。回流焊在特殊的红外线或热氮回流焊炉中进行。最后,整个晶圆在被切割成芯片之前被撞击。


晶圆碰撞至关重要清洁要求

      清洗起重要作用的是焊料凸点,关键污染物是光刻胶和焊剂残留物。一个关键的考虑是清洗溶剂与金属化和钝化层的兼容性 。行业标准要求晶圆清洁度满足以下标准:

      在储存过程中,可能不存在会导致点蚀或腐蚀的活性残留物。

      清洁化学品不得侵蚀金属化层(即铜、铝、钙 、繰、金、银、钛、硅等)。

 

晶圆凸点清洗要求

      晶圆凸块制程污染物由遮蔽材料和助焊剂残留物组成。用于去除光刻胶的化学剥离 剂不得侵蚀金属化和钝化层。由于这个问题,清洗溶剂可能不同于前端半导体工艺步骤中用于去除光刻胶的剥离剂。焊剂残留物的去除对于电子组件是众所周知的。电气装配中使用的技术也可以在这些过程中采用。     

 

液态光刻胶

      液体抗蚀剂的去除取决于所使用的工艺步骤。基于溶剂的剥离剂在抗蚀剂用作掩模,并在回流之前去除的工艺中工作良好。如果抗蚀剂是硬烘焙的,溶剂基剥离剂可能 需要更多的活性成分。如果直到焊料凸块回流后才去除抗蚀剂,则剥离剂配方可能需要更具侵蚀性的活化剂,该活化剂可以是水形式。


干膜光刻胶

      干膜抗蚀剂的去除通常更加困难 溶剂型脱漆剂在大多数情况下效果不好。 可能需要額外的成分或活化剂来分解聚合物。干膜抗蚀剂的另一个潜在问题是起膜而不是溶解。当薄膜从表面抬起时,残留物会粘在晶片表面。当抗蚀剂片被提起时,过滤器也会堵塞。

       先进的清洁化学技术后端半导体处理需求 是由更高的输入/输出需求驱动的。随着 倒装芯片技术需求的持续增长,对凸起晶片的需求也在增长随着碰撞技术的发展 ,对先进清洁工艺的需求也将发展。后端 处理的清洁技术必须具有侵蚀性,以溶解污垢,但又不至于引起兼容性问题。

 

结论

      由于器件的精细几何形状以及制造过程中微粒和薄膜污染物对半导体产品造成的灾难性影响,半导体工艺长期 以来被归类为关键应用。随着电子封装行业对生产更快 、更小和更轻的器件的需求增加,推动行业不断改进和 创新封装,以实现成本优势和卓越性能。集成电路的设计和制造一直是互连技术的原动力,迫使人们寻求更小的导体宽度、更小的空间、更小的孔和焊盘尺寸、改进的材料以及制造工艺的创新。这些新兴技术将推动对关键清洁要求的需求。这一要求将继续推动精密清洁配方领域的技术发展。

      后端晶圆级封装是倒装芯片技术,已经开发了几种不同的技术来撞击晶片。光致抗蚀剂通常用作掩模来暴露焊盘。焊剂用于在回流之前去除氧化物。两种残留物都必须去除。用于在前端工艺中去除光刻胶的技术可能不可行因为兼容性问题。

      清除助焊剂残留物是电子装配中常用的技术,可适用于该技术。清洁方法取决于碰撞过程和污染物。将根据工艺需要选择半水、溶剂和水清洗技术。事实证明,所有这些清洁技术在这些独特的应用中都是稳健有效的。

 

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