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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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多磷酸蚀刻剂的化学特性

时间: 2021-10-22
点击次数: 7

多磷酸蚀刻剂的化学特性

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摘要

      在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时,需要对化学蚀刻剂有基本的了解,以实现工艺优化和工艺控制。为了蚀刻纯铝电路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正磷酸浓度从50%到 95%(v/v)s多磷酸浓度从50%到5%的变化的敏感性(v/v),氯化铁(III)浓度为10-40g/L,溶解铝浓度为0.0-5.0g/L。 得出的结论是,正磷酸、多磷酸、氯化铁蚀刻剂系统允许蚀刻 剂制备和电路处理的合理变化,而不会显著影响蚀刻的纯铝电 路的线宽减小和边缘质量。

      在所研究的范围内,在正磷酸浓度为75%至95%和氯化铁浓度 为10g/LB寸,可获得最佳的图案清晰度和线宽减小。为了保持这种最佳状态,需要温度控制和对蚀刻产物积累的密切监控,建立了原子吸收分光光度法测定溶解铝浓度的方法。

      未来的工作将包括评估溴化铁、硫酸化铁和过渡金属氧化物盐,如镍、钴、锰、钌和锇,作为氧化铁的可能代替品。其他研究将集中在蚀刻反应的分析特征上。

 

介绍

      在印刷电路工业中,化学蚀刻长期以来一直是在金属膜中产生精确图案的公认方法。蚀刻结合目前的光刻技术,提供了亚微米线分辨率。尽管随着图案尺寸数量级接近晶粒尺寸,电路图案的生产趋向于添加“剥离”技术,但是化学蚀刻仍然是图案生产的重要方法。

      本研究的目的是表征铝蚀刻速率和图案定义对浓度、温度、氯化铁浓度以及正磷酸浓度、多磷酸条件下溶解铝浓度变化的敏感性,并将所得蚀'刻质量与这些工艺变量关联起来。

 

实验法

      将样品放置在垂直于蚀刻剂流的样品平面上(图1)。蚀刻速率由蚀刻时间和样品铝厚度决定。通过目测确定蚀刻终点。铝的厚度是根据在冲压样品的材料上进行的β反向散射测量确定的。样品由127um厚的kapton制备,在该kapton上通过物理气相沉积(PVD)已经沉积了 127 um的99.999%的铝。

      Kapton样品上的每个PVD铝被冲压成1.346厘米的直径。在所有情况 下,除非另有说明,样品由涂有PVD铝的Kapton制备,在该铝上已经显影了光致抗蚀剂图案。该图案由一条860 um宽的线组成,该线位于1.42 cm2样品区域。光致抗蚀剂图案线宽的定义和减少用于描述蚀刻质量。为了量化线宽减小 ,用闭路电视系统(CCTV)75X测量蚀刻前的光致抗蚀剂图案宽度和蚀刻后的电路线图案宽度。蚀刻前后对样品进行光显微照相(50X)

 

结果和讨论

      温度的影响:尽管蚀刻反应的机理至今未被报道,但希望知道蚀刻过程中蚀刻速率如何变化。 在一个测试中,在蚀刻期间监测样品铝的重量损失。发现铝的蚀刻速率在蚀刻期间是恒定的,并且样品重量损失和经过时间之间呈现线性关系(图2)。由于这一特性,选择铝薄膜的视觉消失作为蚀刻终点被认为是合理的,尽管缺乏假定的蚀刻反应机理。

      氯化铁的作用:虽然氯化铁的存在对于蚀刻浴来说不是必需的,但是蚀刻速率和蚀刻质量对氯化铁浓度很敏感如图7和图8所示,在60°C70 °C时,存

10至20 g/L的范围,其中氯化铁浓度的增加与蚀刻速率的增加相关。数据表明(图7至图9),蚀刻速率不敏感,铁(iii)氧化物浓度低于10克/升这一迹象可能需要进一步证实。

多磷酸蚀刻剂的化学特性

图 7

      正磷酸浓度的影响:在所研究的范围内,蚀刻速率和正磷酸浓度之间的关系是直接比例关系( 图10至12)。尽管在恒定温度下,正磷酸浓度和铝蚀刻速率之间的指示关系是清楚的,但正磷酸和线宽减小之间的关系并不那么确定(图4至图6)。在较高的温度下(图6),数据似乎表明增加正磷酸浓度的一般效果是减少线宽的减少。

      蚀刻剂中铝和总铁浓度的测定方法:测定铝和总铁的分析方法,以监测镀液成分的变化。这分析方法直接使用蚀刻剂,无需预先进行化学分离进行分析。通过校准由不同浓度的溶解铝组成的一系列合成蚀刻剂溶液的吸光度,确定了铝测定方法的准确性。每种合成溶液代表不同比例的溶解铝与磷酸盐背景。将这些合成溶液与标准铝进行比较发现硫酸溶液的铝离子浓度在2-50 ppm范围内,吸光度完全一致。对于总铁的类似校准,合成溶液和铁(iii)之间有3%的一致性氯化物标准无铝蚀刻剂的吸光度与去离子水的吸光度相同。该方法的检出限为2 ppm。原子吸收分光光度法可作为一种快速、简便的定量分析方法,用于测定镀液中的溶解铝和总铁。


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