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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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GaAs在氯化钠-异丙醇溶液中的表面钝化和形态

时间: 2021-10-23
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GaAs在氯化钠-异丙醇溶液中的表面钝化和形态

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引言

      原子平面的制备是半导体基板上原子尺度操作的必要前提。由于自组装现象或使用原子探针技术操纵单个原子,只有原子平面的表面才能产生可重复制造纳米级原子结构的机会。原子平坦的表面也应该是原子清洁的,因为氧化物和污染会引响原子尺度的粗糙度。原子平坦和清洁的表面也需要许多在微和光电子的应用。

 

实验

      实验是在砷化镓外延层上进行的,以避免结构缺陷的可能影响,这些缺陷存在于由机械和化学机械抛光制备的商业基底的表面附近。我们使用液相外延(LPE)在传统GaAs(100)基质和图形GaAs(100)基质上生长的砷化镓层,不同大小的方形中台面面积在0.2到2mm2不等。

       HCl-iPA溶液的制备包括盐酸蒸汽对iPA的等光饱和,制备方法如下:将含有100ml高纯双蒸馏iPA的玻璃放入装满300ml高纯浓缩37%盐酸的3-l干燥器中。为了确定溶液中盐酸浓度CHCl的时间依赖性,从玻璃中提取1mlHCl-ipa探针。用水稀释的探针的比例计算浓度CHCl。这些测量值的精度约为5%,并通过滴定法进行了验证。CHCl的时间依赖性如图所示:1.由闭上的圆圈表示。结果表明,在t50h时,浓度线性增加到CHCl10%,并在CHCl20%时饱和到t>100h。除使用稀释的HCl-iPA溶液进行的特殊实验外,还使用饱和的20%溶液进行砷化镓处理。与盐酸在异丙醇中的直接稀释相比,等压法最大限度地减少了生成的盐酸-异丙醇溶液中的水量和污染物。原则上,酒精氯化反应可能发生在HCl-iPA溶液中,产生异丙基氯和水:C3 H7-羟基盐酸!C3 H7-Cl H2O (1)

      反应(1)会降低氯氯的浓度,氯氯是盐酸-异丙醇溶液的活性成分。

      为了检查反应(1)对盐酸-异丙醇溶液稳定性的可能不利影响,在t 100 h,将30毫升溶液探针放入单独的密闭玻璃中。在该探针中测量的时间相关性CHCl(t)如图1所示:通过开圆圈,可以看出,在实验误差范围内,浓度一直保持到t 500 h。此外,104小时后盐酸浓度保持不变(图中未显示)。因此,在室温下,盐酸-异丙醇非常稳定,可使用约1年。

 GaAs在氯化钠-异丙醇溶液中的表面钝化和形态

1在盐酸蒸汽(填充圆)饱和过程中,测量了HCliPA溶液中盐酸浓度CHCl的时间依赖性。CHCl的稳定性用开圈表示

      所有测量都是在样品冷却至室温后进行的。LEED研究了表面重建。用x光电子能谱测定了表面的成分。铝卡(1486.6电子伏)和锆Mz (151.4电子伏)线用于XPS测量。表面粗糙度可能会扭曲XPS测量的结果,因此要特别注意薄膜的形态。图2示出了在传统衬底上通过液相外延生长的外延膜的典型原子力显微镜图像。可以看到,表面包含原子级的平坦区域,宽度为几微米,由10纳米高度的台阶束隔开。在平坦区域内可以看到高度为0.28纳米的高分辨率单原子台阶。由于表面的大部分是原子级平坦的,这些薄膜可以被认为适合XPS实验。

 GaAs在氯化钠-异丙醇溶液中的表面钝化和形态

      图2 通过液相外延(a)生长的外延GaAs(100)薄膜的典型AFM图像(三维模式);沿x轴y¼3mm测量的薄膜浮雕的横截面轮廓,其中包含两个步骤束(b);台阶束(c)之间平面区域内的横截面轮廓(b)片段。注意(b、c)中不同的x和zy刻度

 

结果和讨论

      本文提出的结果,以及对光电发射线的化学位移成分的直接观察,证明了在HCl-iPA处理下,非晶态砷在砷化镓表面积累的事实。然而,这种积累的机制尚不清楚。据推测,HCl-iPA与砷化镓表面的相互作用如下。第一阶段镓和氧化二砷溶解。我们通过实验证明,在室温下,去除氧化物需要少于10秒。

      光发射光谱的角度依赖性如图所示。允许我们假设HCl-iPA处理氧化gaa(100)表面导致形成均匀的As0钝化层,并保持了表面的原子平坦度。本节中提供的LEED和AFM数据得到了这一假设的直接证明。盐酸-ipa处理表面的LEED图像如图3(a),在这个表面上,(11)结构在电子能量E130,而在E40–6040–60在漫射背景上没有看到衍射点。在2508C真空退火去除了As0层的大部分,因此在低能量E¼42eV下观察到(11)衍射模式(见图3(b)在T¼4508C退火后(图。3(c))在LEED图像中可以清楚地看到对应于As稳定(2 4)/c(2 8)重建的衍射图案。更高温度下的退火通过一系列中间重建将砷稳定表面转变为镓稳定表面。在T 550 8C退火后获得的Ga稳定的(4 ^ 2)/c(8 ^ 2)重构如图所示。

 

总结

      用XPS、LEED和原子力显微镜研究了异丙醇-盐酸溶液中GaAs(1 0 0)表面的组成、形貌和结构。清洁的砷稳定GaAs(100)–(24)/碳(2 8)表面的盐酸-异丙醇,处理导致表面被过量砷的亚单层化学钝化。这种砷阻止了氯进入下面的镓原子,从而阻止了反应,导致砷通过GaAs溶解进一步积累。氧化GaAs表面的处理导致在表面上形成1-3个无定形砷单层,其中大部分砷来自表面氧化物。在特殊图案化衬底上生长的原子级平坦外延膜处理前后进行的原子力显微镜测量证明,HCliPA处理保持了GaAs(1 0 0)表面的原子级平滑度。


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