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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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用于异质结太阳能电池应用的Na2CO3溶液的硅片纹理化

时间: 2021-10-25
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用于异质结太阳能电池应用的Na2CO3溶液的硅片纹理化

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引言

      在太阳能电池工业中,最常见的纹理化方法之一是基于氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液和异丙醇(IPA)。然而,IPA是有毒的,而且相对昂贵,因此人们正在努力取代它。在过去的几年中,硅异质结(SHJ)太阳能电池由于晶体硅的良好性能和薄膜技术的多功能性而引起了光伏行业的兴趣。这些SHJ太阳能电池是通过将薄膜非晶态或微晶硅沉积在碳硅晶片上而形成的。其主要特点是转换效率高、开路电压高、温度系数。这些太阳能电池的性质使它们的界面占主导地位。

 

实验

      纹理化过程首先在硅晶片上进行了分析。一旦确定了纹理化的最佳条件,该工艺将应用于其他类型的基板,FZ晶片厚度为255-305mm,CZ晶片厚度为280-320mm。晶片直径为100mm,但样品尺寸为40mm40mm。在纹理化过程之前,样品在超声波浴中用乙醇清洗。然后,样品在室温下在1wt%HF:DIW(18.2Mocm电阻率DIW稀释)溶液中蚀刻,以去除天然氧化物。最后用DIW冲洗。在纹理化过程中,晶片浸在一个包含纹理化溶液的盖容器中。这种溶液以前已经使用带有不锈钢温度传感器的数字控制热板在测定温度下加热。当蚀刻时间结束后,从溶液中取出样品,用DIW冲洗,以停止化学反应。

 

结果和讨论

      使用中等浓度(10wt%)的抛光FZ单晶晶圆样品进行碳酸钠溶液处理。温度在60~901C之间,所有试验的处理时间均保持在30min。结果发现,70的温度足够高,足以充分纹理表面。然而,当温度升高到90时,形成纹理表面的金字塔的大小增加了。因此,90被认为是最佳温度,尽管处理过的表面还没有均匀的纹理。为了在90下获得良好的均匀性,蚀刻时间变化为20~60min。

      对碳酸钠浓度的影响。通过改变5~30wt%的浓度来评估碳酸钠浓度的影响。随着浓度的增加,乍一看就观察到表面明显恶化。反应变得更加强烈,并产生了许多粘附在样品表面的大气泡。这些氢气泡在表面充当掩膜,抑制结构化反应。因此,表面不均匀,并表现出较宽的明亮区域,其中纹理化过程不成功。在使用碳酸钠溶液的第一次测试中获得的最佳表面上进行的半球反射测量得到的21.5%平均值在400到1100nm之间。这些值显著高于使用IPA碱性溶液得到的值。

      碳酸氢钠在碳酸钠溶液中的影响。我们制备了一组不同的na2co3/nahco3水溶液,其中碳酸氢钠浓度保持在4wt%,而钠浓度则在5~25wt%之间变化。根据上述测定方法,蚀刻时间和温度分别保持在30min和90℃。碳酸氢钠的加入确实导致了粘附在晶圆表面的气泡尺寸的减少,即使在碳酸盐浓度高达25wt%的情况下,也能产生彻底的均匀纹理外观。扫描电子显微镜结果表明,在5wt%的浓度下,样品表面没有完全蚀刻。随着碳酸钠浓度的增加,较大的锥体结构的数量和大小也在增加。碳酸钠/碳酸氢钠溶液纹理的样品与碳酸钠溶液纹理的样品的半球形反射率降低。因此,可以认为碳酸氢盐离子在调节蚀刻反应中起着重要的作用。

      我们研究了nahco3/na2co3浓度的比值对锥体密度和形态的影响。样品用纹理溶液蚀刻,其中浓度从0.16到0.53的比例变化。用0.16和0.27之间的低比例溶液蚀刻的样品的锥体形态有明显的改善(即较平坦的小面和较少圆形的顶部)。当比值为0.27 (4 wt%NaHCO3/15wt%碳酸钠)时,形态学效果最佳。 然而,当用较高比例(r¼0.40–0.55)的蚀刻溶液处理时,观察到其纹理表面的形态明显恶化。如前所述,在碳酸钠纹理溶液中加入碳酸氢钠会增加hco3h的种类,从而改善了锥体的形态。相反,这种添加也导致了氢氧根浓度的降低,根据pH测量结果确定(25wt%碳酸钠溶液为610–3mol/l,25wt%na2co3/4wt%碳酸氢钠溶液为110–4mol/l)。

 

总结 

      本研究研究了碳酸钠和NaHCO3/na2co3水溶液中/100S抛光FZ和粗糙(如切割)和抛光CZ硅晶片的纹理化情况。结果表明,仅含碳酸钠的水溶液不可能获得均匀和完全纹理的表面。必须添加中等数量的碳酸氢钠,以实现完全具有更高质量的纹理表面。因此,可以认为碳酸氢盐离子在调节蚀刻反应中起着重要的作用。应确保溶液中存在足够的碳酸盐2-离子,以避免形成二氧化硅,从而钝化表面,防止蚀刻过程。

      基于4wt%碳酸氢钠和25wt%碳酸钠的水溶液能够同时蚀刻抛光的FZ和切割和抛光的CZ硅片。三种硅晶片的400-1100nm之间的平均半球反射率为13-16%。当适的arc沉积在纹理晶片上时,这些值平均下降到5%。这些结果可以被认为是足够低的SHJ太阳能电池应用。当晶圆垂直浸入纹理溶液中时,结果大大改善。此外,QSSPC测量表明,这些具有碳酸氢钠/碳酸钠混合物纹理的硅晶圆的表面质量良好,因为其适用在SHJ太阳能电池中。


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