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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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基于 KOH 的 AIN和 GaN 体的选择性湿化学蚀刻

时间: 2021-10-25
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基于 KOH 的 AIN和 GaN 体的选择性湿化学蚀刻

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      我们开发了一种可控、平滑的氢氧化钾基湿法刻蚀技术AlN和AlxGa1xN之间的高选择性被发现对于基于AlGaN的深紫外发光二极管实现有效的衬底减薄或去除至关重要,从而提高光提取效率。AlGaN的高选择性作为铝组成的函数的机理可以解释为与在N-极性表面顶部的氧化物/氢氧化物的形成和溶解有关。横截面透射电子显微镜分析最终证明这些小丘与下面的螺纹位错无关。

      迄今为止,氮化铝基板减薄或去除面临许多挑战。例如,由于在AlGaN/AlN界面上没有位错,激光剥离预计不能用于将AlN衬底与假晶AlGaN外延膜分离。此外,反应离子蚀刻(RIE)的蚀刻速率相对较低,会引入等离子体相关的损伤。与这些技术相比,湿法蚀刻具有表面损伤小、成本低的优点,同时易于大面积制造。然而,为了与DUV发光二极管和激光器件制造兼容,更温和和可控的技术是必要的。此外,需要无缺陷选择性蚀刻技术,在这种情况下,可控蚀刻方案可以应用于不同的材料系统,而不管位错密度如何。最近,我们从蚀刻速率、选择性、表面形态和在氢氧化钾水溶液中的化学计量比等方面全面研究了氮化铝和氮化镓单晶样品的湿法蚀刻行为提出了一种与非缺陷相关的蚀刻行为,并证明了在氮化镓上选择性蚀刻氮化铝的潜力。

      使用氢氧化钾水溶液获得ⅲ极性和N极性表面的选择性蚀刻。蚀刻温度保持在70℃,氢氧化钾的浓度约为0.18摩尔/升。AlGaN大块晶体目前不可用。因此,使用DUV发光二极管。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在2-in上生长的厚度约为800nm的外延膜来研究AlN和alxga 1xn(0×1)的极性蚀刻选择性。蓝宝石衬底,用x光衍射估计这些薄膜的位错密度约为31010cm。所研究的薄膜被制成具有交替的ⅲ-极性和N-极性条纹的横向极性结构。ⅲ-极性材料的惰性与先前对氮化镓和氮化铝的研究一致。因此,LPS是用于KOH蚀刻实验的理想结构,因为III极性和N极性条纹之间的高度差的变化是蚀刻速率的简单而且可靠的测量。

      最初,建立了块状氮化铝和氮化镓晶体的表面形态和蚀刻速率,以便与氮化镓层进行比较。在0.18摩尔/升氢氧化钾下于70℃蚀刻60分钟的氮化铝和氮化镓的n极表面分别如图1(a)和1(b)所示。两个表面都覆盖有尺寸从1 lm到10 lm的定向六边形蚀刻小丘。与N极表面相反,ⅲ极氮化镓和氮化铝表面对几乎没有活性。

基于 KOH 的 AIN和 GaN 体的选择性湿化学蚀刻 

1 0.18摩尔/升氢氧化钾溶液中于70℃蚀刻60分钟的氮极性氮化铝(a)和氮化镓(b)的扫描电镜显微照片 

      在上述条件下湿法蚀刻后,镓极性和铝极性表面保持原子级光滑,没有观察到蚀刻坑或小丘。测定两种极性的蚀刻速率,发现氮极性表面对氮化铝的蚀刻速率约为500纳米/分钟,对氮化镓的蚀刻速率约为40纳米/分钟,而三极性氮化铝和氮化镓的蚀刻速率极低。这些值产生了高于12的N-极性氮化铝对N-极性氮化镓的选择性,并证明了氢氧化钾蚀刻用于衬底减薄应用或从生长在氮化铝单晶衬底上的DUV发光二极管中去除衬底的潜力。

      为了确定厚度和蚀刻速率,记录了蚀刻前后截面图像。发现ⅲ极性AlGaN的蚀刻速率低于2纳米/分钟,而N极性表面的蚀刻速率显著更高。这与早期对氮化镓和氮化铝的研究结果一致。图2显示了含有两种不同铝的脂多糖的扫描电镜图像。

      在生长的氮化铝LPS中,尽管表面形态不同,但是N极和III极条纹的厚度是相等的如图2(a),将样品在0.09摩尔/升氢氧化钾水溶液中蚀刻6分钟后,完全去除N极区,露出蓝宝石衬底,见图2(b)。对于铝含量为60%的样品,如图2(c)和2(d)所示,N极性和III极性铝0.6Ga0.4N之间的高度差从140纳米变为450纳米,这表明相对于氮化铝的蚀刻速率降低。

      N极氮化铝对N极氮化铝的选择性铝xGa1xN作为铝成分的函数如图3所示。在AlGaN的整个组成范围内,观察到对AlN的蚀刻选择性大于1。我们进一步观察到,选择性随着铝成分的减少而增加。氮化铝和氮化镓的最大蚀刻选择性约为12。对于低位错密度块体氮化铝和氮化镓晶体,在类似条件下获得的蚀刻选择性约为13.尽管这些结构中的位错密度比块体氮化铝和氮化镓材料的位错密度高几个数量级,但这与获得的LPS数据一致。这表明在这些温和的蚀刻条件下,位错在蚀刻行为中不起作用,并且该蚀刻方案被证明。

 基于 KOH 的 AIN和 GaN 体的选择性湿化学蚀刻

3 在氢氧化钾(0.09摩尔/升,50C)蚀刻条件下,蚀刻选择性(AlN/AlxGa1xN)作为铝成分的函数

      对于通过不同方法生长的具有不同晶体质量的材料来说是非常通用的衬底去除方法。蚀刻小丘的形成和发展只能归因于晶面的不同键合条件,这是氮化硅晶体结构的固有特性。

      为了证明刻蚀小丘和下面的穿透位错之间的关系,从而进一步概括各种材料体系的刻蚀行为,分别在70℃氢氧化钾刻蚀30分钟后,对N极氮化铝和氮化镓进行了截面透射电镜观察。如图4所示,对于任何一种样品(氮化镓和氮化铝)和任何一种衍射条件(螺旋和边缘位错),在小丘下面都没有观察到位错。因此,蚀刻小丘不能与位错相关联。

      如上所述,研究了AlN和氮化镓单晶以及alxga 1xn(0×1)外延层在轻度氢氧化钾蚀刻剂中的蚀刻行为。结果表明,随着AlxGa1xN外延层中铝成分的增加,n极表面的蚀刻率有所增强。在N极氮化铝和N极氮化镓之间测量到12的选择性。氧化铝/氢氧化铝比镓的形成和溶解速度更快,我们证实蚀刻小丘的形成与位错无关,而是不同晶面结合条件的结果。总之,在单晶AlN衬底上生长的AlGaN基DUV发光二极管中,N-极性AlN和AlGaN之间的高选择性以及对ⅲ-极性表面的非破坏性行为被证明有希望用于衬底减薄或去除,这将有助于提高DUV发光二极管的光提取效率。


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