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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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在KOH溶液中各向异性湿蚀刻si制备的两层微结构

时间: 2021-10-27
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在KOH溶液中各向异性湿蚀刻si制备的两层微结构

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引言

      氢氧化钾溶液中硅的各向异性刻蚀是微机械加工中的一项重要技术。氢氧化钾蚀刻硅的残留物沉积通常被认为是该技术的缺点。在这份报告中,我们利用这种残留物作为第二掩模层来制造两层复杂结构。设计并测试了尺寸在15-150米范围内、间隙距离为5米的方形图案。当衬底在氢氟酸溶液中被过度蚀刻超过阈值时,出现残余掩蔽层。根据二氧化硅和残留物两种不同的掩蔽层,得到了由类壁结构包围的两层微锥结构。残余掩蔽层是稳定的,并且可以在氢氧化钾蚀刻中存活很长时间,以实现深硅蚀刻。研究了刻蚀剂浓度、温度、刻蚀时间和图形尺寸等工艺参数。通过良好控制的两层结构,可以设计有用的结构用于未来的等离子体和微流体装置。

 

介绍

      氢氧化钾蚀刻硅的残留物沉积是众所周知的,这通常被认为是这种制造技术的缺点。在这项工作中,我们利用残余物作为第二掩模层来制造两层微结构。不同图案尺寸的方形阵列微机械从15到150米和5米的间隙距离已经被设计和测试。正常的微锥可以通过在氢氟酸和氢氧化钾溶液中蚀刻控制良好的二氧化硅和硅来制造。当衬底在HF中被过度蚀刻以获得更大的间隙时,第二层壁状结构出现在第一层微锥体之间。仔细控制制造参数,两层结构尺寸可以精确调整。残留物掩蔽层坚固稳定,比氢氧化钾蚀刻的二氧化硅掩蔽层存活时间更长,最终导致反转结构。

      双层微/纳米结构对于实现分步乳化微流体装置]和超疏水表面非常重要。使用标准的微制造技术,通常需要两次光刻和湿法蚀刻来获得两层微结构。通过这种方法,可以在简单的一步光刻和湿法蚀刻工艺中制造两层微结构,这对于制造等离子体功能器件非常有用微流体应用。

 

结果与讨论

      通过在氢氧化钾蚀刻溶液中对硅表面进行各向异性蚀刻,可以制造微米至纳米尺寸的金字塔。金字塔的形成既与任何特定的氢氧化钾供应商无关,也与掩模或光刻问题无关。通常,氢氧化钾蚀刻的金字塔具有精确的几何形状。根据实验条件,可以观察到两种类型的金字塔:矩形底座或八角形底座[21]。

通常,根据KOH溶液中< 100 >和< 110 >平面的各向异性蚀刻获得金字塔。在这项工作中,我们设计了15至150米的正方形图案,间距为5米。通过控制在HF溶液中的蚀刻时间,二氧化硅(用于KOH蚀刻的第一掩模层)的开口随着蚀刻时间而变化。通过严格控制在氢氟酸溶液中的腐蚀时间,我们获得了简单的微锥结构。然而,在HF溶液中延长的蚀刻时间扩大了硅衬底上二氧化硅的开口尺寸,这导致与大量产物的快速反应,这些产物将沉积在用作第二掩模层的硅表面上,以在第一层微锥体之间产生第二层壁状结构。

       一步湿法刻蚀获得的两种微结构   略

      高频刻蚀时间对双层结构的影响   略

 

      图4:第二层壁的宽度随氢氧化钾浓度而变化。(b)第二层壁的宽度(W2nd)随着氢氧化钾溶液中的蚀刻时间而变化。样品图案为50米~ 50米见方,间距为5米。每个数据点是通过对三个样本的值进行平均而获得的。所有样品在氢氟酸溶液中蚀刻1.5分钟。蚀刻时间和温度为30分钟和70 ˝c(a)。对于(b),KOH浓度为10 wt % KOH,蚀刻温度为70 ˝C。

 在KOH溶液中各向异性湿蚀刻si制备的两层微结构

      样品在氢氟酸中腐蚀1.0分钟,得到简单的单层微锥。当tHF增加到1.5、2.0和3.0 min时,观察到明显的双层结构。当tHF = 1.5分钟时,微锥体(第一层)和壁状结构(第二层)的高度为15.1和11.8米,当tHF = 2.0分钟时,为9.9和8.1米,当tHF = 3.0分钟时,为3.1和8.6米。因此,对于1.5、2.0和3.0 min的tHF,第一层和第二层之间的高度差分别为3.3、1.8和5.5 m。在tHF = 1.5 min时获得最大的第二层壁状结构。在tHF = 3.0 min时,获得了一种特殊的结构,其中微锥小于壁结构。从扫描电镜图像的细节可以看出,二氧化硅层在氢氧化钾蚀刻过程中消失,留下其覆盖的硅完全开放,用于氢氧化钾蚀刻,这导致微锥体收缩。然而,壁状结构在所有蚀刻过程中都是稳定的,显示出强而宽的壁结构。因此,我们可以得出结论,两层复杂结构是根据两个掩蔽层产生的:第一二氧化硅掩蔽层和第二残留物掩蔽层是由氢氧化钾和硅的反应产物在开放区域的快速积累产生的。

   

总结

      在这项工作中,我们设计了用于在二氧化硅作为掩模层的硅衬底上制作微锥体的微图形。通过在HF溶液中控制蚀刻以在大约5 m处打开蚀刻进入孔,已经获得简单的单层微锥体。通过在HF溶液中过蚀刻衬底,获得了由第二层壁状结构包围的第一层微锥体的两层复杂结构。由于正方形图案的尺寸在15至150米的范围内,且具有5米的间隙距离,因此在广泛的制造条件下已经获得了可再现的双层结构。作为例子,当HF蚀刻时间大于1.5 min时,出现50 μm ~ 50 μm的具有5 m间隙的两层微锥。随着HF中蚀刻时间的增加,第二层壁状结构的宽度和高度增加,而第一层微锥的高度和宽度减小。KOH精矿对壁状结构尺寸影响不大;然而,由于平面选择性和蚀刻速度,它确实影响微锥体的形状。残留物掩蔽层坚固稳定,可承受长时间的氢氧化钾蚀刻。对于留下较少二氧化硅的长时间HF蚀刻,第二层掩模可以在KOH溶液中长时间蚀刻后诱导反转结构。利用残留物作为第二掩模层在硅衬底上制造可控微结构是一种简单而有用的方法,它将用于制造各种应用于等离子体、微流体和超疏水表面的结构。


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