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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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非极性氮化镓发光二极管结构的湿法蚀刻

时间: 2021-11-05
点击次数: 23

非极性氮化镓发光二极管结构的湿法蚀刻

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引言

通过TXRF直接测量晶片表面的微量元素是快速和非破坏性的。SR-TXRF具有与TXRF相似的特征,但主要由于高通量,检测限要好得多。VPD-TXRF和VPD-SR-TXRF在不同程度上提高了探测能力。但是,某些元素(如铜)在某些浓度下可能会有回收问题。VPD电感耦合等离子体质谱由于溶解了天然氧化物,是一种破坏性技术,但它可以分析元素周期表中的大多数元素,尤其是低Z元素。通过使用NIST标准进行校准,可以相对容易地验证定量。所有这些技术可以相互补充,并为半导体行业提供全面的分析。

 

介绍

超净硅晶片表面是超大规模集成电路制造的最关键因素之一,因为晶片加工过程中不受控制的污染会改变电特性,导致产量损失1。晶片表面上一定浓度的金属杂质会导致严重的器件退化,例如载流子寿命缩短、栅极氧化物的电介质击穿、阈值电压偏移和pn结的漏电流。

使用同步辐射作为主要激发源可以提高TXRF的整体灵敏度。与通过电子轰击金属靶产生的常规x射线源相比,同步辐射是作为储存环中循环或振荡电子的自然副产品产生的。它包含电磁光谱的所有波长,比标准仪器的x射线发生器强大100倍或更多。同步辐射的主激发源与传统x射线管相比有几个优点:高附带通量与低发散度相结合导致更高的荧光强度,因此检测限更低。由于它的线偏振,入射光束的弹性散射可以减少。已经被全反射降低的光谱背景被进一步降低。同步辐射的可调性允许通过增加光子吸收截面来提高特殊元素的灵敏度。

 

实验与讨论 

VPD-TXRF和VPD-电感耦合等离子体-质谱进行的晶片制备和分析是在洁净室的超洁净环境中进行的。在裸硅晶片表面上沉积已知量的铜溶液(例如50 mL)后,发现液滴的直径为4-5毫米。在室温下用氮气吹扫干净的盒子中干燥后,干燥点的尺寸减小到直径小于1毫米。然后用TXRF仪器(原子钟8030瓦)分析晶片上的干点。基于0.5 cm2的采样面积计算表面浓度。使用TXRF制造商提供的晶片表面有镍干点的标准晶片来校准仪器。 

TXRF研究晶片表面铜溶液的干点;在晶片表面上干燥一滴铜溶液。研究发现,在TXRF对铜干渣的分析中,当铜的表面浓度高于一定浓度时,铜的分析结果通常低于预期。例如,在0.5 cm2的取样面积下,沉积在晶片上的含1 ng铜的单个液滴的表面浓度应为1890 E10原子/cm2(理论值)。然而,发现来自五次重复的平均1612个E10原子/cm2,表明比理论结果低15%,如图2所示。同样,一滴

沉积在晶片表面的0.5纳克铜应导致940个E10原子/平方厘米的表面浓度。平均767个E10原子/cm2表明比理论结果低18%。值得注意的是,在较低的表面浓度下,例如0.05纳克铜的干点,这种现象不再存在。

 非极性氮化镓发光二极管结构的湿法蚀刻

2 TXRF的铜结果与铜干残渣的计算表面浓度

TXRF和电感耦合等离子体质谱法测定晶片表面铜/镍溶液的干斑;为了进一步研究,在晶片表面沉积一滴铜/镍混合溶液。TXRF分析了干斑。然后用0.5毫升H2O2/HF溶液提取干斑两次。提取的溶液通过电感耦合等离子体质谱进行分析。图3a显示了TXRF和电感耦合等离子体质谱的铜回收率。电感耦合等离子体质谱的铜结果显示100% = 10%的一致回收率。相比之下,TXRF的铜回收率为80%左右。考虑到TXRF和电感耦合等离子体质谱法的镍回收率接近100%,如图3b所示,可以排除在TXRF测量过程中位置错误的可能性。发现我们的发现与最近的一份报告不同,在该报告中,TXRF的铬、铁、镍、铜和锌的结果都低于电感耦合等离子体原子发射光谱法。差异的可能性之一可能归因于不同的干燥条件。

在室温下用氮气吹扫进行这项工作;同时使用该报告中的红外加热灯干燥混合元素溶液。然而,TXRF铜回收率较低可能是由于干燥过程中的一些未知因素。详细的调查正在进行中。

 

总结

我们比较了TXRF技术、SR-TXRF技术、电感耦合等离子体质谱技术和VPD技术,研究了在晶片表面干燥液滴时的铜浓度。一般来说,通过TXRF直接测量晶片表面的微量元素是快速和非破坏性的。SR-TXRF具有与TXRF相似的特征,但主要由于高通量,检测限要好得多。TXRF和SR-TXRF对低Z元素的测量正在改进,但目前仍处于开发过程中。VPD-TXRF和VPD-SR-TXRF在不同程度上提高了探测能力。然而,我们发现一些元素(如铜)在一定浓度以上可能会有回收问题。值得一提的是,TXRF已经对晶圆表面的检测限进行了许多调查,但只有少数调查评估了回收率。因此,许多关于量化的问题仍然是未知的。另一方面,VPD电感耦合等离子体质谱是一种破坏性技术,因为它溶解了晶片上的天然氧化物,但它可以分析元素周期表中的大多数元素,尤其是低Z元素,

例如硼、钠、镁和铝。通过使用NIST标准进行校准,可以相对容易地验证定量。所有这些技术可以相互补充,并为半导体行业提供全面的分析。


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