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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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基板预栅极清洗的系统和方法

时间: 2021-11-11
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基板预栅极清洗的系统和方法

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在半导体制造中,半导体的湿法清洗使用氢氟酸(HF)、标准清洗1(SCI)和标准清洗2(SC2)的顺序化学配方进行栅极前清洗。该清洗程序旨在通过HF去除大块二氧化硅(SiO),然后用SCI(去离子水(DI)、氢氧化氨(NH,OH)和过氧化氢(HCO)的混合物)清洗颗粒,然后用SC2(去离子水、盐酸(HCI)和HCO的混合物)清洗金属。该顺序清洁过程之后通常是最后的异丙醇(异丙醇)干燥步骤。在每个步骤之间通常会进行中间去离子水冲洗。重要的是在高频之后和化学气相沉积重新生长一氧化硅层之前,清洁半导体衬底的硅(硅)表面。任何由硅-二氧化硅界面中的颗粒、金属或表面粗糙度引起的缺陷都可能导致氧化物电荷-击穿(Qtd)故障的电测试,导致器件成品率降低。

用于清洗半导体晶片的系统和方法,其中消除了SCI和SC2的使用,代之以DIO和稀释化学物质的使用。在一个方面,本方法包括:(a)在处理室中支撑至少一个半导体晶片,该半导体晶片具有硅基底,在至少一个预栅极结构中具有二氧化硅层;(b)将去离子水中的氢氟酸水溶液施加到半导体晶片上,以去除二氧化硅层并形成栅极;(c)向半导体晶片施加臭氧化去离子水(DIO ),以从栅极去除颗粒并钝化硅基底;(d)将氢氟酸和盐酸在去离子水中的稀溶液施加到半导体晶片上,以去除由于施加DIO而可能在栅极中形成的任何二氧化硅层,并去除任何金属污染物;以及(e)将DIO应用于半导体晶片,以在栅极中的硅基底上生长新的二氧化硅层。 

本方法不限于任何特定的工艺参数,但是优选的是,氟化氢水溶液的应用目标是从预栅结构中去除130埃的一氧化硅层(热氧化物)。该目标和工艺参数可以根据被加工的器件和/或晶片的精确加工需要而改变。氟化氢水溶液的应用优选从预栅极结构中去除所有的一氧化硅层,从而暴露栅极结构中的裸露硅基底。在HF水溶液的施加完成后,系统控制器关闭阀,打开阀,并启动泵。结果,氟化氢水溶液的流动停止,去离子水从容器中抽出,并通过喷嘴被压到晶片表面上。电机在处理过程中连续旋转晶片。这种高流量去离子水冲洗优选在至60℃的温度下对半导体晶片进行2至7分钟的时间。最优选地,该高流量去离子水冲洗在40℃持续5分钟。最终冲洗能够达到18兆欧姆的去离子水电阻率。可以通过在去离子水供应线上适当地结合加热器或冷却器来控制温度,这又可以由系统控制器来控制。如果需要,声能可以在去离子水冲洗期间施加到晶片上,以进一步实现清洗。 

在去离子水冲洗完成后,系统控制器关闭阀,打开阀,并启动泵。结果,去离子水流动停止,DIO从容器中被抽出,并被供应到喷嘴,用于施加到晶片的顶面。同样在此时,系统控制器激活声能源,这导致声能被产生并经由发射器(和DIO耦合层)传输到晶片表面。当DIO施加到半导体晶片表面时,DIO接触暴露的裸露硅基底,并有助于去除颗粒和/或污染物。DIO的臭氧浓度优选为30-50 ppm,更优选为40 ppm去离子水。DIO优选处于20-40℃的温度,更优选大约30℃。DIO优选施加4-8分钟,更优选大约6分钟。声能优选为兆频超声波频率,并且在DIO应用期间以1400瓦的功率施加到半导体晶片。DIO应用的目标是通过氧化表面,将暴露的硅基底从疏水性钝化为亲水性。同样,温度可以通过使用在线加热器或在线冷却器来控制。 

DIO应用之后,进行4分钟的高流量去离子水冲洗。该第二去离子水冲洗通过系统控制器关闭阀、停用声能源、打开阀和启动泵来完成。作为这些行动的结果,DIO的流动和声能的创造被停止了。去离子水从容器中抽出,并被强制通过喷嘴,以施加到晶片上。该第二次冲洗的去离子水优选保持在40℃的温度,并且优选最终达到18兆欧姆的电阻率。如果需要,声能可以在第二次冲洗过程中施加到晶片上。所有温度都由在线加热器或冷却器控制。 

一旦dHF/HCI的应用完成,该高流量去离子水冲洗优选在45℃下持续8分钟。声能优选以1400瓦的能量和兆频超声波频率施加。 

在完成第三次去离子水冲洗后,进行第二次DIO施加,以在裸硅基底22上生长高质量的一氧化硅层。优选地,DIO的这种应用与声能的应用相结合。DIO的第二次应用优选地处于比第一次DIO应用更低的臭氧浓度。具体而言,DIO的这种应用优选地具有低于20 ppm去离子水的臭氧浓度。DIO在30℃的温度下应用6分钟。在这个DIO应用过程中,声能以1400瓦的功率和兆频超声波频率应用。 

2示出了在执行上述五种清洁配方后Qbd数据的威布尔图。它是作为氧化物电场的函数的故障数量的图,该电场是氧化物质量的量度。该图显示,在执行根据本发明的预栅极清洁配方(在图2中命名为HFDO3HF/ HC1DO3)之后,一氧化硅显示出最佳结果。该图还显示,根据本发明的预栅极清洁配方(在图2中命名为HFDO3HF/HC1DO3)也具有最佳的Qtd结果。

基板预栅极清洗的系统和方法 

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3和图4分别示出了将现有技术配方与本发明的配方进行比较的更多结果Vq和RBS测量。图3显示了Vq数据。它表明,本发明的配方,HF+DIO,+dHF/HCI+DIO”比标准的现有技术配方HF+SCI+SC2具有更低的Vq。这表明本发明的化合物(具有DIO)比SCI和SC2生长得更厚。图4显示了RBS数据。它表明,本发明的配方,HF+DIO,+dHF/HCI+DIO在栅极SiO表面上的缺陷数比标准的现有技术配方HF+SCI+SC2低。

基板预栅极清洗的系统和方法 

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因此,已经发现,随着半导体器件尺寸的缩小,传统的HF+SCI+SC2的栅极前清洗将不再满足产量要求,因为在栅极氧化物的清洗中生长的Si表面被SCI和低质量的SiO损坏。然而,本发明通过使用DIO代替SCI和使用DIO生长更好的SiO来解决这些问题。进一步发现,只有臭氧浓度高的DIO才有利于颗粒物的去除。此外,DIO的高浓度羟基自由基(OH*)和DIO的+dHF/HCI可能有助于清除。

虽然本方法是根据清洗预栅极结构来描述的,但这只是根据本发明可以执行的“临界清洗”的一个例子。此外,在一些实施例中,可能没有必要在每个工艺步骤之间执行冲洗步骤。此外,在本方法的一些实施例中,兆频超声波能量可以施加到晶片的与预栅结构器件相对的一侧。


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