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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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用于单晶片清洗的超临界流体

时间: 2021-11-15
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用于单晶片清洗的超临界流体

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使用超临界流体去除污染物的过程,即高于其临界温度和压力的类气体物质。超临界流体具有类液体溶剂化特性和类气体扩散和粘度,使其能够快速穿透缝隙和边界层膜,并完全去除其中包含的有机和无机污染物。此外,通过在超临界和亚临界值之间循环压力,颗粒可以在脉动的膨胀阶段被非常有效地排出。超临界流体的定义可以通过查看相图来充分理解。 

2中的一氧化碳。关键特性是在任何压力下都不能出现超过临界温度(T)的冷凝。T右侧和P上方的区域定义了超临界状态。超临界流体的密度可以非常高。

二氧化碳作为清洗液:超临界CO被选为主要清洗液,因为其低粘度(0.05厘米泊)、高扩散率、非常低的表面张力,以及其他环境、安全和成本考虑。对于CO,临界温度T为31℃,临界压力也在实际范围内(Pc=73bar=1050psi)。

3显示了略高于临界温度的等温线的密度与压力。密度随着临界点附近的压力而显著变化。例如,在31℃时,在环境压力下,密度仅为0.002g/cm3,而在PC下,密度为0.468g/cm3(增加了234倍)。

高于Pc的CO2具有与有机液体相当的密度和溶剂化能力。对于恒定的温度,CO2的溶剂浓度随压力而变化。物理化学性质可以在Pc以上和以下使用,即超临界和亚临界性质在设计良好的清洗过程中都很重要。在这一过程中,流体在两个压力之间循环,如图3所示。

用于单晶片清洗的超临界流体 

3

晶圆清洗工艺:最近引入了一种使用CO2的晶圆清洗系统。如图4所示。晶片被装载在清洗室的上下方块之间。在加载期间,腔室高度约为5mm,晶片通过顶部块中的真空夹持保持在其中。然后较低的块被抬高,直到室被密封,此时腔室高度仅略大于晶圆厚度(1 mm)。在~800磅/平方英寸下加压的二氧化碳然后通过位于中心的孔供应。在清洗周期中,超临界流体由液压机构脉动。下腔块实际上是薄壁不锈钢膜,即隔膜。液压流体压力通过隔膜的弹性变形改变腔室高度,即超临界流体压力根据清洁腔室的体积而变化。压力通常以25至50赫兹的频率在800至1200磅/平方英寸之间循环。

不太频繁地使用单独的排出循环(每1到3秒)来用新鲜流体重新充满清洗流体。排出循环是通过降低下腔室块来实现的,因此在清洁腔室的外周向大气压力打开了一个2 pm的间隙。携带污染物的液体然后通过通道向外冲入排气系统。然后密封被重新关闭,新鲜流体通过入口阀进入,入口阀位于晶片室的上方和下方的中心。 

超临界流体的“储存能量”是决定清洗效果的主要因素。残余物在膨胀过程中喷出,超临界流体在压缩过程中被迫进入缝隙。40秒的过程通常以这种方式去除所有污染物。然而,可以包括添加剂来改变流体的化学性质、极性或溶剂化能力。 

微观清洗动力学:压缩循环混合并旋转上部和下部清洁间隙中的流体。密度增加三倍(从0.21到0.63克/立方厘米)。清洗液渗透到分子层和微米级的设备中。大量的流体运动有助于机械擦洗、颗粒移动和有机材料的溶解。在膨胀冲程期间,CO2从超临界流体变成亚临界气体。密度降低三倍,导致快速混合作用和流体从晶片表面流出。高速运动的流体迅速重新定位悬浮的颗粒和溶解的污染物。在排出步骤中,它们被补充清洗液冲出腔室。流感样病毒在整个过程中的快速流动阻止了病毒的再传播。

悬浮的污染物从清洗室中被重新移走,在每1到3秒钟的排出周期中。此时,几乎所有的流体都以横向向外的方向从中心排出。然后密封被关闭,向上的二氧化碳被集中注入上部和下部清洁间隙,使晶片变圆。 

净化设备:双浮动(DF)、pulsa晶圆清洗装置如f所示,“DF”名称指的是t‹事实,即晶圆在临界流体中自由浮动,不接触晶片的顶部或底部。这是通过适当控制通过下部输入阀的流体流入来实现的,因此晶圆始终浮动在早期设计的缓冲垫上,只允许清洗晶圆的一侧。Th‹装置是一种先进的设计,可以同时清洗晶片的两面。下部清洁间隙非常小(< 30 pm)。结果,晶片跟随下腔块的往复运动。中部的液压驱动波轮驱动下腔块。这在上晶片清洁间隙和下晶片清洁间隙中提供了最佳的晶片清洁动作。在未加压(800磅/平方英寸)的位置,围绕晶片所有侧面的总流体体积只有大约S cm3 (= z N h - z 20 x 20 x 0.0125厘米)。这种低清洗液要求简化了对液体纯度的控制。

 流体性质和腔室设计使得压力从晶片的顶面到底面变化很小。在任何给定的时间,甚至在冲程期间,腔室中存在基本均匀的压力分布。在清洗过程中,水被清洗液完全淹没。因此,晶片不会受到清洗液推力或压力变化的物理压力。隔膜是设备设计的关键要素。隔膜需要足够薄,以承受显著的弹性变形,同时足够坚固,以承受工艺要求的高操作压力。

化学处理,如高频蚀刻(湿法或无水法)不适合留下静电活化的晶片表面,该表面会吸引颗粒和化学污染物。这种氧化物去除或清洁过程之后通常是进一步的清洗和钝化晶片表面的处理。用超临界二氧化碳清洗可以缓解静电问题,因为晶片和清洗室金属壁之间的流体体积已经最小化。此外,高压清洁剂可以包括添加剂以钝化表面。


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