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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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通过湿蚀刻对玻璃表面进行微细加工

时间: 2021-11-29
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通过湿蚀刻对玻璃表面进行微细加工

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引言

由于玻璃材料具有耐用性,光滑性,高绝缘性和透明性的特点,近年来,除了显示器,光学元件和记录介质外,人们对其应用于MEMS(微机电系统)和类似TAS(微全分析系统)等新领域的期望越来越高。 此外,还研究了许多将玻璃材料与金属等不同种类的材料接合以制造新功能元件的方法。 特别是多成分玻璃表面的性质与帕尔克有很多不同,最表面的组成、硅烷醇基等官能基、水分和有机物的吸附等因素对表面的耐候性、耐化学性、与异种材料的粘着性、包括加工性在内的机械特性等有各种各样的影响。 因此,在新功能材料中控制或改性表面性质是重要课题之一。

基本原理是利用了在加载压力的情况下,在玻璃表面形成压缩层后,该部位的耐酸性,特别是腐植酸引起的耐蚀刻性发生较大变化的现象。 在本方法的要素技术中,有机械加工工艺和化学方面的玻璃表面的改质这2个方面。 在本综述中,笔者等人将从迄今为止的研究中,首先从表面改质的观点,介绍压力加载引起的玻璃表面化学性质的变化,并结合实验结果,然后阐述其在微细加工中的应用。

 

实验

在此,首先对铝硅酸盐类玻璃的结果进行说明。 图1显示的是,对于含有碱金属氧化物、碱土金属酸化物及微量氧化物等的各种铝硅酸盐类玻璃,关注作为主要成分且形成玻璃骨架的SiO*和AkOia, 在没有加载压力的部位,随着SiO―AU0S的减少,蚀刻速度显著增大。

 通过湿蚀刻对玻璃表面进行微细加工

1(SiOi-AU0*)蚀刻速率与玻璃成分之间的关系

结果表明,在不施加压力的区域,在用富硅酸蚀刻后,玻璃表面附近(几纳米)的SiO2以外的组分显著减少,而在施加压力的区域,这种现象几乎不发生B)。如图2的简单示意图所示,在不施加压力的普通铝硅酸盐玻璃中,已知除SiO2以外的相对较弱的耐酸组分在酸性水溶液中选择性地洗脱12-14)。因此,当作为网状物的Al离子洗脱时,剩余的SiO2层不能保持玻璃结构,并且其耐化学性显著降低。因此,氟离子(主要是H町)很容易侵蚀和蚀刻。

 通过湿蚀刻对玻璃表面进行微细加工

2 腐植酸蚀刻时产生的玻璃成分的选择性洗脱(示意图)

如上所述,在铝硅酸盐玻璃的蚀刻中,含Al离子在酸性气氛下的选择性洗脱是决定蚀刻速度的重要因素,蚀刻速度的成分依赖性的产生。 另一方面,这种选择性洗脱在压力施加部分没有发生的事实被认为是,在该部分,选择性洗脱不再是决定蚀刻速度的因素,而是氟离子对SiO2网络的攻击变得占主导地位,导致蚀刻速度的降低和组成依赖性的降低。 通过加载压力抑制选择性溶出的原因还不清楚,但可以推测,玻璃表面被局部压缩9),其结果是网状结构的各分子间的结合性发生了变化。

压力的加载对硅铝酸盐类玻璃的耐酸性产生了显著影响,但我想简单介绍一下除此之外的玻璃。 例如,已知SiO2比例高的所谓钠钙基玻璃,耐酸性(蚀刻速度)的变化几乎不发生8)^,那么,多孔硅酸盐基玻璃和石英玻璃等SiO2比例更高的组成如何? 如上所述,在这些玻璃中,随着压力加载,蚀刻速度的变化得到确认的oSiO2比率高的玻璃,当然不会发生选择性的溶出,或者显著减少。如上所述,已经清楚的是,施加压力不仅对物理现象(例如压缩)产生很大影响,而且对化学因素(例如蚀刻速率的变化)产生很大影响。接下来,从将这种现象应用于精细加工技术的角度进行解释。

3的(a)(b)显示了笔者等人提出的微加工方法的原理和工艺10)。 从这个图可以看出,过程非常简单。 首先,准备符合目的的玻璃,根据需要进行研磨和清洗等处理后,用金刚石等压头在玻璃表面上进行局部压缩(高密度化)程度的负荷扫描。接着,用富二酸类水溶液对该玻璃进行蚀刻,如前所述,由于高密度化部位的蚀刻速度降低,残留为凸状,在玻璃基板表面的任意位置形成凹凸结构体成为可能。 但是,其加工性不一样,从压力加载时的形状变化和压力加载部与非压力加载部的蚀刻速度比等方面来看,存在适合本加工技术的组成。  关于压力加载。

如图3的(c)所示,通过。x―用NC控制工作台,可以在玻璃表面直接描绘各种图案。 从该程序可知,在本加工方法中,图案宽度方向的精度是根据用于压力加载的压头及定位制度来决定的。  而且,最近也确认了通过激光照射也可以进行同样的蚀刻速度变化。 因此,与机械施加压力相比,更高密度的部分被更深地放置在玻璃的深处

4显示的是蚀刻量与压力加载部位高度的关系。 如图所示,压力施加部位的高度几乎与蚀刻量成比例地增大。 本来,可以推测加载压力的影响在玻璃的深度方向上有分布,但对蚀刻速度变化的影响是一定的,从高度控制的观点来看是有利的。 作为蚀刻液,基本上使用的是基于腐植酸的蚀刻液。 正如根据上述机理所设想的那样,蚀刻的化学因素会影响蚀刻速度的变化。 更具体地说,已经明确了通过促进选择性溶出,蚀刻速度比大幅增大。 例如,通过改变蚀刻液的pH值即使这样,其程度也可以发生很大变化。 到目前为止,通过优化组成和蚀刻条件,已确认压力加载部非压力加载部的蚀刻比可以调整到1:10 0以上。

 

讨论和总结

本综述从玻璃表面的耐化学性变化和在微细加工中的应用的观点出发,阐述了利用富二酸对玻璃的蚀刻速度随着压力的加载而发生变化的现象的原理和特征。 正如文章开头所提到的那样,微细加工法还有很多其他的种类,各有各的优良特点。 此次介绍的技术也是微细加工技术或表面改性技术的一种,另外,通过与包括树脂和金属在内的各种异种材料的组合,期待能带来新的应用和发展。


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