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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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单晶片炉的设计及在快速热处理中的应用

时间: 2021-12-06
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单晶片炉的设计及在快速热处理中的应用

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引言

我们设计了一个带有真空负载锁定的单晶片炉,以克服批量生产和单晶片实时处理系统的缺点。本文详细描述了热源的设计概念和热行为讨论了热源配置的理论计算结果。描述了在升温和降温期间的晶片温度表征结果以及使用热源的典型工艺结果讨论了200毫米直径硅片在表面等离子体处理过程中的缺陷产生现象和消除缺陷的方法通过工艺参数优化,获得了无滑移的RTP工艺结果。

为了简单起见,假设每个加热元件的温度是相同的1(a)和1(b)显示了距离具有三种不同直径(1、5和10毫米)的加热元件加热元件的数量和间距分别固定在11和30毫米。

单晶片炉的设计及在快速热处理中的应用 

1

在图1(a)的插图中随着加热元件直径的增加,归一化视角的变化变小,绝对视角变大具有更大直径和/或更大加热元件密度的加热元件增加了热源表面积和从观察平面的视角随着表面积的增加,通过辐射交换相同热量所需的加热元件温度变低。为了在热源和晶片中获得最小的温度变化,需要平面热源随着观察点远离加热元件阵列的中心,归一化和绝对视角减小。它们也随着加热元件和平面之间距离的增加而减少这表明,当辐射热传递占主导地位时,具有均匀温度的有限热源不能在晶片上提供温度均匀性。

加热元件的配置对热源以及晶片的温度均匀性起着重要作用线性或圆形阵列的加热元件被广泛用作热处理设备中的热源,例如熔炉和RTP系统。为了在晶片上获得合理的温度均匀性,多区域功率控制和/或晶片旋转机构经常用于商业上可获得的系统中的热损失补偿。

热源和晶片之间的距离影响通过环境气体以及辐射的热传递效率。如“热传递机制”部分所述,在低温下,热源和晶片之间通过环境气体传导的热传递占主导地位(< 800♀C)。辐射传热在高温(> 800摄氏度)时占主导地位通过环境气体更好的传热视角因素也是热源和晶片之间的距离和角度的非常强的函数。

 单晶片炉的设计及在快速热处理中的应用

2 将同轴平行磁盘的因子计算结果视为磁盘大小和磁盘间距离的函数

为了估计辐射热传递的几何效应,同轴平行圆盘的观察因子被计算为圆盘尺寸和圆盘间距离的函数。一个盘的直径固定在200毫米的硅晶片尺寸,而另一个盘(热源)的直径从200毫米变化到400毫米盘之间的距离d从5毫米变化到300毫米。如图2所示,随着热源直径的减小和距离的增加,视角因子减小,当距离足够小(< 10毫米)时,同轴平行圆盘之间的视角因子几乎为1.0,并且较少依赖于热源的直径,更大的均匀热源在晶片上提供更好的温度均匀性,但是热源的尺寸必须实用300 mm的热源直径提供了设计灵活性,并考虑到计算的视角因子值,提供了足够的辐射热交换。

如图3所示,当热源平面和观察平面之间的距离较大时,视角的变化是逐渐的在保持较小距离的情况下,热源边缘附近观察到视角的突然变化,在直径为10毫米的情况下,直径为200毫米的晶圆边缘(距离中心100毫米)的视角仅比中心的视角小3.5%保持热源和晶片之间的距离小对于提高辐射传热效率以及最小化晶片上的视角变化是重要的。

为了使用分立加热元件制造均匀的平面热源,评估了碳化硅热扩散器因为碳化硅在室温下具有4.9 W/mK的高热导率,并且在高温下是热稳定的到2000♀C,它适合作为热扩散器它的热导率比任何其他类型的气体硅和透明熔融石英的典型室温热导率分别为1.48和1.4 W/mK。通过在分立的加热元件和硅晶片之间插入具有高导热率的热扩散器,有望改善硅晶片上的热流均匀性。

4(a)和4(b)示出了没有热扩散器的螺旋加热器和具有热扩散器(2mm厚的SiC盘)的螺旋加热器的红外图像。加热元件之间的距离-金属和碳化硅热扩散器保持在2毫米,平均加热元件温度估计为700摄氏度,裸露的螺旋加热器显示出非常大的空间温度,不均匀性而带有碳化硅盘的螺旋加热器(热扩散器)在较低的平均温度下显示出更好的温度均匀性,通过增加碳化硅盘的厚度,可以进一步提高碳化硅盘上的温度均匀性因为更厚的SiC盘更有效地扩散热量,通过结合使用分立的加热元件和SiC热扩散器,可以形成处理晶片的接近等温的环境

利用两种不同类型的碳化硅腔,研究了加热腔的形状对晶片内温度均匀性的影响。一个腔体由两块碳化硅平行板(284毫米270毫米5毫米)构成,这两块平行板由加热器组件包围,另一个空腔由一根内部带有矩形空腔的碳化硅管构成。两个空腔中碳化硅板之间的距离保持恒定在26毫米。

6显示了每个处理室的功耗与处理室温度的关系。av-在1150℃时,每个处理室的稳态功耗< 3.5千瓦。因为碳化硅腔的温度是恒定的在稳定状态下,峰值功率需求通常不会超过平均稳定状态功率消耗的两倍。双腔海水淡化系统的功率要求配备真空泵的tem即使在1150♀C运行时也小于20 kW。

为了研究高温工艺(> 1000摄氏度)期间的温度均匀性和热冲击,裸硅晶片在800至1150摄氏度的温度范围内退火1至10次硅晶片(直径200毫米)在预热的处理室中在800至900℃的温度范围内退火用扫描电镜研究了硅晶片在常压退火过程中产生的晶体缺陷温度、压力、处理时间、晶片处理方法和速度的函数。使用60 s的固定单位处理时间通过重复60 s单位过程,总加工时间发生变化晶片被加工一到五次。

本研究中使用了两种类型的末端执行器。工艺温度越高,滑移线的长度越长在晶片上观察到的典型滑移线在高于1050℃的温度下加工五次滑移线通常在晶片上观察到晶片与末端执行器上的三个方形垫接触的边缘和/或区域。

为了减少由晶片到末端执行器的热损失引起的接触区域附近的热应力,我们设计了一种新的带有三个小点的末端执行器(类型B)通过目视检查和x光形貌,在800至1150℃的温度范围内,对晶片进行五次处理,每次处理60 s,没有观察到滑移线。


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