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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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高浓度臭氧高速氧化碳化硅及氧化膜表征

时间: 2021-12-07
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高浓度臭氧高速氧化碳化硅及氧化膜表征

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引言

高浓缩臭氧气体已被用来使用通过卤素加热器局部加热的石英炉对碳化硅单晶基底进行干氧化当臭氧的‰低速度保持在5mcm-1或以上时,臭氧的强氧化能力使碳化硅在明显低于氧氧化的温度下快速氧化臭氧氧化也导致MOS结构的器件摩擦化过程中界面态密度较低,这可能是因为臭氧氧化在减少碳相关缺陷方面是安全的。

与其他化合物半导体不同, 在SiC上与硅器件一样,通过热氧化可以形成氧化硅膜,因此具有比较容易制作MOS结构的优点目前只能得到SiC MOSFET的沟道迁移率极低的东西最近也有通过氧化膜的氮化处理和热解再氧化等改善界面状态的报告。

为了解决上述问题,实现低损耗SiC功率MOSFET,各种处理前的氧化膜/SiC的初期界面良好可以认为会对后期处理的效果产生影响,为此认为使用臭氧等反应性高的氧化物质是有效的。即由于臭氧等的高氧化力形成氧化膜,同时抑制与碳相关的界面缺陷的发生。

1是用于臭氧氧化的石英制氧化炉的概略图。在市售的2个石英法兰之间焊接用熔融石英制作的试料加热部,形成氧化炉管。试料SiC基板放置在氧化炉中可拆卸的不透明石英基座上,通过卤素灯加热器进行辐射加热基板温度虽然没有直接测量,但在同样的条件下,通过测量对SiC基板进行氧氧化(1气压)时的氧化速度进行了推定。

高浓度臭氧高速氧化碳化硅及氧化膜表征 

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高浓度臭氧与高温容器或配管的内壁接触时,极容易分解成氧气,发挥其强氧化力,因此, 为了抑制臭氧的分解,供给到氧化试料领域, 将放置SiC基板的不透明石英基座上的空间尽可能缩小(2 mm×24 mm×30 mm),制作了石英炉(图2)。臭氧的流量是根据蓄积的臭氧量和在实验条件下将该臭氧气化排气所需的时间来求出的,在得到特性最好的氧化膜的条件下, 臭氧的流量约为150 sccm(以标准状态cm3每分钟表示的流量),炉内部的压力约为960 Pa,因此臭氧的流速提高到5.2 m·s―1.在Fig.1的系统中,臭氧完全热分解时下游的压力上升率为11,因此臭氧的分解率可以根据下游的压力上升率来估计。将4mm角试料加热到根据SiC基板的氧氧化速度推定的1100°C 1,150°C时,在下游加热前后,炉下游的压力从810 Pa上升到850 Pa(上升率5),由此可以认为实现了在试料正上方也能确保50 vol.1以上的臭氧浓度的状态

 高浓度臭氧高速氧化碳化硅及氧化膜表征

3

如图3所示, 1气压氧氧化(1,200°C)下20nm/h以下的氧化膜成长速度, 960 Pa高浓度臭氧氧化(1,150°C)时增大到100 nm/h以上,处理时间大幅缩短,这种氧化速度的大幅增大,与硅氧化一样,从臭氧中热解离产生的氧原子成为氧化物质,氧化膜中的氧化物质的扩散以及界面上氧化的活化能大幅降低。但是,在12 mm角基板中,臭氧供给的上游侧和下游侧,如图4所示,产生了最大53.7 nm和43.4 nm的膜厚差(约20),此时炉下游的压力上升率接近上限11,可以认为臭氧几乎完全热分解。因此,为了在超过1,000°C的高温氧化条件下,在12 mm角以上的试料上实现可靠性评价所需的膜厚分布10以内的氧化膜的生长,通过取得低频测量和高频测量的差分,进行Dit的计算,这是利用了一般界面能级在高频测量中不跟随这一点的方法,在一个栅极电压中的高频和低频的CV特性中的容量的差分表示Dit 9。在本方法中,如果氧化膜有电流泄漏,则无法测量正确的蓄积容量,由于任何试料的氧化膜厚度都足够大,在测量中使用的栅极电压中,可以忽略电流泄漏对Dit的影响。在实验的图中(a)的CV特性中,高频(实线)和低频(虚线)的差值与(b)相比较小,这表示在高温下制作的(a)比(b)Dit低。

在上述MOS电容器的制作中,栅极氧化膜的形成是在氧气中进行的,这是在1气压,1,200°C下进行的(干氧化膜,厚度为50 nm)。由此可以看出,用高浓度臭氧制作的MOS电容器比用通常的热氧化制作的MOS电容器显示出更低的Dit。

从以上可以确认,通过高浓度的臭氧氧化,在约1,150°C下,以约100nm/h的氧化速度,可以形成界面能级密度降低的SiC MOS界面。使用能够以大流速供给反应性气体的石英炉,通过浓缩至约100的减压臭氧进行SiC衬底的干氧化过程的结果,在约1,150°C的低温下,实现了约100nm/h的高速氧化。另外,将氧化的试料制成MOS结构,进行电特性评价的结果,与1气压高温氧氧化膜相比,确认了界面状态的改善。这些结果,由于臭氧的高反应性,抑制与碳相关的界面缺陷的发生的可能性很高,但是为了阐明机理,需要膜中碳浓度的测量等更详细的评价。


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