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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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超声波清洗机振动器清洗下一代半导体晶片

时间: 2021-12-08
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超声波清洗机振动器清洗下一代半导体晶片

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本文使用高频超声波的半导体单片清洗中的微粒子去除进行了研究水中的超声波在波导管内传播时,根据波导管的内径形成平面波以外的波导管模式此时,通过LDV测量确认了波导管弯曲振动,成为具有行波分布的传播体。 另外,实验表明,如果在形成清洗液膜的晶片基板上接近配置波导管,利用透过波导管的超声波可以得到均匀的微粒子去除。 在具有行波分布的导波管中,不需要由于空化气泡的捕获而引起的抗压,有可能进行微粒子的去除,有望应用于半导体器件的无损伤清洗。

在液膜照射中,由于将传播体靠近晶圆配置,因此形成了比浸渍照射更均匀的声场。 其结果是,在120nm的图案中没有损伤,得到了90%以上的微粒子去除率此外,正在研究使用在晶圆上形成的铝膜和光刻胶(PR)膜作为缺陷成像膜的方法结果,即使在低输入下,也观测到了由空化产生的孔缺陷。

对不仅适用于CMP后清洗,还适用于32 nm以后的下一代微细图案清洗的超声波清洗机的开发进行了重大研究,提出了以石英波导管为传播体的超声波清洗机用振子

本文提出了以石英波导管为传播体的超声波清洗机用振动预,并说明了液膜照射下超声波传播的原理。 通过激光多普勒振动速度计(LDV)测量试制的传播体的振动速度分布,确认其动作符合提案其次,进行微粒去除率测量,确认波导管型能够均匀去除微粒子另外,观察超声波照射产生的空化气泡,考察其与微粒子去除的关系。

下面说明用传播体变换来自声源的超声波振动,照射到液膜上的过程。振动分布由传播体的形状和材料常数决定,通过计算式确认得到的波长,另外,通过FDTD 法进行分析,掌握波导管内形成的波导模式。

对由传播体的形状决定的振动分布进行说明。图1是作为传播体的波导管和实心棒的俯视剖视图,水平配置在形成液膜的晶片上1(a )的波导管型中,从声源照射的超声波在充满波导管内的水中通过纵波传播。为了使波导壁弯曲波振动,需要使波导管的内径2α相对于水中的波长λw变大,产生平而波以外的模式。

超声波清洗机振动器清洗下一代半导体晶片 

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显示试制的波导管型及实心棒型振子的结构,通过激光多普勒振动速度计(LDV)测量各个传播体的振动速度分布。试制的液膜照射用振动器的结构如3所示这是垂直于晶片的切割图向波纹表面供给洗液后,在波纹表面和传播体之间通过表面张力形成洗液膜。 振动器由声源部分和传播体构成。3a)是波导管型,作为传播体使用内径4mm、厚1nlIn、长300 mm的石英玻璃管波导管与不锈钢制的受音部连接,从声源到受音部的腔体进行调整腔体是向波导管供给的传播液的流路波导管的保持使用0环,采用容易装卸的结构。

 超声波清洗机振动器清洗下一代半导体晶片

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LDV测量了波导管及实心棒的振动速度分布。 图4表示装置构成,使用的LDV的响应频率为10 Mliz的e饵轴台以0.15 mm的间距移动,在相当于200 mm晶圆设置位置的A、B、G的r处测量了振动速度分布,测量是在空气中工作的静态特性,以频率900kHz、输入10W驱动声源,通过频谱分析仪获取输出电压的基本波成分,传播液的溶解氮浓度通过调节器保持恒定。

为了测量微粒子去除率我们确认了波导管型的微粒子均匀去除是可能的,并观察了超声波照射产生的空化气泡,考察了与微粒子预去除的关系。传播体被布置成穿过波的中心,并且通过轴台的扫描,超声波可以被辐射到波的整个表面。

振动器的扫描次数在液膜照射和流水照射时不同,超声波照射时间均为20s。 洗涤液是氮饱和水(N2浓度:18Ppm)。 测量结果如4所示流水照射在声源输入30W时得到了89%的PRE。

因此,在实际使用中要求90%左右的PRE。 波导管型的PRE在30W时为78%,10W时为65%,虽然略低于流水照射时的PRE,但确认了可以除去微粒子实心棒在10W时为54%,结果低于波导管型。

接下来,测量液膜照射中的细颗粒去除分布将附着在韦伯上的0.2μm直径的微粒子增加到7x104个左右,在波导管的正下方残留有微粒子,如果向y轴方向扫描传播体,则可以全面除去。

在使用水听器的声场测量中,存在诸如由于空化引起的元件损坏和水听器本身干扰声场的问题,为了测量液膜中的声场,利用频谱分析仪对输出电压进行频率分析的结果如所示。在声源中获得的输入密度为17w/cm2,如果不考虑声源的转换损失,则在LT波的情况下,波导管内的声压被计算为714kPa,并且通过波导管侧面的声压比波导管内的声压低四分。

但是,由于生成空化气泡所需的声压为100kPa左右,可以认为是100kPa以希的声压。 这里的空化只要不被驻波分布捕获,作为不产生压坏的稳定空化反复进行膨胀和收缩振动。 在稳定的空腔周围,观察到了称为微流的流动。 另外,也有报告指出微流式传输的微粒子去除效果因此,波导管型振子的微粒子去除是在稳定的空化作用下进行的,有可能不伴随空化压碎。

在实际的清洗工序中,有使用作为药液的氨过氧化氢水的工序,通过将pH提高到11左右,以达到除去微粒子及防止再附着的目的。在流水照射中,由于保持声源的外壳和包装与清洗液接触,因此可以使用的pH有限度,但是在波导管型中,接触液体部件只有作为传播体的石英,可以使用的pH没有限制。通过沿传播体集中气泡分布,可以得到比驻波更均匀的微粒去除分布。

本文提出了以石英波导管为传播体的超声波清洗机用振子,并说明了超声波传播的原理。 通过激光多布拉振动速度计(LDV)测量试制的传播体的振动速度分布,确认了按照提案形成了行波分布。 测定微粒子去除率的结果显示,波导管型的去除率略低于流水照射的去除率,但可以去除微粒子通过超声波照射,观测到了液膜中的空化气泡气泡分布为微粒子去除分布,可以说气泡的举动与微粒子去除相关,另外,微粒子去除分布因传播体的振动分布而存在差异。 行波通过沿着传播体集中空化气泡,可以得到比驻波更均匀的微粒子去除分布。

根据超声波照射产生的空化气泡以及高次谐波成分的观测,可以认为透过波导管侧面的声压为100kPa以h。 这里的空化在行波分布中不会产生压坏。 另外,由于可以期待微流式的微粒子去除效果,因此波导管型的微粒子去除有可能不伴随空化压坏而进行。 我们将探讨在波网上形成的光刻胶膜作为缺陷的成像膜使用的方法可以认为,该方法不仅可以分析有无缺陷,还可以根据空化压坏引起的一个个孔缺陷分析压坏时的能量微粒子去除率的测量,在用300mm片叶旋转清洗机进行的同时,通过使用药液氨过氧化氢水(APM),探讨了实用的微粒子去除的可能性。


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