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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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氮化镓清洗方法

时间: 2021-12-11
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氮化镓清洗方法

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引言

本文研究简单的化学清洗技术,易于在制造环境中使用,并使氮化镓表面无损伤。 描述了使用同步加速器辐射~SR研究氮化镓的电子结构经过湿式化学清洗序列后再加热的表面通过使用在200-1000eV范围内的SR,我们监测了Ga、N、O和C的核心水平表明在硫酸/过氧化氢处理后,一种弱结合的碳氧化物被化学吸附到氮化镓表面,并通过加热去除。

 

实验

利用同步辐射对电子结构的近表面探测,来确定一个简单而有效的清洁处方,以去除氮化镓表面的碳和氧,利用光子能量范围为200~1000eV的单色同步加速器辐射进行光电发射电子能谱分析。用半球形能量分析仪对发射的光电子进行分析,其能量分辨率约为0.2eV。所有已知感兴趣的元素的核心水平强度~Ga、N、C和O!在探测氮化镓表面的最后几个单分子层时进行了测量。这种表面灵敏度是所使用的光子能量的短逃逸深度的直接结果,我们估计为一个或两个晶格单元单元。

研究了清洗过程的化学性质、退火环境和退火过程的温度。纤锌岩氮化镓~0001,薄膜为p型~Mg掺杂53 1017 cm2 3 -1 3 1018 cm2 3,0.1mm厚,分子束外延生长在c轴蓝宝石基底上的AlN缓冲层上。通过优化III-V清洗中传统的硫酸化学方法,发现了清洗化学性质。湿化学处理为4:1硫酸~51%,到过氧化氢的~值为30%,氨纯度为99.99%的无水金属氧化物半导体加工级气体。最后,考虑了热退火的温度,以找到一个良好的温度窗口,估计为900°C。

 

结果与讨论

使用4:1的硫酸到过氧化氢溶液中去除碳和氧:两个氮化镓样品用4:1的硫酸到过氧化氢溶液清洗10分钟,一个样品在真空~中退火,底部有两行,另一个在氨~前两排,在590、636、700和740°C的温度下,持续10min。经过化学处理后的碳、氧覆盖率约为1.0 6 0.5 单层~。根据测量的碳1s和氧1s的光发射强度与镓3d的比例,计算出覆盖率。氧覆盖率低于单层表明,与普拉布卡兰相比,氮化镓没有整体氧化。认为这种整体氧化物的缺乏生长限制了半导体行业中用于清洁氮化镓表面的典型酸和碱的有效性,这是因为为了打破氮化镓键来释放镓原子来生长整体氧化物。Ga到N键的键能为8.9eV/原子,8使得氮化镓在湿化学处理中难以氧化或蚀刻。

经过4:1硫酸到过氧化氢处理,然后700°C真空退火,似乎有一种较弱的碳形式结合在氮化镓表面,在我们的光电实验~1%的单层,在本实验中,氨的退火并不比一个简单的真空退火去除碳更有效。条件下,氧气被还原到单层的8%。在氨通量下,氧覆盖在退火过程中波动,并保持高达单层的40%。这可能是氨作为回收氧气的载体气的结果。

 

碳化学状态

4:1的硫酸到过氧化氢溶液具有丰富的c1s结构,表明碳有几种不同的化学状态。在我们的尺度上,碳的氧化物在化学上向更高的结合能~较低的动能移动,关于碳氢化合物的特征。此外,各种成分的化学分配可以通过报告的温度编程解吸~TPD来验证,因为我们有互补的退火研究。安巴赫10的峰值解吸温度从375°C到800°C6 100°,具有显著的CHx分压。因此,在氮化镓表面的趋势似乎是碳的氧化物比碳氢化合物更易挥发。

 氮化镓清洗方法

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在图中1空气暴露碳特征主要是碳氢化合物种类,4:1硫酸到过氧化氢清洁~中间曲线,在我们的动能尺度上,碳信号被四个以48.1、50.9、51.9和52.5eV为中心的四个单独的高斯分量拟合。碳酸盐的最低动能峰为碳酸盐种,50.9eV峰为二氧化碳特征,5 1.9eV为一氧化碳,52.5eV峰为碳氢峰(CHx其中x5 1,2,3,经过700°C退火后,C1s信号降低到接近背景~底曲线,在真空中进行700°C退火后的碳覆盖率估计在单层的1%以内。c1s信号的减少是hy转换的结果。 

将碳变成4:1硫酸到过氧化氢溶液中的碳氧化物,这一假设的直接证据如图所示1,其中,碳氧化物的拟合强度占化学清洁后表面开始碳含量的70%。碳氧化物的波动性使我们能够降低碳表面的碳浓度。这种在单层覆盖水平上的替代化学反应使我们可以用4:1的硫酸清洁成过氧化氢,即使不能生长出大量的氧化物来获取碳。我们的结论是,4:1的硫酸到过氧化氢溶液,然后是700的°C退火,可以有效地清洗氮化镓表面,留下几个百分之一的单层C和O。

 氮化镓清洗方法

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      在图中进行化学清洗后,与大块氮化镓峰相比,Ga3d峰向较低的动力学移动了0.8eV,这是由于镓的氧化物。在图中2 ,一个较低的动力学特征也会发展,并可能表明氧在氮气位点上的化学吸附,经过700°C退火~底曲线!Ga3d和N1s曲线下的面积显示了一个化学计量学的氮化镓表面,其中晶体在外单元格中的强度有接近1:1的Ga与N的比。

      综上所述,利用同步辐射进行光发射电子能谱分析,研究了优化硫酸处理后的湿式化学清洗氮化镓的有效性。在700°C真空退火时,4:1的硫酸到过氧化氢溶液可以将碳和氧浓度降低到单层的百分之一。建议的化学状态主要是浸泡在这种积极的清洁化学中后的挥发性碳氧化物。最后,退火研究表明,在740°C或以下的温度下,碳和氧的热解吸比氨环境比真空环境更差。因此,在700°C下的简单真空退火足以在4:1的硫酸到过氧化氢处理后清洗氮化镓。


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