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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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湿式化学蚀刻法对阳极氧化铝阻挡层打开过程的控制

时间: 2021-12-17
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湿式化学蚀刻法对阳极氧化铝阻挡层打开过程的控制

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在本研究中,研究表明,通过一个高度控制的过程,可以对阳极氧化铝膜阻挡层进行化学蚀刻,从而实现对孔隙开口的纳米级控制。这些在形貌和相图像中观察到的纳米结构可以理解为草酸阴离子污染的氧化铝与纯氧化铝的差异这一信息对催化、模板合成和化学传感应用具有重要意义。从孔开蚀刻研究可知,阻挡层刻蚀速率(1.3nm/min)高于内细胞壁(0.93nm/min),均高于纯氧化铝层蚀刻速率(0.5~0.17nm/min)通过建立的蚀刻速率和蚀刻温度,可以系统地控制孔径从10~95nm。

如前所述,通过两步阳极化工艺制备了具有六边形有序纳米孔阵列的阳极氧化铝(AAO)膜,铝片在丙酮中脱脂,然后在氩气气氛下500°C气气氛下退火4小时,然后铝片在200mA/cm2的电流密度的高氯酸和乙醇溶液中进行电抛光10min,或直到达到镜状表面光滑。第一个阳极化步骤是在0.3M草酸溶液中,在3°C中进行24小时,然后,在含有6wt%磷酸和1.8wt%铬酸的溶液中,在60°C下蚀刻样品12小时,将70µm厚的多孔氧化铝层从铝衬底中剥离。

湿式化学蚀刻法对阳极氧化铝阻挡层打开过程的控制 

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AAO纳米孔的模型如图1所示,C为细胞壁厚度较厚的细胞尺寸(孔间距离),P为孔径,A为阳极氧化过程中向底部不断移动的曲率中心,纳米孔生长过程中的活性层是厚度为(d),阻挡层有两个活动界面与屏障层相关联,外部与铝氧化成铝阳离子(AlfAl3+)有关,内部与o2迁移有关,导致氧化铝(氧化铝)的形成,以及氧化铝在蚀刻溶液中的溶解和沉积。

保护层的存在也将蚀刻过程集中在屏障层的底部,屏障层由一个六边形封闭的排列的半球形圆顶组成,一旦蚀刻过程开始,圆顶的直径和高度都开始收缩,蚀刻18min后,穹顶的尺寸缩小到直径约100nm,高度约24nm。在蚀刻过程的早期阶段,每个细胞的壁变得更加明显,这表明单个圆顶之间的区域没有圆顶本身那么快。蚀刻40min后,屏障层最终被酸破坏。

该工艺可用于制作孔径固定的膜,分别在40、50、60min、74nm和40、50、60和70nm(图3a)。明显的六角形壁在整个过程中仍然存在,即使屏障层仍然存在,从图像中可以看出,随着蚀刻的进行,毛孔变得更加圆形。图像根据扫描方向有一些变化,这清楚地表明尖端形状正在影响图像。即使是这样,这些结果表明,需要非常均匀形状的应用应该利用蚀刻了较长时间的膜,以确保更均匀的孔隙形状。

 湿式化学蚀刻法对阳极氧化铝阻挡层打开过程的控制

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不同蚀刻速率的两个区域显示了孔开速率与AFM(O)和SEM(b)成像测量的孔径与时间的关系,酸在表面的扩散速率的变化可以排除是造成蚀刻速率差异的原因,因为最初从圆顶顶部到裂缝底部的高度变化很小,这意味着屏障层必须由比构建AAO孔内细胞壁的材料更容易被化学蚀刻的材料组成。我们将此归因于阻挡层是阳极化过程的生长前沿;它不断地建立和重新溶解。为了进一步验证穹顶和细胞壁之间存在物质差异,我们在相同的条件下,在AAO膜的前侧进行了蚀刻实验。

 湿式化学蚀刻法对阳极氧化铝阻挡层打开过程的控制

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从图4中可以看出,直径随时间的变化是相当线性的,第二种方法从60min开始,蚀刻速率仅为0.17nm/min。两种不同的蚀刻速率清楚地表明,细胞壁是由两个不同的材料层组成的。随着化学蚀刻过程的进行,圆顶被蚀刻掉,根据蚀刻结果,阻挡层不能由不同纯度的简单同心层组成,屏障层比双分子层细胞壁的组成更为复杂,从断裂模式来看,每个屏障层的中心周围的不纯的内层更厚,这可能是由于阳极化是一个动态的过程。

刻蚀速率的温度依赖关系,在4种不同温度(20、25、30和35°C)的5.00wt%磷酸条件下,测定了屏障层破裂前后的反应速率。作为一个简单的演示,我们制备了一个孔(90nm)完全打开的AAO薄膜(750nm厚),并将AAO掩模放置在硅片上。通过热蒸发,在AAO膜上沉积了一个50nm的金薄膜。然后用化学蚀刻去除氧化铝膜,整个过程,证明了概念的验证,是在湿化学实验室设置中进行的,不需要光刻工具。

在这项工作中,通过高度控制的过程,AAO屏障层可以化学蚀刻,可以实现孔开口的纳米尺度控制。这种控制在薄膜技术和光刻掩模应用中非常有用。此外,随着阻挡层被蚀刻,通过AFM相成像显示的阻挡层中氧化铝成分的细微差异产生了围绕每个阻挡层圆顶的独特的六角形壁图案。

此外,利用AFM技术对草酸阴离子污染的氧化铝和纯氧化铝进行了直接成像,我们的实验结果表明,如果适当控制化学蚀刻,可以系统地在草酸AAO膜的屏障层中获得10-95nm的开口。此外,在完全去除阻挡层之前,我们首次通过AFM成像观察到了非常有趣的双六边形纳米结构,这些纳米结构揭示了细胞膜中杂质的分布,对未来的催化、模板合成和化学传感应用具有重要意义。


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