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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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温度对氮化物和氧化物蚀刻速率的影响

时间: 2021-12-24
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温度对氮化物和氧化物蚀刻速率的影响

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本文讨论了温度对去除氮化物或氧化物层的蚀刻速率的影响,对于氧化物层,温度并不是很重要,因为氧化物在室温下可以被快速去除,这与氮化物层不同,与相同厚度的氧化物层相比,在室温下去除它需要更长的时间。具体来说,本研究比较了不同蚀刻温度下氮化物层的图案结构,在第二个实验装置中,研究了不同温度下氮化物层和氧化物层的蚀刻速率,氮化物和使用薄膜映射器F50薄膜指标检测氧化物层的厚度,最后,通过加热桶方溶液,发现了最佳的蚀刻技术,本文通过对传统BOE工艺的比较,对其加热工艺进行了讨论。

在本实验设置中,在780µm厚的单抛光晶片上切割成1英寸的方形样品,衬底在两侧预涂上199.91nm厚的LPCVD氮化硅,利用薄膜映射器F50薄膜指标测量了薄层氮化物的厚度,底物在超声浴中用丙酮和甲醇浸泡5分钟,然后用去离子(DI)水冲洗样品,然后用氮气爆破以干燥。最后,将样品放在热板上,温度设置为120ºC,持续15-20分钟进行硬烤确保硅表面没有水。

硅样品然后进行光刻过程,在基板上形成正方形框架,正光刻胶AZP4620首先使用旋转涂布器涂覆在硅衬底上,设置为500rpm10s,然后是2000rpm20s,接下来,将基底置于120ºC的热板上,放置1分钟,只有这样,样品才能准备好进行光刻工艺。利用掩模对准器KarlSussMJB3将掩模上的正方形图案转移到硅衬底上,然后将样品暴露在紫外线下90秒,然后,将基底在AZ400K显影剂中浸入4分钟,以形成正方形图案,之后,这些样品经过了15分钟的硬烘焙过程,接下来,将它们浸入缓冲氧化物蚀刻(BOE)溶液中,以去除框架开口处不需要的氮化物。

该溶液用于蚀刻二氧化硅或氮化硅的薄膜,特别是在微量加工过程中,所使用的BOE是49%氢氟酸(HF)溶液和40%氟化铵(NH4F)溶液的混合物,成分为1:6,高频溶液本身用于太快去除氧化硅蚀刻,也剥离用于光刻图案的光刻胶,氟化铵被用来减缓蚀刻速率,并避免光刻胶从基底上剥离,此外,NH4F还用于更可控的蚀刻速率,在这种溶液中,NH4F完全解离,提供了大量的铁离子来源,这些铁离子可以自由地与未解离的HF反应形成hf2离子,在氮化硅基板上形成正方形框架的制作过程如图所示1。

 温度对氮化物和氧化物蚀刻速率的影响

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本文研究了温度对去除硅基底上氮化物和氧化物层的蚀刻速率的影响实验首先将BOE溶液倒入特氟隆烧杯中与玻璃烧杯相比,特氟隆烧杯具有高抗性,不易被强酸腐蚀双烧煮技术用于用热板加热BOE溶液,图2为双沸腾技术下的BOE蚀刻工艺示意图。将温度设置在40-80°C之间变化,以研究蚀刻速率在此过程中,用特四氟隆夹具夹住样品该过程在去除氮化物或氧化物层的时间方面具有优势通常,BOE工艺在室温下去除200nm的氮化物层需要4小时加热BOE将减少去除氮化物层的时间。

 温度对氮化物和氧化物蚀刻速率的影响

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本文着重研究了去除氮化物层和氧化物层的新技术,特别是在硅基板上的框架图案化方面氮化物和氧化物层被用作掩模,以便进行下一个过程,如稀释硅衬底形成一个膜或某些MEMS应用的膜或隔膜有一些技术可以用来快速去除氮化物,DRIE只需要2分钟来去除氮化物层,而不是4小时本文探讨了利用BOE湿式蚀刻工艺在最短时间内去除氮化物并给出最佳图案结构的技术将光刻胶AZP4620在氮化硅衬底上以500rpm旋转涂层10s和2500rpm旋转涂层20s,得到5µm厚的光刻胶层样品在120°C下软烤1分钟光刻胶AZP4620适用于湿蚀刻工艺,因为该光刻胶比AZ1500系列光刻胶形成非常薄的层。衬底在强度为2.4mW/cm2的紫外光下暴露90s根据光刻胶层的厚度和曝光能,计算出曝光时间。然后将样品浸入Az400K显影剂和1:3体积比的去离子水中,以形成图案2-4分钟然后,用去离子水冲洗样品,用氮气爆破干燥然后将样品在120°C下硬烘烤15分钟。

 

3显示了已经转移到硅衬板上的框架,2mmx2mm的方形框架已在基底上充分开发,并准备进行BOE湿蚀刻工艺,在框架形成图案后,可以研究温度对BOE蚀刻过程的影响。为此,首先将样品浸入室温下的BOE溶液中,如前所述,确保氮化物从样品框架表面完全去除需要4个小时,相比之下,在80°C下去除不需要的氮化物只需要10分钟,加热BOE溶液将减少去除氮化物所消耗的时间,并且制造过程在时间和框架结构方面变得更加高效。

如果BOE溶液进入光刻胶区域,则会发生过度蚀刻,较短的蚀刻时间将减少BOE溶液进入光刻胶区域的可能性,并保护框架结构的下一个湿蚀刻过程。该方法证明了BOE溶液中短浸渍时间可以保护图案结构,相反,在BOE溶液中长时间浸泡会使溶液进入光刻胶层,根据BOE溶液中不同样品浸渍时间的颜色变化温度已设置为80°C,以加速该过程结果表明,最初的紫色氮化物在浸泡5分钟后变为红色,然后在添加5分钟后最终变为银色,即硅色。氮化物层根据其厚度显示出不同的各种颜色。所以,图中的氮化物将在这个过程中慢慢显示这些颜色,因为它被蚀刻在25°C。

在第二个实验装置中,研究了在不同温度下去除氮化物层和氧化物层的蚀刻速率温度从40°C到90°C不等首先用含有氮化物层的样品浸泡3分钟然后用薄膜映射器F50薄膜度量法来测量氮化物层的厚度蚀刻速率与温度成正比。换句话说,蚀刻速率随温度的升高而增加

对于样品2,将硅预涂上6.607µm的氧化物层,并在薄膜映射器下验证其厚度实验设置是基于上述参数进行的根据图中氧化物蚀刻速率也与温度成正比值得注意的是,蚀刻速率在70°C时迅速增加与氮化物层相比,氧化物层的去除速度更快。例如,在BOE溶液中,可以在2分钟内去除200nm的氧化物层200nm的氮化物层需要4小时才能去除在实验结束时,结果表明,温度提高了蚀刻速率,从而减少了去除氮化物层和氧化物层所消耗的时间。此外,通过向BOE溶液提供更高的温度,也同样提高了构建掩模的框架结构。

验证了温度对去除氮化物层和氧化物层的影响较高的温度可以减少在蚀刻过程中所消耗的时间。此外,过度蚀刻的风险也降低了,因为时间会抑制BOE溶液进入光刻胶层两种温度水平的比较表明在室温下,BOE溶液需要4小时才能去除200nm的氮化物层与此同时,80°C的温度降低到只有9-10分钟左右结果证明,与传统技术相比,温度可以提高96%。因此,可以说,温度会在蚀刻过程的时间和框架结构上提高蚀刻过程的有效性。


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