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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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湿法清洗中去除硅片表面的颗粒

时间: 2022-03-26
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湿法清洗中去除硅片表面的颗粒

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用半导体制造中的清洗过程中使用的酸和碱溶液研究了硅片表面的颗粒去除。

在本文报道的研究中,基于颗粒吸附在晶片表面的机理,研究了去除吸附在水表面的颗粒的机理。在颗粒去除实验中,用湿法清洗工艺中使用的酸性和碱性溶液清洗了人工污染的单晶提拉法和FZ法晶片。已经证明,就颗粒去除效率而言,碱性溶液优于酸性溶液。据认为,由于碱性溶液中大多数颗粒的ζ电位为负,颗粒被晶片表面电排斥。

除了从胶体化学的角度进行研究之外,我们认为检查由碱性溶液引起的晶片表面腐蚀也是很重要的。为此,研究了腐蚀速率和微粒去除效率之间的关系。使用直拉和FZ晶片。此外,用聚苯乙烯乳胶球代表有机物,研究了在NH,OH-H2O,-H2O溶液中的氧化过程,以找出氧化程度与颗粒物去除率之间的关系。结果,它已经被显示应该将NH4 H-HOOK-H2O溶液中的NH,OH含量降低到常规水平的1 /20,以优化颗粒去除效率。本文的剩余部分将描述实验性pro-的细节cess和结果。

英寸CZ ( 1,0,0)晶片用于粒子吸附实验。自然氧化物首先在0。5 Y HF溶液。然后将晶片浸入各种接种有颗粒的溶液中10分钟,然后冲洗并干燥。在晶片表面形成自然氧化物后,在0.5的氢氟酸溶液中再次去除,然后清洗并干燥。

五英寸锆石(1。0.0)和四英寸FZ ( 1,0,0)晶片用于清洗实验以研究颗粒去除。使用以下污染源对晶片进行人工污染:对于典型的液相颗粒,在城市水中自然成浆的颗粒,对于典型的气相颗粒,在洁净室外部的环境大气中自然成浆的颗粒,直径为0.3 pm和1.0 qm的二氧化硅球作为典型的无机颗粒,直径为0.506 pm的聚苯乙烯乳胶球作为典型的有机颗粒。通过浸入含有上述颗粒之一的高酸性溶液中,晶片被污染。其他晶片由于暴露在洁净室外部的环境空气中而被污染。通过这些程序。将表面上具有总共5000-10000个缺陷的晶片准备用于清洗实验,这些缺陷被分类为雾度(< 0.5 μm)或颗粒(> 0.5 μm)。

在硫酸-氢氟酸溶液中,将晶片浸入5分钟。在所有其他溶液中,晶片被浸没10分钟。化学清洗后,用超纯水冲洗晶片十分钟。为了避免晶片干燥过程中的颗粒污染,在化学清洗过程中形成的天然氧化物在0.5到HF的溶液中被去除。重新后移动天然氧化物,再次用超纯水冲洗晶片10分钟。清洁效果通过颗粒去除效率来评估。通过计算清洗前后的颗粒数比率来评估颗粒去除效率。

使用Aeronca WlS-100晶片检测系统评估所有晶片上的颗粒数。WIS- 100将检测尺寸分为颗粒(> 0.5 qm)和雾度I < 0.5 pm)。实验前,WIS- 100用相对标准晶片校准。在实验之前,每瓶水的初始粒子数少于50。

上述实验程序是在湿站人工进行的。至于清洗槽的材料,HF清洗和超纯水冲洗使用PFA清洗槽,而其他化学清洗使用石英清洗槽。PFA载体用于将晶片浸入浴槽中,并将它们从一个浴槽运送到另一个浴槽。这些测试中使用的化学品都是ULSI级和低粒子浓度。

湿法清洗中去除硅片表面的颗粒

图 1

1显示了溶液pH值和吸附在水表面的颗粒数量之间的关系。将10至10体积的自来水加入到每种测试溶液中提翁。在酸性溶液中,用HCl和H2O 2或h2so 4调节溶液pH,用NH4OH和H2O 2或TMAH和H2O调节溶液pH;在碱性溶液中。在低pH值溶液中观察到最大的颗粒吸附,吸附的颗粒数量随着溶液pH值的增加而减少。图2还显示了众所周知的pH值对Fe,O3颗粒ζ电势的影响。可以看出图1两条曲线几乎完全吻合。据报道,晶片表面上吸附的SiOz球或聚苯乙烯乳胶球的数量随着溶液pH值的增加而减少,如所示图1.通常,在碱性溶液中,大多数颗粒的ζ电位被认为是负的。

此外,据报道,亲水性(覆盖有氧化膜)和疏水性(裸硅表面)晶片在水中都表现出负表面电荷。将这些观察结果与图1所示的结果联系起来,据信在碱性溶液中,晶片表面和颗粒的ζ电势都显示出负电荷。结果,晶片表面和颗粒被认为在碱性溶液中是电排斥的。这表明碱性溶液是有益的用于从晶片表面去除颗粒。B.晶片清洗高压碱性溶液RCA清洗方法[2]是一种主要的湿法硅晶片清洗方法,它采用nh4h-H2 2”H2O溶液作为碱性溶液。氨水-二H2O溶液通常采用1 : 1 : 5的混合比(氨水:HCO:氢)。图3显示了NH4 H-Hz z-H溶液中各种NH4OH含量与溶液pH值之间的关系。如图3所示,1∶1∶5溶液的pH值为

然而,图1和2所示的结果表明NH4OH-H2O ‖- H中的NH4OH含量;o如果溶液专门用于去除颗粒,则可以减少。

 湿法清洗中去除硅片表面的颗粒

2 pH值对离子氧化物pani c1e I Fe,O)zeta电位的影响


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