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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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SC-2的处理晶圆清洗工艺

时间: 2022-04-01
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SC-2的处理晶圆清洗工艺

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引言

生长亲水氧化层的硅晶片的预处理工艺包括使晶片与预清洗SC-1浴接触的初始步骤,从而产生高度无颗粒的硅晶片表面。在去离子水冲洗之后,用含水的含有氢氟酸和盐酸的溶液,用于去除晶片表面的含金属氧化物。为了生长亲水氧化层,使用SC-2浴(含有过氧化氢和稀释浓度的金属擦洗HCl)。在硅晶片表面上生成的亲水性李思氧化层使用组合的SC-1 HF/HCL SC-2晶片清洗工艺具有不大于1x10 '的金属浓度。


基于SC-2的预处理晶片清洗工艺

这是一种在热处理之前清洗硅晶片的新的改进方法,以便使影响少数载流子复合寿命的微粒、有机物和金属污染物的存在最小化。铸锭成晶片,然后研磨、蚀刻和抛光15晶片。基于电路器件制造商所需的规格,硅晶片也可以经受热处理,例如但不限于氧供体湮灭退火、控制氧沉淀的热处理、低温化学气相沉积(CVD)氧化、外延沉积和多晶硅沉积。

在这种热处理过程中,硅晶片通常暴露在至少约25℃的温度下持续至少约一秒钟。硅晶体材料,在那里它们可以降解大块硅少数载流子复合寿命。理想情况下,硅晶片在进行热处理时应该是无金属的。在许多应用中,硅35也是优选的要进行热处理的晶片由亲水氧化硅层钝化。不幸的是,与生长氧化硅亲水表面层的常规工艺相关的许多限制使得在小于1×10″结果,在热处理之前,硅晶片的表面氧化层通常被剥离。不幸的是,在热处理之前剥离这种氧化层并不是没有缺点,因为具有疏水表面层的硅晶片容易受到局部(金属)污染。

一个解决这个问题的建议,在Pirooz等人的美国专利。第5,516,730号的方法是首先将晶片浸入含有HCO和NH,OH的常规预清洁SC-1含水清洁溶液中,以除去有机污染物和颗粒,并形成污染物金属如铁、铜、金、镍、钴、锌和钙的可溶性络合物。为了去除络合的金属,将预清洗的硅晶片的表面置于氢氟酸(HF)水溶液流(其包含盐酸(HCI)酸以增强金属去除)中,随后冲洗HF和去离子水中盐酸处理的晶片。为了在其表面上生长亲水氧化层,漂洗过的晶片然后与臭氧水接触。然后将其上已经生长有氧化物层的臭氧化水处理过的晶片加热到至少约300℃的温度,持续至少约1秒钟。

尽管专利权人声称氧化物生长的晶片表面上的污染金属的浓度在退火/加热步骤开始时小于1×10-10原子/cm-1,臭氧化水的使用产生了几个问题,这些问题与在硅的无金属表面上形成亲水氧化物的目的相矛盾5晶圆。首先,在目前市场上可买到的臭氧发生设备中产生臭氧的过程中,污染物金属可能从硬件中浸出到臭氧化的水中。因此,不管在HF之后硅晶片表面的清洁程度如何臭氧(这往往是一种极具侵略性的相对于硅晶片表面的溶液)可以改变晶片的表面。因此,可以预期硅晶片表面将具有易于捕获臭氧化水中可能存在的污染金属的纹理。当氧化层开始生长时,这些少数载流子复合寿命抑制金属被固定或捕获在晶片表面,并最终在随后的热处理过程中被驱入体硅材料中。

根据本发明,通过避免使用臭氧,而代之以在SC-2浴(过氧化氢溶液,其也包含稀释浓度的金属擦洗HCl)中生长亲水性氧化物层,成功地解决了上述金属净化问题。在最初的SC-1清洗之后,使用HF/HCl浴浸泡,以便蚀刻掉或清除在SC-1清洗步骤中可能已经生长在晶片表面上的化学氧化物金属,从而产生高度疏水和无金属的硅晶片表面。

SC-2浴中的HCl用于减轻SC-2浴中HCO引起的化学氧化物生长过程中的金属污染。氧化物在其中生长的SC-2介质本身不是金属污染物的来源。使用本发明的组合SC-1 HF/HCL SC-2晶片清洗工艺在硅晶片表面上生长的所得亲水性氧化硅层具有不大于1×10-18原子cm*的金属浓度。测量表明,在热处理之后,少数载流子的扩散长度从500-600微米的范围增加到800-900微米的范围,或者P型硅提高了大约50%。

1.一种用于处理经受热处理的硅晶片的方法,所述热处理可能导致晶片表面上存在的污染金属被驱入硅晶片中,并降低体硅少数载流子复合寿命,所述方法包括以下步骤:

(a)将所述晶片与预清洁的SC-1含水清洁溶液接触,以除去有机污染物和颗粒,并形成所述污染物金属的可溶性络合物;

(b)将在步骤(a)中处理的硅晶片表面与含有氢氟酸和盐酸的水溶液接触,以从晶片表面去除含污染金属的氧化物,使所述硅晶片的所述表面不含氧化物;和

(c)将步骤(b)中处理的所述硅晶片的氢氟酸和盐酸处理的无氧化物表面与含有过氧化物和盐酸的无臭氧SC-2水溶液接触,以在硅晶片的无氧化物表面上生长亲水氧化物层。

2.根据权利要求1的方法,还包括以下步骤:

(d)将步骤(c)中处理的晶片加热到至少约300℃的温度,持续至少约1秒钟。

3.一种热处理硅晶片的方法,包括以下步骤:

(a)将硅晶片表面与含有氢氟酸和盐酸的水溶液接触,以从晶片表面去除金属,并使所述晶片表面不含氧化物;

(b)将在步骤(a)中处理的所述硅晶片的经氢氟酸和盐酸处理的无氧化物表面与含有过氧化物和盐酸的无臭氧水溶液接触,以在硅晶片的无氧化物表面上生长亲水性氧化物层,硅晶片表面上的铁、铬、钙、钛、钴、锰、锌和钒中每一种的浓度小于1×10-10原子/cm2;和

(c)将步骤(b)中处理过的晶片加热到至少约300℃的温度,持续至少约1秒钟。



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