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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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LED用GaAs抛光片清洗

时间: 2021-04-13
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1理论分析化合物半导体器件绝大多数都是采用外延层做有源层,单晶做衬底。影响晶片表面质量的抛光及抛光后表面的清洗处理成为影响外延质量的重要因素。高质量的免洗抛光片的表面应当具备以下要素:表面无颗粒、有机物、金属离子沾污;表面氧化层必须能够在高温处理下完全去除;抛光片表面去除氧化层后必须平坦均一。微粒往往被认为是表面污染源的点源,表面颗粒会引起图形缺陷、影响外延质量布线的完整性以及键合强度和表层质量。研究表明,当表面颗粒度小于10@013μm时,不会影响外延质量。金属离子沾污会破坏薄氧化层的完整性,增加漏电流密度,影响器件的稳定性,增加暗电流,造成结构缺陷或雾状缺陷。Cu、Au、Fe等重金属元素形成深能级而降低少数载流子的寿命,并产生晶格缺陷。因此,清除这些金属杂质是十分必要的。在晶片中,金属离子污染物个数必须被控制在1010/cm2甚至更少。表面有机沾污容易使外延片表面出现白斑,蜡和有机试剂是重要的污染源,因此表面去蜡和去除有机试剂必须彻底。尽管抛光片包装在惰性气氛下,但晶片表面自然氧化层早已在包装前形成。当外延生长温度加热到580℃以上时,GaAs晶片表面的自然氧化层便会自动分解去除。但当温度高于450℃时,由于As2O3的挥发,原来的Ga2O3和As2O3按化学计量比组成的混合物将变成纯净的Ga2O3。研究表明,在去除表面氧化层的过程中有挥发性的Ga2O的产生,反应过程为

LED用GaAs抛光片清洗  

当氧化层很薄时,氧化层与衬底交界面的反应很容易穿越表面使得Ga2O3的去除非常容易;但是当氧化层较厚时,反应仅发生在氧化层比较薄的地方,氧化层的去除将会不协调并在表面形成岛状。所以表面具有均匀的富As的薄氧化层非常必要。

2清洗过程分析

2.1清洗前准备晶片采用低温液体蜡(SKYLIQUIDGP3011AT2)进行粘片,通过化学机械抛光后,将晶片从陶瓷盘上取下装入洁净的白花篮中准备去蜡。

2.2背面蜡层去除去蜡通常采用有机溶剂浸泡溶解或专用去蜡水超声去蜡的方法。通常采用KILALACLEAN101去蜡水超声去蜡,但由于去蜡水本身的强碱性,As2O3和Ga2O3均为偏酸性两性氧化物,采用去蜡水去蜡后将会使晶片表面抛光后形成的氧化层溶解,使得抛光片表面的砷镓元素化学计量比发生偏移,改变表面的微观形貌。为了尽可能的保持晶片抛光后的表面状况,采用MOS级异丙醇超声去蜡。去蜡在通风橱内进行,采用超声波清洗机分3次超声去蜡,每次5min,温度控制在25~30℃。由于液体蜡在异丙醇中的溶解度很高,异丙醇为中性有机溶剂,又极易溶于水,相对于使用的液体蜡,是一种理想的去蜡剂。

2.3表面颗粒、残留有机物和沾污金属离子的去除兆声波清洗是湿法化学清洗的重要方法,极利于表面微粒的去除,兆声波清洗的机理是利用高能(850kHz)频振效应并结合化学清洗剂的化学反应对晶片进行清洗的。清洗时不形成超声波清洗那样的气泡,只以高速的流体连续冲击晶片表面,使晶片表面附着的污染物和微粒被强制除去并进入到清洗液中[1],兆声波清洗原理如图1所示。这种方法能同时起到机械擦片和化学清洗两种方法的作用。采用5种不同配比的溶液进行兆声清洗,溶液中均添加一定量的表面活性剂。工艺过程如表1所示。

LED用GaAs抛光片清洗  

LED用GaAs抛光片清洗  

1中所用试剂均为高纯试剂,NH4OH为氨水;H2O2为双氧水;KOH为40%氢氧化钾。

3测试结果分析311表面金属离子浓度测试通过全反射X荧光光谱(TXRF)对表面金属离子浓度进行测试,测试结果如表2所示(表中Natom为离子个数)。通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用,使有机物沾污变成水溶性的化合物,随去离子水的冲洗而被排除。由于溶液有强氧化性和络合性,能氧化Al、Fe、Mg等使其变成高价离子,然后进一步与碱作用,生成可溶性络合物随去离子水的冲洗而去除。但这种清洗很难完全去除Cu、Au等贵金属,必须采用电负性更强的盐酸或氢氟酸与双氧水混合溶液来去除。通过数据测试发现方案3的金属离子浓度总体较低。

LED用GaAs抛光片清洗  

3.2表面As/Ga比和表面粗糙度测试通过XPS对表面As/Ga原子物质的量浓度比进行测试并采用Tencor2AS2500台阶仪测试晶片表面粗糙度,结果如表3。

LED用GaAs抛光片清洗  

GaAs抛光片表面的自然氧化层主要由Ga2O3、As2O3、As2O5和As组成[2],As2O3、As2O5和Ga2O3均为偏酸性的两性氧化物,在碱性溶液中形成可溶性的亚砷酸盐、砷酸盐和镓酸盐,在酸性溶液中形成各自的盐溶液,其反应式为

H2O2→H2O+(O)(2)

2GaAs+6(O)→Ga2O3·As2O3(3)

Ga2O3·As2O3+12[H+]→2As3++2Ga3++6H2O(4)

As2O5+10[H+]→2As5++5H2O(5)

Ga2O3·As2O3+12[OH-]→2AsO3-3+2GaO3-3+6H2O(6)

s2O5+6OH-→2AsO3-4+3H2O(7)

LED用GaAs抛光片清洗  

5结语为了提高LED热阻测试精度,应根据功率电流来选择适当的测试电流,选择多点拟合出温度系数,精确控制和测量壳温,选择恰当的功率加热时间。本文根据实验室积累多年的热阻测试数据和统计结果,列出大功率LED稳态结到壳热阻的测试步骤,根据各个步骤的误差来源提出较准确的修正方法,并设计简单的试验来验证测试结果,希望能够为LED热阻测试标准提供参考。

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