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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻资讯

晶圆盒表面状态对氮气净化处理的影响

时间: 2016-03-23
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       半导体晶圆在晶圆厂的时间通常有80%以上花费在等待、运输与储存方面。在这些长时间的非处理时期,洁净室空气、结构材料和/或先前处理工序可能会对晶圆表面造成分子级污染。随着关键尺寸的持续缩小以及新技术/材料/处理方法的推出,设备对空气分子污染物(AMC)已经变得更加敏感。

惰性气体相对安定 氮气净化成新宠 
       惰性气体净化是一种提供化学洁净与稳定晶圆环境的技术。这种技术尤其有助于去除来自先前处理工序的逸散/残留气体,特别是腐蚀性气体。氧化、接触形式、酸蚀刻以及光刻都是首先需要这种技术能力的处理方法。铜互连与低-K电介质的面世进一步推动了这种需求。氧气与湿气的存在能够影响自然氧化层的发展,减少硅化物的厚度,进而提高表面电阻,生成微粒、引起腐蚀,并加速化学污染。 
       由于其高反应性以及和邻近水分子和/或其它化学物类形成氢键的可能性,湿气比氧气和大部分其它化学物类更难从晶圆环境中清除。惰性气体微环境也许是晶圆储存与运输的理想型解决方案,能够为对氧气及湿气敏感的产品或工序提供保护。C. Weibe、S. Abu-Zaid和H. Zhang发现持续用氮气进行晶圆盒净化能够长期显著减少硅表面的自然氧化层再生率。K. Keyhani、S. Abu-Zaid和H. Zhang则提出一种惰性气体幕墙法,以便有效净化向前端微环境开放的晶圆盒。 
       决定净化效率的参量包括吹气流率、形式、污染物的排放及其与系统表面的交互作用。总体而言,污染物的消耗率根据以下方程序计算:

  Vdc/dt = S + A - Uce (1)

       其中V代表系统容量,U代表吹气流率,c代表污染物的平均浓度,而ce 表示排放浓度。内部来源的污染率S是材料属性、污染物的局部浓度、几何因素以及热力环境(温度与压力等)的复杂函数。除了这些参量,周边污染物浓度ca 也是周边污染率A的决定因素,A代表排放中的渗漏以及反行扩散的影响。这两个量提供了给定吹气流率下的污染物极限(最低)水平。 

 

对症下药 直接切中导致湿气浓度升高的原因 
       经过惰性气体净化之后,晶圆盒内的湿气与氧气浓度因除气作用、解吸附作用、渗透以及泄漏而随时间提高。除气作用/解吸附作用是造成湿气浓度升高的主要原因,尤其是在短时期内。包括吸收(溶入聚合体)、扩散(透过聚合体扩散)以及解吸附作用(从聚合体蒸发)在内的分子渗透是相对缓慢的作用机制,仅在长期过程中才显得重要。这项研究以不同的晶圆/晶圆盒表面状态对氧气/水进入曲线进行了比较。在线性扩散范围内,渗透及泄漏导致分子浓度的指数表现随时间变化。 
  c = ca - c0EXP(-gt/V) (2)
       其中c 表示物类a的平均浓度,c0 表示其起始值,ca 表示周边环境的值,V是容器容积,而g代表泄漏率。为了使除气作用/解吸附作用以及不均匀性的影响降至最低,泄漏率应该取决于经过相对深层次净化后的充分扩展时间量程的进入曲线。 
       该氮气净化测试采用Asyst的300毫米SMIF-E-charger进行。这项测试采用了AMETEK氧气分析仪TM-1b进行氧气浓度测量,并采用一部PANAMETRICS系列35湿气监控仪测量局部水气浓度。晶圆盒内放置了24块晶圆,腾出顶部位置用于各项测试。在12号与13号晶圆之间抽取了空气样本用于测量氧气浓度,而湿气感应器就放置于晶圆区及晶圆盒入口之间。为评估晶圆与晶圆盒对净化及进入处理的表面影响,测试采用了干式与湿式晶圆与晶圆盒环境。 
       为模拟湿式晶圆与晶圆盒环境,测试前晶圆已由Eclipse 300系统进行清洁。标准的SC-1清洁处理耗时约40分钟。在测试前夜,晶圆盒被放置于晶圆厂环境中(40% RH)。为模拟干式晶圆与晶圆盒环境,测试前内置有24个晶圆的晶圆盒以15 LPM的吹气流率进行了连续3个小时的净化。表1列举了测试环境,每项净化测试使用了多达300升氮气。经过各项净化测试之后,晶圆盒被置于开孔工作台上方约1英吋处长达两个小时,而在进入测试期间(无氮气流)对氧气与湿气浓度也进行了测量。 
  
实验结果讨论 
       表2列举了测试过程中的氧气与湿气浓度。测试表明晶圆盒内的氧气浓度在净化与进入处理期间几乎与晶圆和晶圆盒表面状态无关。关闭氮气流后,氧气浓度在两个小时内可从100 ppm 上升至3.2%(32,000 ppm)。氧气每分钟平均进入率约为0.027%。另一方面,晶圆/晶圆盒表面状态显著影响了湿气净化与进入处理。对于湿式晶圆/晶圆盒而言,快速净化后的湿气水平约为3%RH。在氮气流关闭两个小时后,湿气浓度上升至30%。对于干式晶圆/晶圆盒而言,快速净化后的湿气浓度约降至1.7%RH。在氮气流关闭两个小时后,湿气浓度回升至18%。 
       水分子与固体表面的相互作用很强。因而可预测,经由通气过滤器发生的泄漏与其它机制相比,尤其是与湿气除气作用/解吸附作用相比,显得无足轻重,却是水气回升的最重要因素。该预测被本文所列的实验结果所证实。 
       另一方面,氧气分子更易于透过进/出气阀上的过滤器而扩散。对氧气而言,泄漏率是进入处理的主要作用因素。因此,泄漏结果导致分子浓度的指数表现随时间变化。本文中,泄漏与进入曲线支持方程式2中的经验指数。对于一个确定的净化系统,其泄漏率也已确定。经过两个小时的进入测试,所有6个测试案中的氧气浓度均处在3.1%~3.4%之间。由此可推导以下结论: 
       ●晶圆盒内的氧气浓度在净化与进入处理过程中几乎与晶圆/晶圆盒表面状态无关。 
       ●晶圆/晶圆盒表面状态对湿气净化及进入处理的影响显著。 
       ●晶圆/晶圆盒的表面状态越干燥,晶圆盒内就能够实现越低的湿气浓度并在净化与进入过程中得以保持。 
       ●湿气除气作用/解吸附作用在水汽回升中起主要作用大。 
       ●氧气进入显示分子浓度的指数表现随时间变化。


  

 

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