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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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半导体工艺-光刻(Lithography)——华林科纳CSE

时间: 2016-07-25
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 微信截图_20160725151634.png

光刻的作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构,它对集成电路图形结构的形成,如各层薄膜的图形及掺杂区域等,均起着决定性的作用。

 

光刻的基本流程:前处理——涂胶——对版曝光——显影——显影检查——后烘——腐蚀——腐蚀检查——去胶——检验归批。

前处理

硅片容易吸附潮气到它的表面,硅片暴露在潮气中叫做亲水性。对于光刻胶的粘附性,具有干燥成疏水性的硅片表面非常重要,所以在成底膜和光刻胶旋涂前要进行脱水烘焙。典型的烘焙是在传统的充满惰性气体(如氮气)的烘箱或者真空烘箱中完成,实际的烘焙温度是可变的,常用的温度是200250℃。

脱水后的硅片马上要用OAP (常用HMDS溶液:六甲基二硅胺烷)成底膜进行表面处理,它起到提高粘附力的作用。在硅片成底膜操作后尽快涂胶,使潮气问题达到最小化。成底膜的方法有:

1、滴浸润液和旋涂:温度和用量容易控制,但系统需要排液和排气装置,HMDS溶液消耗量大。

2、喷雾分滴和旋转:优点是喷雾有助于硅片上颗粒的去除,缺点是处理时间长和HMDS消耗大。

3、气相成底膜和脱水烘焙:最常用,气相成底膜一般200250℃下约30S完成。优点是由于没有与硅片接触减少了来自液体HMDS颗粒沾污的可能,HMDS的消耗量也小。一种方法是先进行脱水烘焙,再将单个硅片置于热板上通过热传导熏蒸形成底膜,这种方法优点是硅片由里向外烘焙,低缺陷密度,均匀加热和可重复性。另一种方法是以氮气携带HMDS气体进入真空腔。

 

OAP处理主要是为了改善亲水性表面如二氧化硅表面等,Al淀积后的表面是疏水性,不需进行OAP处理。所以,对于未淀积金属的硅片表面光刻前需要通入HMDS气体,而淀积金属后只进行烘焙,工艺温度一般为(145±10)℃,10min左右,具体时间视产品而定。

 

涂胶

光刻胶一般有两种:正性光刻胶和负性光刻胶。正胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应,可溶于显影液,未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面,它一般适合做长条形状;负胶的未感光部分溶于显影液中,而感光部分显影后仍然留在基片表面,它一般适合做窗口结构,如接触孔、焊盘等。

光刻胶对大部分可见光敏感,对黄光不敏感。因此光刻通常在黄光室内进行。

 

涂胶是在涂胶机上进行(非真空),我们华林科纳有生产涂胶机,目前采用的光刻胶的粘度主要有有3060100mPas以及PW-1500等,一到四次光刻光刻胶一般采用负胶,类型有OMR 83环化光刻胶、HTR-80环化光刻胶、HTR 3-50HTR 3-100光刻胶等,而钝化层光刻采用聚酰亚胺光刻胶,它是正胶(也有部分聚酰亚胺负胶,但是很少用),涂胶的具体步骤为:

1、上料;

2、传送;

3、预旋转:硅片旋转甩掉表面的脏物;

4、停止旋转,滴胶;

5、推胶:硅片旋转将胶慢慢涂布满整个硅片的表面;

6、匀胶:将将胶涂匀在表面,光刻胶粘度越大,转速越高,这样得到的膜更均匀;

7、甩胶:硅片旋转将多余的胶甩在残胶回收器中;

8、背喷:在甩胶过程中,光刻胶可能会溅射到回收器壁上后回弹至硅片背面,从而使得背面沾上光刻胶,而使得沾胶处的二氧化硅在后续喷砂减薄工序中不能去除(但是磨片减薄可以去除),从而使得硅片背面不平整(有黑点),为此在甩胶后从硅片背面喷出显影液将胶去除;

9、前烘(软烘):

目的是将光刻胶的溶剂去除,增强光刻胶的粘附性以便显影时光刻胶能很好粘附,防止光刻胶沾到设备上,缓和在旋转过程中光刻胶薄膜内产生的应力,改善光刻胶的均匀性、抗蚀性,优化光刻胶的光吸收特性等。

前烘温度和时间视光刻胶和工艺条件而定。温度一般控制在120℃左右,时间根据光刻胶种类和厚度不同而变化,通常在20-60S

光刻胶粘度越大,烘烤温度越高;为了提高产能,减少硅片的等待时间,SVG 8000有两个热板,可以同时加热。

前烘时间过长或温度过高,显影后容易产生底膜现象;前烘时间过短或者温度过低,显影后容易产生脱胶现象。

10、下料。

 

对版曝光

光刻室黄光为安全光,曝光是利用曝光机进行,一般采用接触式曝光,又分为硬接触(真空状态下接触)和软接触(半真空状态下接触),一般采用软接触,掩膜版的铬膜朝下,和硅片接触。对于首次光刻的硅片,只要硅片在掩膜版的图形范围内就可以自动对版光刻,而以后的光刻必须手动对版曝光,曝光时间根据产品和选择的胶来确定,一般在6S左右,曝光光源常用高压汞灯发出的紫外光(紫外曝光),曝光时间根据胶的粘度来确定,粘度越大,曝光时间越长。

 

显影(去胶机)

显影机清洗机(去胶机)上进行,显影的具体步骤为:

1、上料旋转;

2、显影:环化光刻胶利用环化胶显影液显影,而聚酰亚胺利用聚酰亚胺显影液显影;

3、漂洗:利用环化胶漂洗液进行漂洗,聚酰亚胺利用异丙醇漂洗;

4、下料。

 

显影后检查

1、窗口内无残留SiO2残留、无氧化物小岛、无过腐蚀、无染色现象、氧化膜无腐蚀针孔、氧化膜无划伤等;

2、无连铝、铝过腐蚀、铝条间残铝、铝条不过细、铝条氧化、铝条变色(灰、黑、黄)等现象;

3、无残胶、残液、残迹,窗口无二氧化硅或铝残留等;

4、掩膜版对版时位置准确,没有倾斜、错版、错位、反向等,掩膜版要与硅片接触。

 

后烘坚膜

在通有N2的烘箱中烘烤坚膜,负胶的坚膜温度一般为(140-150)℃左右,负胶的坚膜时间在40min左右。聚酰亚胺胶的固化温度大约为250-300℃,固化5小时左右。

坚膜时间太长,光刻胶会流动,破坏图形;坚膜时间太短,溶剂没有完全蒸发,胶与硅片的粘附性差,腐蚀时会出现脱胶,导致圆片报废。

 

聚酰亚胺(PIQ)是一种高温环链高分子聚合物,它热稳定性好,热膨胀系数小,台阶覆盖性、抗辐射性好,并且具有耐各种有机溶剂的优良化学特性,绝缘性好,有负电效应,电学、微电子学性能优良,因此常用作表面钝化。

PIQ具有感光性,使用方法就像光刻涂胶一样,用涂胶机均匀地将聚酰亚胺液涂敷于待钝化的硅片上,再在高温下使之转变为聚酰亚胺,这一加温处理过程称为亚胺化。亚胺化过程很有讲究,如果亚胺化温度低,则会有较多的聚酰胺酸未转变为亚胺结构,降低了绝缘性能;如果温度升的太快,溶剂挥发过急,就容易产生气泡,使薄膜粘附不牢。

正性聚酰亚胺胶(PW-1500)是红色粘稠液态物质,经过曝光显影后变成金黄色或黄色。它一般采用手动显影,在常温下的正胶显影液浸泡50-60S,并且用N2鼓泡,然后用纯水冲洗干净甩干。

聚酰亚胺光刻胶用HDK-2型等离子刻蚀去胶机去胶,在去胶机内通入O2,刻蚀气体是CF4

聚酰亚胺光刻返工:如果聚酰亚胺曝光显影后未坚膜,发现异常需要返工的话可以将圆片钝化层全部曝光后再显影去除聚酰亚胺;如果聚酰亚胺坚膜固化后,显影不能除去,需要放入HDK-2型等离子刻蚀去胶机中用O2CF4将固化的聚酰亚胺干法刻蚀去除。


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