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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻资讯

薄膜沉积

时间: 2021-02-25
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用于制造微电子器件的薄膜都是使用某种沉积技术形成的,该术语是指在基板上形成沉积物。在半导体器件制造中,以下沉积技术(及其常用的缩写)为:

 

低压化学气相沉积-LPCVD

等离子体增强化学气相沉积-PECVD

低于大气压的化学气相沉积-SACVD

大气压化学气相沉积-APCVD

原子层沉积-ALD

物理气相沉积-PVD

超高真空化学气相沉积-UHV-CVD

类金刚石碳-DLC

商业电影-CF

外延沉积-Epi

化学气相沉积和薄膜形成

化学气相沉积法可以定义为其中通过气相吸附的前体的表面介导反应在基材上形成固体薄膜的任何方法。CVD工艺的反应性使其与物理工艺(如PVD中采用的蒸发和溅射)区别开来。术语“表面介导的”是指固体膜是由在基材表面发生的异质反应形成的。有关其他信息,请参见 化学气相沉积物理。

薄膜沉积 

1显示了有助于理解CVD反应器中不同过程的示意图。化学气相沉积过程可分为多个离散步骤:首先,必须将前体化学物质送入CVD反应器。一旦进入反应器,通常必须通过流体传输和扩散的组合将前体分子传输到基底表面。一旦在表面上,前体分子必须保持足够长的时间才能反应。反应发生后,产物薄膜原子必须保留在表面上,而副产物分子必须从基材表面解吸,从而为更多的传入前体分子腾出空间。

典型的CVD工艺薄膜

CVD工艺生产的典型薄膜包括:

 

外延硅

外延化合物半导体

多晶硅

介电薄膜

二氧化硅(包括PB掺杂的氧化物)

氧化铝

低介电常数(SiO-FDLC,非晶CF

氮化硅

氮化钛

氮化钽

过渡金属氧化物(即TiO 2ZrO 2Hf 2 O 5Ta 2 O 5

金属(AlWCu

硅化物(WSixCoSix

低压化学气相沉积(LPCVD

LPCVD沉积系统通常在0.110托的压力下运行。已用于LPCVD薄膜工艺的反应器配置包括电阻加热管式热壁反应器,垂直流间歇反应器和单晶片反应器。由于晶圆处理,有效的颗粒和工艺控制以及工艺集成方面的优势,现代晶圆厂已大量迁移到将单个晶圆簇工具用于CVD和其他处理需求。有关其他信息,请参见低压化学气相沉积系统。

薄膜沉积 

等离子体增强化学气相沉积(PECVD

等离子增强型CVD系统与LPCVD系统一样,最初是批处理机,一次最多可装载100个晶片。使用PECVDLPCVD相比,所寻求的关键优势在于能够在保持或提高沉积速率的同时降低工艺温度。随着器件的几何尺寸越来越小,限制温度持续时间对于保持已部分制造的器件上已经存在的组件的材料特性和电气特性变得更加重要。随着PECVD工艺的成熟,其他优势,例如操纵薄膜材料的能力和构象特性也变得显而易见。PECVD处理的早期商业配置是从当时的LPCVD技术衍生而来的,PECVD处理是在真空(2-10托)的热壁管反应器环境中进行的(图3)。等离子增强化学气相沉积系统,了解更多信息。

薄膜沉积 

低于大气压的化学气相沉积(SACVD

SACVD设备的主要应用是在TEOS /臭氧二氧化硅CVD工艺中。TEOS / O 3工艺满足了用于ULSI的层间介电工艺中缩短温度时间的需求。另外,TEOS / O3具有优于其他二氧化硅薄膜沉积工艺的自平坦特性。

原子层沉积(ALD

原子层沉积与LPCVD相似,不同之处在于化学过程分为可分离不同吸附步骤和反应步骤以进行自限反应的步骤。该方法采用依次通过处理室的前驱物和反应物的独立脉冲。图4说明了ALD过程。在将衬底置于处理室中并在高真空下的情况下,将初始前体引入到处理室中。前体的分子特征是,它将在基材表面上形成化学键合的单分子层(步骤1)。单层以外的任何层都仅受足够弱的物理吸附力约束,以至于在高真空下可以将除单层中的前驱物以外的任何前驱物抽走。一旦单分子层存在于基材上,将腔室重新排空并吹扫以去除任何多余的前体(步骤2)。接下来,将反应物引入处理室(步骤3)。它与单层材料反应,在基材表面上形成所需化合物(步骤4)。该反应的副产物被抽走。看到原子层沉积以获取更多信息。

薄膜沉积 

物理气相沉积(PVD

物理气相沉积(PVD)工艺通过使用物理工艺(例如蒸发或溅射)来沉积薄膜。这些工艺在高温/高真空或等离子体下从固体源蒸发材料,并将材料重新沉积在基板表面上。热蒸发和溅射是PVD的主要方法。热蒸发通过在真空中加热来蒸发源材料,而溅射使用等离子体产生离子轰击(通常是氩离子),从而从源材料中产生蒸汽。可以通过PVD沉积的膜包括大多数金属和介电材料。

薄膜沉积产品

前体交付产品(ALD除外)

基于热和压力的质量流量控制器(MFC)和仪表(MFM)旨在满足各种加工应用。大多数MKS质量流量控制和计量产品都提供带有嵌入式Modbus和以太网用户界面的模拟(0-5 VDC4-20 mA)和数字(DevicenetProfibusEtherCATRS485I / O

臭氧气体输送产品适用于多种目的,包括TEOS / O 3 SACVD。它们结合了经过现场验证的高浓度超净臭氧发生技术,以及集成的臭氧浓度监测器,流量控制和功率分配。在某些型号上提供安全监视器,状态指示器和臭氧破坏功能。


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