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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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超临界CO2清洗技术

时间: 2021-02-26
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清洗是工业生产必不可少的环节,目前工业清洗主要采用有机溶剂清洗和水溶液清洗。有机溶剂以挥发性溶剂(VOC)和含卤素的氯氟烂(CFC)溶剂为主,每年全世界要用几百万吨,由此引起对臭氧层的破坏、对大气环境的污染非常严重。1987年世界各国签署的蒙特利尔公约已经规定了这类溶剂的禁用日程表。水溶液清洗需要复杂的表面活性剂配方,干燥时间长,处理的金属易于生锈,而且会形成二次污染,也必然要增加设备和处理费用。因此,研究开发环境友好的清洗剂和清洗方法成为当务之急。

超临界CO2(SCCO2)是一种可以代替VOCCFC的清洗剂,具有一定的优点。SCCO2对有机物有一定的溶解能力,清洗过程中对各种清洗材料性能稳定,粘度低和扩散性高,表面张力低,润湿性良好,极易渗入待清洗材料内部,可有效去除死区的污垢,清洗后无需干燥,无残留。

1 超临界流体的特性

超临界流体是指物质的温度和压力分别处在其临界温度和临界压力之上时的一种特殊的流体状态。超临界流体的密度为气体的数百倍,接近于液体,粘度接近于气体,扩散系数大约为气体的1%,而较液体大数百倍。一般来讲,超临界流体的密度越大,其溶解度就越大。在恒温下,超临界流体中物质的溶解度随压力升高而增大。将温度和压力适当变化,可使溶解度在102~103倍的范围内变化。超临界流体的这一特性,会产生两种十分有利的应用效果:一方面,目标物(如要清除的污染物等)会最大限度地溶解于超临界流体中,提高操作效率;另一方面,通过适当的减压和(或)降温,就会很容易地使目标物和超临界流体分离。此外,超临界流体具有接近气体的流动和传递特性,使目标物在超临界流体中的分配迁移进行得很快,从而加速过程的进行,提高生产效率。

超临界二氧化碳(Supercritical carbon dioxide,SCCO2)是指处于临界压力(7.38MFa)和临界温度(31.1℃)以上的CO2。超临界CO2的动力学性质与气态CO2相似,具有粘度低、表面张力小和对溶解对象的传输速率大等特点,同时,SCCO2分子之间的距离和分子相互作用特性又与液态CO2相近,密度与液态CO2相当,对材料表面的有机污物和一些无机污物具有较强的溶解能力。

2 超临界CO2清洗工艺

超临界CO2清洗工艺流程分间歇式和半连续式两种,图1和图2是其基本工艺流程。该流程中的主体设备清洗罐是一个高压设备,其操作压力一般为10~25 MPa,其操作温度一般在40~80℃。清洗罐顶盖被设计成快开结构,便于拆装;被清洗件通常装在一个料筐中,通过顶盖放入清洗罐中。在间歇操作(1)中,从CO2储罐中流出的液体CO2通过高压泵和加热器使其压力和温度达到规定的操作压力和操作温度,成为超临界流体(压力>7.38 MPa,温度>31.1C),然后进入清洗罐。超临界CO2与清洗罐料筐中的被清洗物件充分接触,被清洗件表面的污染物通过超临界CO2渗透、溶解等作用被剥离,超临界CO2与污染物的混合物通过减压阀适当减压后,在分离罐中进行分离。减压分离出的纯气体CO2经冷却器冷凝成液体CO2后,进入高压泵入口循环使用,污染物从分离罐底部排出。该流程在装卸被清洗件时系统要暂停操作,因此称为间歇式操作。在半连续式操作流程(图2)中,增设了一个清洗罐。打开阀1和阀3,关闭阀2和阀4,则清洗罐1处于清洗操作状态,而对清洗罐2可进行卸料、装料操作。同样打开阀2和阀4,关闭阀1和阀3,则清洗罐2处于清洗操作状态,而对清洗罐1可进行卸料、装料操作。这样反复交替地进行,系统整体操作是连续的,而每个清洗罐是间歇的,因此称之为半连续式操作。

超临界CO2清洗技术 

超临界CO2清洗的一个主要特点是清洗和干燥操作合二为一,一步完成。在清洗操作结束前,用新鲜的超临界CO2置换一下清洗罐,就可获得干燥、清洁的被清洗件。为了增强超临界CO2对极性分子的溶解度,改进清洗效果,往往要在清洗罐中添加少量助溶剂,由于这些助溶剂能完全溶于超临界CO2中,因此在清洗结束后不会在被清洗件中有任何残留。在颗粒污染情况下,为了增强清洗效果,往往要辅助一些机械(如振动、搅动等)作用。由于超临,界CO2清洗操作的温度一般不很高,故很适合于热敏性物件的清洗。对于压敏性物件,由于清洗操作是在高压力下进行(一般大于10MPa),在清洗结束时一定要注意降压速率,使清洗罐中的压力缓慢降至常压。

3 超临界CO2清洗的应用

杨海鸿、杨基础等[2]研究了用超临界二氧化碳(SCCO2)对不同材质、形状与结构的近20种物件上不同污垢的清洗,初步结果表明,除了某些高分子聚合物基体会在SCCO2中发生形变外,SCCO2可用于对金属、改性聚合物、玻璃类物件的清洗,没有变形。对于非极性污垢,清洗效率可达80%以上,但对于极性较强的污垢,SCCO2,不能达到满意效果。物件的结构形状对清洗影响很大,有死角、暗孔、多孔结构的物件清洗较为困难。对于平板材料,SCCO2的清洗效率可达到工业清洗标准。提高温度和压力有利于清洗。杨维才、张广丰等[3]开展了超临界二氧化碳对轴样品的清洗实验.探讨了超临界二氧化碳对袖样品表面常见机械加工残留物的清洗效果,同时对经超临界二氧化碳浸泡的轴样品表面化学成分及相结构也进行了分析。清洗实验结果表明,超临界二氧化碳流体对水和机油有一定的溶解能力,具有较好的清洗效果,但对三乙醇胺的溶解能力较差,几乎不溶解。对三乙醇胺可通过向超临界二氧化碳引入超声波的方法来有效清除。轴表面分析结果显示,清洗后的轴表面只有UUO2相。Kirchofr'4介绍了用超临界CO2代替四氯乙烯洗涤衣物的情况,超临界CO2是对织物友好的且高效的溶剂,用超临界CO2也可洗涤皮革、绒面革等,而传统的干洗是不能洗涤皮革、绒面笔的。超临界CO2清洗也可适用于电子、计算机领域超临界CO,用于光刻胶剥离时,常常要在其中加入少量助溶剂,例如碳酸丙烯酯、二甲基亚枫、乙酰丙副、乙酸等,还可能加人少量胶类。其清洗机理一般认为是,超临界CO2渗透于光刻胶中,将其膨胀和塑性化,助溶剂起到了降解作用,降低其分子量,增加其在超临界CO2中的溶解度。超临界CO2对非极性有机化合物有极强的溶解能力,它能有效地去除硅片上的油脂和手指痕迹。超临界CO,清洗后没有任何残留,而且不像水溶剂清洗那样会使基片表面羟基化。对硅片表面微粒清洗的动力学研究表明,良好的清洗效果取决于剪切力、高压和微粒的溶解。

超临界CO,清洗与其他溶剂清洗相比,由于需要高压系统,故其设备投资费用较高,但由于能量及溶剂消耗显著下降,尤其是简化了溶剂的分离和后处理工序,使操作费用明显下降。超临界CO2清洗在技术、经济和环保等方面都具有优越性,如对污染物去除效率高、溶剂和能量消耗低、工艺中无有机溶剂的挥发、不涉及有毒和易燃溶剂,无需干燥和溶剂后处理工序、CO2的简单而低成本的循环使用和不产生溶剂废液和废水等,充分展示了其广阔的发展前景。


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