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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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时间: 2021-03-01
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半导体制造在很大程度上是一种与化学有关的工艺过程,高达20%工艺步骤是清洗和晶圆表面的处理:

我们习惯将硅片制造中使用的化学材料称为工艺用化学品,有不同种类的化学形态(液态和气态)并且要严格控制纯度。这些工艺用化学品主要作用如下:

用湿法化学溶液和超纯水清洗硅片表面;

用高能离子对硅片进行掺杂得到P型或N型硅材料;

淀积不同的金属导体层及导体层之间必要的介质层;

生成薄的SiO2层作为MOS器件主要栅极介质材料;

用等离子体增强刻蚀或湿法试剂,有选择的去除材料,并在薄膜上形成所需要的图形;

液态高纯试剂,其等级根据纯度分为UP-S、UP、EL三个等级,其中EL又划分为:

电子级1级(EL-Ⅰ)其金属杂质含量为100--1000 PPb,相当SEMI C1 C2标准;

电子级2级(EL-Ⅱ)其金属杂质含量为10--100 PPb,,相当SEMI C7标准;

电子级3级(EL-Ⅲ)其金属杂质含量为1--10 PPb,相当SEMI C7标准;

电子级4级(EL-Ⅳ)其金属杂质含量为0.1--1PPb,相当SEMI C8标准;

1.液态化学品

   在半导体制造的湿法工艺步骤中使用了许多种液态化学品。在硅片加工厂减少使用化学品是长期的努力。许多液体化学品都是非常危险的,需要特殊处理和销毁手段。另外,化学品的残余不仅会沾污硅片,还会产生蒸气通过空气扩散后沉淀在硅片表面。

在硅片加工厂液态工艺用化学品主要有以下几类:酸、碱、溶剂

①酸

    以下是一些在硅片加工中常用的酸及其用途:

   a.HF   刻蚀二氧化硅及清洗石英器皿

   b.HCL 湿法清洗化学品,2号标准液一部分

   c.H2SO4      清洗硅片

   d.H3PO4  刻蚀氮化硅

   e.HNO3      刻蚀PSG

②碱

  在半导体制造中通常使用的碱性物质

  a.NaOH     湿法刻蚀

  b.NH4OH  清洗剂

  c.KOH    正性光刻胶显影剂

  d.TMAH(氢氧化四甲基铵)   同上

③溶剂:是一种能够溶解其他物质形成溶液的物质。

   半导体制造中常用的溶剂:

   a.去离子水     清洗剂

   b.异丙醇         同上

   c.三氯乙烯      同上

   d.丙酮             同上

   e.二甲苯          同上

去离子水:它里面没有任何导电的离子,PH值为7,是中性的。能够溶解其他物质,包括许多离子化合物和共价化合物。通过克服离子间离子键使离子分离,然后包围离子,最后扩散到液体中。

   半导体工厂消耗大量的酸、碱、溶剂和水,为达到精确和洁净的工艺,需要非常高的品质和特殊反应机理。

部分工艺过程简述如下:

一、NH4OH/H2O2/H2O (SC-1):

利用氨水的弱碱性活化硅晶圆及微粒子表面,使晶圆表面与微粒子间产生相互排斥;双氧水具有氧化晶圆表面的作用,然后氨水对SiO2进行微刻蚀,去除颗粒;

氨水与部分过度金属离子形成可溶性络合物,去除金属不溶物;

NH4OH:H2O2:H2O=0.05~1:1:5

二、HCl/H2O2/H2O(SC2):

利用双氧水氧化污染的金属,而盐酸与金属离子生成可溶性的氯化物而溶解。

HCl:H2O2:H2O=1:1:6,在70度下进行5~10分钟的清洗;

三、H2SO4/H2O2(Piranha Clean, Caro Clean):

利用硫酸及双氧水的强氧化性和脱水性破坏有机物的碳氢键,去除有机不纯物。

四、H2SO4:H2O2=2~4:1,在130度高温下进行10~15分钟的浸泡

五、HF/H2O(DHF)或HF NH4F/H2O(BHF):

 清除硅晶圆表面自然生成的氧化层,通常使用稀释后的氢氟酸(0.49%~2%)或以氢氟酸和氟化铵生成的缓冲溶液;

HF:NH4F=1:200~400,在室温下进行15~30秒的反应;

六、光阻-树脂、感光剂、溶剂,光阻稀释液-PGMEA PGME,清除晶圆残余光阻。

七、显影剂-TMAH TEAH;

八、二氧化硅层蚀刻—采用HF及NH4F的缓冲溶液。

九、多晶硅层蚀刻—采用HF、CH3COOH 、HNO3、三种成分的混合液;

十、氮化硅层蚀刻—采用85%H3PO4在160~170度高温下进行蚀刻;

十一、铝导线蚀刻—采用己硝酸、磷酸及醋酸等多种无机酸混合液;

十二、研磨液(slurry)

界电层平坦化研磨液—溶有硅土(Silica,SiO2)的KOH或NH4OH溶液;

金属层平坦化研磨液—溶有矾土(Al2O3)的Fe(NO3)3或H2O2溶液;

十三、研磨后清洗液

13.1使用稀释的氨水去除研磨后残留的粒子

13.2使用氢氟酸去除微量的金属污染物

在铜制程中,一般不使用无机的酸碱,通常使用化学性质较为温和的有机酸或有机碱,在添加一定的活性剂和獒合剂。

某厂务系统供应化学品如下表所示:

2.气态化学品

      在半导体制造过程中,全部大约450道工艺中大概使用了50种不同种类的气体。由于不断有新的材料比如铜金属互连技术被引入到半导体制造过程中,所以气体的种类和数量是不断发生变化的,通常分为两类:通用气体和特种气体

所有气体都要求有极高的纯度:通用气体控制在7个9以上的纯度;特种气体则要控制在4个9以上的纯度。

许多工艺气体都具有剧毒性、腐蚀性、活性和自燃。因此,在硅片厂气体是通过气体配送(BGD)系统以安全、清洁和精确的方式输送到不同的工艺站点。

通用气体:对气体供应商来说就是相对简单的气体。被存放在硅片制造厂外面大型存储罐里,常分为惰性、还原性和氧化性三种气体。

   ①惰性   N2,Ar,He

   ②还原性  H2

   ③氧化性  O2

特种气体:指供应量相对较少的气体。比通用气体更危险,是制造中所必须的材料来源,大多数是有害的,如HCL和CL2具有腐蚀性,硅烷会发生自燃,砷化氢和磷化氢有毒,WF6具有极高的活性。

   通常气体公司(如林德、法液空、AP,普莱克斯、大阳日酸等)用金属容器(钢瓶)运送到硅片厂,钢瓶放在专用的储藏室内。

特种气体的分类:氢化物、氟化物或酸性气体。

常用特种气体有:

①氢化物 SiH4   气相淀积工艺的硅源

                AsH3  掺杂的砷源

                 PH3    掺杂的磷源

                 B2H6   掺杂的硼源

②氟化物   NF3,C2F4,CF4  等离子刻蚀工艺的氟离子源

                 WF6        金属淀积工艺中的钨源

                 SiF4     淀积、注入、刻蚀工艺硅和氟离子源

③酸性气体ClF3  工艺腔体清洁气体

                     BF3 ,BCl3 掺杂的硼源

                     Cl2    金属刻蚀中氯的来源

④其他   HCL    工艺腔体清洁气体和去污剂

              NH3    工艺气体

              CO      刻蚀工艺中


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