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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻资讯

滤光片表面处理方法

时间: 2021-03-02
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背景技术

滤光片可以用来选取所需要辐射的波段,从而广泛应用于相机等光学仪器。滤光片在组装时,需要使用UV胶将滤光片粘在镜座上。操作时,先在滤光片表面点胶,胶水固化后即可将滤光片固定至镜座。然而,由于胶水在镜片的表面扩散较快,胶水在固化前会溢出到滤光片的有效区域,从而影响成像质量。

基于此,有必要提供一种可防止滤光片溢胶的滤光片表面处理方法。

一种滤光片表面处理方法,包括以下步骤:将滤光片放入含有增稠剂和无机盐的清洗液中浸泡;使用甩干机甩干所述滤光片,其中,所述增稠剂选自OES液体增稠剂、瓜胶、阿拉伯胶及聚丙烯酸钠中的至少一种,所述无机盐选自氯化钠、氯化钾、氯化镁及氯化钙中的至少一种。

在其中一个实施例中,所述清洗液中所述增稠剂的质量浓度为30mg/L~500mg/L,所述无机盐的质量浓度为10mg/L~100mg/L

在其中一个实施例中,所述清洗液中还含有表面活性剂。

在其中一个实施例中,所述清洗液中还含有阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂。

在其中一个实施例中,所述阴离子表面活性剂为烷基磺酸钠或脂肪醇硫硫酸纳。

在其中一个实施例中,所述清洗液由含有增稠剂和无机盐的洗洁精与水混合形成,其中,所述水与所述洗洁精的体积比为1000:1.5~1000:1

在其中一个实施例中,所述甩干机的转速为35/~50/秒。

在其中一个实施例中,所述滤光片表面处理方法还包括步骤:在将滤光片放入有增稠剂和无机盐的清洗液中浸泡之前先对滤光片进行预处理以除去滤光片表面的污染物。

在其中一个实施例中,对所述滤光片进行预处理时使用纯水清洗所述滤光片。

在其中一个实施例中,对所述滤光片进行预处理时包括步骤:使用含有阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂的水基清洗剂清洗所述滤光片;使用纯水清洗所述滤光片。[0014]上述滤光片表面处理方法,经过使用含有增稠剂和无机盐的清洗液浸泡滤光片,在滤光片的表面形成了一层表面张力较大的膜,改变了滤光片的表面性状,使得胶水在滤光片的表面收缩成半球状,从而胶水在固化前不会溢出到滤光片的其他区域,可有效的避免溢胶。

附图说明

1为一实施方式的滤光片表面处理方法的流程图;

2为传统的滤光片的表面的胶水在固化前的照片;

3为经过本发明的滤光片表面处理方法处理后的滤光片的表面的胶水在固化前的照片。

具体实施方式

为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。

除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参阅图1,一实施方式的滤光片表面处理方法,包括以下步骤:

步骤S101、对滤光片进行预处理以除去滤光片表面的污染物。

对滤光片进行预处理时包括以下步骤:

首先,使用含有表面活性剂的水基清洗剂清洗滤光片。

表面活性剂为阴离子表面活性剂或非离子活性剂。阴离子表面活性剂为三聚磷酸钠、烷基磺酸钠及脂肪醇酷硫酸纳中的至少一种。非离子表面活性剂为三聚磷酸钠、聚氧乙烯型活性剂或多元醇型活性剂。使用时,将水基清洗剂与水混合后形成洗液对滤光片进行清洗,其中水基清洗剂的体积百分比为4%~8%

当滤光片表面污染物较多时,可以将滤光片浸入洗液中超声清洗。优选的,超声清洗的功率为28KHZ~45KHZ,清洗时间为3个钟~8分钟,清洗温度为40~50℃。

需要说明的是,如果滤光片表面的污染物较多,不易清洗时,也可以采用几种不同的水基清洗剂对滤光片进行多次清洗。本实施方式中,使用两种清洗剂对滤光片进行两次清洗,具体为,将滤光片浸入日顺RSB26清洗剂与水混合后形成的洗液中,在功率为28KHZ-45KHZ、温度为40~50℃下超声清洗3分钟~8分钟,其中,日顺RSB26清洗剂的体积百分比为4%~8%;再将滤光片浸入大华利HA-02清洗剂水混合后形成的洗液中,在功率为28KHZ~45KHZ、温度为40~50℃下超声清洗3分钟~8分钟,其中,大华利HA-02清洗剂的体积百分比为4%~6%

其次,使用纯水清洗滤光片

使用清洗滤光片可以去除残留在滤光片表面的清洗剂及部分污染物。

优选的,使用电阻值为12MQ~18MQ的纯水,在功率为28KHZ~45KHZ下对滤光片超声清洗12分钟~20分钟

需要说明的是,如果滤光片表面污染物较少,对滤光片进行预处理时,也可仅使用纯水清洗滤光片,无需使用水基清洗剂清洗滤光片;当滤光片表面无污染物时,步骤S101可以省略。

步骤S102、将滤光片放入含有增稠剂和无机盐的清洗液中浸泡。

本实施方式中,滤光片放入含有增稠剂和无机盐的清洗液中浸泡6~10秒。

增稠剂选自OES液体增稠剂、瓜尔胶、阿拉伯胶及聚丙烯酸钠中的至少种。清洗液中增调剂的质量浓度为30mg/L~500mg/L

无机盐选自氯化钠、氯化钾、氯化镁及氯化钙中的至少一种。清洗液中无机盐的质量浓度为10mg/L~100mg/L

优选的,清洗液中还含有表面活性剂。其中表面活性剂的的质量浓度为160mg/L~400mhg/L

表面活性剂为阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂。阴离子表面活性剂为烷基磺酸钠或脂由于洗洁精中含有增稠剂、无机盐及表面活性剂,优选的,清洗液为含有增稠剂和无机盐的洗洁精与水的混合液,其中,水与洗洁精的体积比为1000:1.5,~1000:1

步骤S103、使用甩干机甩干滤光片。

本实施方式中,使用甩干机甩干滤光片,甩干机的转速为35/~50/秒。

请同时参阅图2和图3,2中未经处理的滤光片的表面的胶水在滤光片的表面扩散,由于滤光片表面的膜层为氧化硅,在稳定状态下,氧化硅的表面张力较小,胶水在滤光片扩散较快,由滤光片中心区向四周铺开,从而在滤光片组装时,胶水在固化前会溢出到滤光片的有效区域。图3中经过表面处理的滤光片通过甩干机甩干后,增稠剂和无机盐残留在镜片的表面,从而在镜片的表面形成一层表面张力较大的薄膜,增稠剂可以调节胶水流变性,从而稳定胶滴,无机盐可以增大滤光片表面张力,从而改变了滤光片的表面性状,使得胶水在滤光片的先呈稳定形态,再在较大的表面张力作用下收缩成半球状,从而在滤光片组装时,胶水在固化前不会溢出到滤光片的其他区域,可有效的避免溢胶。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。

滤光片表面处理方法滤光片表面处理方法滤光片表面处理方法 


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