欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻资讯

铝线键合的等离子清洗工艺研究

时间: 2021-03-03
点击次数: 4


1前言

等离子清洗技术被广泛应用于电子、生物医药、珠宝制作、纺织等众多行业,由于各个行业的特殊性,需要针对行业需要,采用不同的设备及工艺。在电子封装行业中,使用等离子清洗技术,目的是增强焊线/焊球的焊接质量及芯片与环氧树脂塑封材料之间的粘结强度。为了更好地达到等离子清洗的效果,需要了解设备的工作原理与构造,根据封装工艺,设计可行的等离子清洗料盒及工艺。

等离子清洗的工作原理是通过将注入气体激发成等离子体,等离子体由电子、离子、自由基、光子以及其他中性粒子组成。由于等离子体中的电子、离子和自由基等活性粒子存在,其本身容易与固体表面发生反应。反应类型可以分为物理反应和化学反应,物理反应主要是以轰击的形式使污染物脱离表面,从而被气体带走;化学反应是活性粒子与污染物发生反应,生成易挥发物质再被带走[1]实际使用过程中,通常使用Ar气来进行物理反应,使用O2或者H2来进行化学反应,其反应原理示意图如图1所示。

等离子清洗的效果通常用滴水实验来直观反应,如图2所示,等离子清洗前接触角约为56°,等离子清洗后表面接触角约为7°。

在电子封装中,通常使用物理化学结合的方式进行等离子清洗,以去除在原材料制造、运输、前工序中残留的有机污染物及芯片焊盘和引线框架表面形成的氧化物。

铝线键合的等离子清洗工艺研究

等离子清洗设备的反应室主要分为感应耦合“桶式”反应室、电容耦合“平行”反应室、“顺流”反应室三种。目前国内集成电路生产企业基本使用进口设备,采用第三种模式,其具有均匀的等离子体区、射频电源及匹配网络不受负载影响,不损伤敏感器件的优点[2~3]

等离子按激发频率分为射频与微波,其频率范围的划分如图3所示。目前在微电子行业广泛使用的为射频等离子体。

铝线键合的等离子清洗工艺研究

在等离子清洗设备的使用过程中,需要根据清洗产品的不同,制定合理的清洗工艺,如射频功率、清洗时间、清洗温度、气流速度等,以达到最好的清洗效果。本文针对TO220产品的铝线键合工艺,设计适合于功率器件铝线键合的最佳等离子清洗工艺。

2实验过程

为了分析不同等离子清洗参数对铝线键合的增强效果,本研究的主要过程如图4所示。样品按标准贴片工艺进行贴片,之后根据实验设计确定的9组参数进行等离子清洗,然后按标准焊线工艺焊线,之后测试样品的焊线拉力与焊球的剪切力。最后对测试结果进行分析。

铝线键合的等离子清洗工艺研究

2.1样品制备

本实验采用BYD4N60芯片,芯片尺寸为3.20mm×3.58mm,铝焊盘,芯片银。采用TO220纯铜引线框架,贴片所用焊料为93.15Pb5Sn11.5Ag,贴片设备使用ASM-SD890A,焊线使用0.3mm铝线,焊线设备为OE-360,等离子清洗使用设备为EUROPLASMA

2.2等离子清洗参数设计

本实验采用射频激发的Ar/H2混合气体,可以应用在增强引线键合强度。清洗时间不宜过长,清洗时间过长的负面影响是Si3N4钝化层的晶粒呈现出针状和纤维状[4]。因此,选用ArH2的混合气体。RF功率范围200~400W,时间180~600s,流速50~150tor·s-1

使用DOE方法设计了9组实验参数,如表1所示。

铝线键合的等离子清洗工艺研究

2.3等离子清洗实验

等离子清洗效果除与等离子清洗设备的参数设置有关外,也与样品形状及样品的料盒有关。在料盒选择方面,一般选用镂空料盒(如图5所示),让尽可能多的等离子气体进入到料盒内部,并且不干扰等离子气体的流动方向与流动速度。一般选用铝合金材质,因为其具有良好的加工特性,同时质量轻,便于运输。玻璃和陶瓷材质虽然在等离子清洗工艺中使用效果更佳,但在工厂批量生产中不利于运输与操作。

铝线键合的等离子清洗工艺研究

本实验使用的等离子清洗机为封闭腔型,腔内示意图如图6所示。并排放置4个放置空引线框架料盒,经过等离子清洗后进行滴水实验发现,中间位置料盒中引线框架的清洗效果优于旁边位置的料盒。因此,本实验采用单料盒,放置于如图6中所示位置进行实验,以达到最优清洗效果。

铝线键合的等离子清洗工艺研究

2.4拉力和剪切力测试

使用DAGE4000进行样品的拉力测试,测试时在料盒内选取上中下各一条引线框架,每条引线框架上均匀选取10个测试点,每组等离子清洗参数条件下获得30个样本值。

3实验结果与讨论

3.1等离子清洗参数

实验获得的焊线拉力的测试结果如图7所示。由图7中可以看到,第5组样品的拉力测试值具有相对最小方差与最高PpK值,其次是第4组样品;第9组样品虽然使用了最大功率、最长清洗时间与较大的气体清洗流量,但实验结果并不理想。清洗功率与清洗时间超过理想的设定值时,一方面Si3N4钝化层的晶粒会呈现出针状和纤维状,另一方面,会激发焊料内的有机物挥发至气流中,并在等离子清洗过程中覆盖于芯片及引线框架表面,形成二次污染,从而影响焊接的强度。

铝线键合的等离子清洗工艺研究

由此确定,适合于该料盒的铝线产品的等离子清洗参数应参考第5组设定参数。

3.2放置空间对清洗效果的影响

样品在等离子清洗机腔体中的放置位置对等离子清洗效果也有明显影响。比较分别位于上中下三层的引线框架的引线拉力测试数据,结果如图8所示。

从图8中可以看出,上层引线框架获得了更稳定的拉力测试结果。因为上层引线框架与气体接触得更充分。位于下层的引线框架,方差值偏差较大。因此,若想得到更好的等离子清洗效果,必须尽可能多地让引线框架暴露于等离子气体中,引线框架的上下间距不能过于紧密。

铝线键合的等离子清洗工艺研究

综上所述,等离子清洗有利于电子封装的可靠性,能增强焊线工艺的稳定性。在使用等离子清洗工艺时,需结合等离子清洗机腔体的结构,设计合适的料盒,合理摆放料盒在腔体内的位置。同时,根据清洗样品的不同,通过DOE实验能够找到最合适的清洗工艺,达到最好的清洗效果。此外,料盒中引线框架的最佳上下间距以及料盒在等离子清洗机腔体中的最佳摆放位置与数量,在本文实验中还未涉及,下一步将结合气体流动模型针对此问题进一步研究讨论。免责声明:文章来源于网络,如有侵权请联系作者删除。


Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开