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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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石英二元衍射光学元件制作工艺

时间: 2021-04-08
点击次数: 41

石英二元衍射光学元件制作工艺

1.石英二元光学元件的制作

二元光学元件的设计遵循光的衍射理论。衍射效率的高低是评价元件的重要指标。

在表1中可见,理论上台阶级数越多衍射效率越高,但制作难度也加大,随之的制作误差也变大,它又将导致元件的衍射效率降低。根据我们现有的工艺手段和设备制作8个台阶的元件是比较合理的。

石英二元衍射光学元件制作工艺 

8个台阶的元件要经过一次曝光,两次套刻曝光,三次刻蚀才能完成,其整个过程如图1所示。

石英二元衍射光学元件制作工艺 

1.1基片预处理

预处理主要是用各种方法洗净基片表面粘附的脏物,增加光刻胶与基片的粘附能力,避免脱胶现象发生。处理后基片表面要镀一层厚度为100200nm的铬层。它既可以增强光刻胶的粘附能力,又可以作为对准标记,以便在套刻时有良好的观察对比度。

1.2甩胶及前烘

处理好的基片要涂上一层光刻胶,用它来传递掩模版上的图形,然后经过反应离子刻蚀(RIE)把图形传递到基片上,这里胶的厚度W是一个主要参数,它主要由刻蚀深度h和刻蚀选择比C决定

W=Ch

实验时决定胶厚的因素有甩胶机的转速、甩胶时间、胶的类型以及稀释程度等。对这些因素作适当的配合就可以得到理想的胶厚。甩好的基片要及时放到恒温箱中烘烤。

1.3曝光及处理工艺

衍射元件设计好后可以由计算机处理成图形数据。量化级数L与曝光次数N的关系为L=2N

例如,制作8个相台阶的菲涅尔透镜就要曝光3,对应3组图形数据。如果用激光直写制作DOE,就可由计算机直接控制曝光及套刻形成图形。这对于制作单个元件是很方便的,但用激光直写技术重复制作多个元件则制作时间长成本高,因此我们也开展接触光刻曝光的方法研究。接触式曝光方法简单,并且对于工艺实验及RIE参数的标定非常方便。直接影响曝光质量的因素很多。首先基片表面要与掩模表面合理接触,有间隙时曝光线条会模糊,而压得过紧又可能损坏胶表面和掩模。曝光时间要严格控制,曝光不足显影后图形出不来,曝光过度则线条边缘会发生塌胶现象。接下来就是显影。决定显影时间的长短有多种因素,如显影液的种类、浓度、温度等。正确控制显影对图形轮廓起着重要的作用。为了把图形传递到基片上,显影后要去掉裸露部分的铬层,然后后烘。后烘的目的是提高胶的抗蚀性能。

1. 4基片的刻蚀

石英二元衍射光学元件制作工艺 

我们的理想刻蚀轮廓是图2所示的直角台阶。这就要求刻蚀过程各向异性,即不应有横向的刻蚀或钻蚀。反应离子刻蚀机能很好地满足这一点。反应离子刻蚀的机理是腐蚀气体在电场磁场的作用下与基片表面发生复杂的化学反应和物理作用,生成挥发性气体。基片刻蚀的关键是准确的控制刻蚀深度和刻蚀表面的平整度及洁净度。这个过程的实质就是合理地选择刻蚀时间、功率、板压、气体以及气体流量、气压等参数。刻蚀石英的有效气体为CHF3

1.4.1气体流量对刻蚀选择比及刻蚀率的影响

要保证刻蚀图形的完整就必须保证图形深度刻到前抗蚀剂还没被刻完。增加胶厚可以达到这个目的,但过厚的胶会对胶均匀性及曝光显影带来不良影响。于是我们着眼于如何提高刻蚀比C。合理的刻蚀率有利于有效地控制刻蚀深度。

实验中我们得知在不同气体流量下刻蚀率和刻蚀比有较大的变化。

石英二元衍射光学元件制作工艺 

由图3可以看出,在气体流量为12sccm时基片的刻蚀率较大,并且曲线在此时变化缓慢。如果选这一点作为工作点,那么流量在小范围内不是很稳定将不会对刻蚀率造成很大的影响。这对于刻蚀深度的控制是十分有利的。由图4可以看出,在气体流量为12sccm时刻蚀比较大。这可以降低胶的厚度,从而减小制作元件的难度,有利于图形的精确传递。

石英二元衍射光学元件制作工艺 

同时我们对刻蚀表面进行考察,发现随着流量的加大刻蚀表面变得越来越不平整。综合以上因素我们把工作点定在12sccm

1.4.2时间对刻蚀深度的影响

用表3的数据作出深度和时间的关系图5。由图5可以看出,在时间不太长的情况下二者基本呈线性关系,时间变长则刻蚀率变慢。这可能由两个因素所致,首先在刻蚀过程中产生的多聚物附着在基片表面,限制了反应的进行;其次,时间一长工作腔内温度升高,阻碍了电场磁场物理作用的发挥。

石英二元衍射光学元件制作工艺 

1.4.3功率对刻蚀率的影响

总结实验中得到的数据我们作出图6所示功率和刻蚀率之间的关系图。由此可见二者基本呈线性关系。实验中功率的选择应从以下方面进行考虑。首先功率不能太大,太大导致刻蚀率过高不利于深度的控制;容易使反应离子刻蚀机机体升温导致一些工作参数发生漂移同时机器也容易损坏;从刻蚀表面的角度来看,我们也不希望功率太大,但是考虑到刻蚀时间不能太长,因此功率的选择也不要太小。

石英二元衍射光学元件制作工艺 

1.4.4负载的影响

刻蚀时影响负载的因素有很多:基片大小、基片表面胶及铬层等的覆盖情况、气体种类、气体流量和工作腔气压等都可以统称为负载。它直接影响刻蚀机的功率匹配,因此必须对它们进行较好的调整。实验中考虑到时间易于控制,因此采用先选定功率、流量等参数,再调整匹配功率,最后用控制时间的办法控制刻蚀深度。

1.5去胶及套刻

刻蚀完毕后基片上还有残余的胶必须去掉后才能进行下一次套刻。要得到8个台阶的二元光学元件还必须再进行两次套刻。每次都重复前面所述15的步骤。要制成高质量高精度的元件,上述每一步都很关键。在制作过程中工作环境及基片都要保持十分干净,否则脏物就会1:1地传递到图形上。

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