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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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PVD技术及设备

时间: 2021-04-09
点击次数: 164

PVD技术及设备

玻璃表面镀膜

•玻璃表面镀膜是玻璃表面改性的常用方法,通过镀膜可以改变玻璃的光学、热学、电学、力学、化学性质、膜层既可是功能性的,也可以是装饰

性的。

•玻璃表面镀膜方法化学还原、高温分解、化学气相沉积、物理气相沉积、电浮等。

气相沉积方法

•PVD:物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition)主要是借助物理現象来进行薄膜沉积。

•CVD:化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition)是以薄膜材料的蒸气相经过化学反应后,在玻璃表面形成固相薄膜。

PVD技术及设备 

PVD技术及设备 

1、 汤生放电区:离子撞击阴极产生二次电子,参与与气体分子碰撞,并使气体分子继续电离,产生新的离子和电子。这时,放电电流迅速增加,但电压变化不大,这一放电阶段称为汤生放电。汤生放电后期称为电晕放电。

•电极间无电流通过,气体原子多处于中性,只有少量的电离粒子在电场作用下定向运动,形成极微弱的电流。

2和3、辉光放电区:汤生放电后,气体会突然发生电击穿现象。此时,气体具备了相当的导电能力,称这种具有一定导电能力的气体为等离子体。电流大幅度增加,放电电压却有所下降。导电粒子大量增加,能量转移也足够大,放电气体会发生明显的辉光。电流不断增大,辉光区扩大到整放电长度上,电压有所回升,辉光的亮度不断提高,叫异常辉光放电,可提供面积大、分布均匀的等离子体。气体放电现象

4、 弧光放电区:电压大幅下降,电流大幅增加,产生弧光放电,电弧放电斑点,阴极局部温度大幅升高,阴极自身会发生热蒸发。

PVD技术及设备 

PVD技术及设备 

CVD化学气相沉积

利用加热、等离子体激励或光辐射等方法,使气态或蒸气状态的化学物质在基板表面反应并沉积生成固态薄膜。

待镀膜材料和被镀基板置于真空室内,采用电子束加热、感应加热、电阻加热等方法使待镀材料蒸发或升华,并在基板表面凝聚成膜。真空度:等于或低于10-2Pa。蒸发温度:与元素有关,In为950℃。坩埚:IN的坩埚可以用Mo。

阴极和阳极分别接低压高电流直流电源的负极和正极。真空度为1.0e-1~1.0e-2Pa时,当引弧电极和阴极靶表面接触与离开的瞬间引燃电弧,在阴极和阳极之间即可以维持电弧放电,其电流一般为几安到几百安,电压一般为10V~25V,这时阴极表面上的电流全部集中在一个或多个很小的部位,形成弧光斑点,即微点蒸发源,使靶材蒸发形成高能原子或离子束流。在基板上成膜。

PVD技术及设备 

在高真空状态下导入工艺气体,并在电极的二端加上高电压后,产生Glow放电。此时等离子体中的正离子在电场的作用下撞击靶材溅射出靶材的金属原子。工作压力一般为1.0e-1~1.0Pa,溅射电压为300V~600V,平行于靶材表面的磁感应强度为0.04T~0.07T。

在高真空的状态下,通过电场和磁场的组合而形成的放电方式。根据Fleming的左手法则,在磁场的作用下,电子的平均自由行程得到延长,增加了电子和气体分子的碰撞概率。Magnetron放电状态下,电子受到电磁力的作用,做小半径的回转运动,而靶材表面沿着电子的运动轨迹形成明显的溅射痕迹。

PVD技术及设备 

PVD技术及设备 

溅射设备构成图

PVD的各种沉积方法设备结构基本相同,一般由以下几部分组成:

1、真空室及排气系统

2、气体供应系统

3、冷却水供给系统

4、加热电源

5、阴极电源

6、检测或监控系统

PVD技术及设备 

PVD技术及设备 

cryopump抽气原理

在低温泵内设有由液氦或制冷机冷却到极低温度的冷板。它使气体凝结,并保持凝结物的蒸汽压力低于泵的极限压力,从而达到抽气作用。低温抽气的主要作用是低温冷凝、低温吸附和低温捕集。

①低温冷凝:气体分子冷凝在冷板表面上或冷凝在已冷凝的气体层上,其平衡压力基本上等于冷凝物的蒸气压。抽空气时,冷板温度必须低于25K;抽氢时,冷板温度更低。低温冷凝抽气冷凝层厚度可达10毫米左右。物蒸气压力的4倍

②低温吸附:气体分子以一个单分子层厚(10-8厘米数量级)被吸附到涂在冷板上的吸附剂表面上。吸附的平衡压力比相同温度下的蒸气压力低得多。如在20K时氢的蒸气压力等于大气压力,用20K的活性炭吸氢时吸附平衡压力则低于10-8帕。这样就可能在较高温度下通过低温吸附来进行抽气。

③低温捕集:在抽气温度下不能冷凝的气体分子,被不断增长的可冷凝气体层埋葬和吸附。一般说来,泵的极限压力就是冷板温度下的被冷凝气体的蒸气压力。温度为120K时,水的蒸气压已低于10-8帕。温度为20K时,除氦、氖和氢外,其他气体的蒸气压也低于10-8帕。但由于被抽容器和低温冷板的温度不同,泵的极限压力高于冷凝物的蒸气压。对于室温下的容器,低温板为20K时,泵的极限压力约为冷凝

油扩散泵

利用加热使真空泵油蒸发,油蒸气高速扩散到A处时转向下,将连接真空室的Flange处的气体带走,来自真空室的气体从8处管道排走,而油本身被冷却后又回到泵底部的油箱内。工作压强为1.3×10-2Pa~1.3×10-7Pa,启动压强为1.3Pa

PVD技术及设备 

真空计

真空计的种类

・测量气体分子的热传导能力

热真空计

熱电偶真空计(TC真空计)

・测定气体分子对壁的压力液柱差压真空计(U字管流体压力计、卖克劳德真空计)

隔膜真空計

・利用真空中运动的物体所承受的来自气体分子的力。旋转浮子流速计水晶式真空計

・计测气体分子数。电离真空计(离子真空计)冷阴极电离真空计(彭宁真空计、磁控管真空计)

热电偶真空计(TC)

利用热电偶测量真空内加热器热损失的真空计。因构造简单价廉,被广泛应用。测定范围102Pa~10-1Pa加热器通电后会发热。压力越高,争夺热量的气体分子越多,传至热电偶的热量就越少。而压力降低后,争夺热量的气体分子少了,就有更多的热量传至热电偶。因此可以根据传导至热电偶的热量来测量真空度,

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热真空计

利用具有电阻值随放热量而变化这一特点的特殊加热器,组成惠斯登电桥回路,通过电阻的变化来读取真空值。构造简单,价格低廉,用途广泛。测定范围102Pa~10-1PaM惠斯登回路与热真空计的关系热真空计ULVAC製(WP系列)

隔膜真空計

也叫做薄膜真空计(DG)、电容真空计(CM)。不受测定气体种类的影响,在任何真空状态下都能显示出稳定的真空值,主要用于工艺部的真空测定。測定范围大气压~10-2Pa测定原理:将真空部与达到一定基准压力的空间用薄膜隔离,真空部的压力变化会引起薄膜的移位,将其移位量换算成真空值显示出来。。测定室测定接续口基准室1)隔膜真空计的内部构造图

PVD技术及设备 

电离真空计测定原理:

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