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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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多晶硅铸锭硅片清洗设备

时间: 2021-04-12
点击次数: 7

多晶硅铸锭硅片清洗设备,包括装置主体、升降机构(2)和清洗机构(9),其特征在于:所述装置主体包括加工箱体(1)、抛光轴(3)、驱动机(4)、转轴(5)、内箱(6)、集水槽(7)、泵体(8)和支腿(10),所述支腿(10)设置在加工箱体(1)下端面,所述驱动机(4)设置在加工箱体(1)顶端面中间位置,所述转轴(5)转动连接在加工箱体(1)内部,且与驱动机(4)的输出端传动连接,所述抛光轴(3)设置在转轴(5)上,所述集水槽(7)设置在加工箱体(1)

内部底端面,所述内箱(6)位于集水槽(7)上方;

所述升降机构(2)设置在加工箱体(1)内部上侧,所述升降机构(2)包括电机一(21)、滑

(22)、传动轴(23)和绳索(24),所述传动轴(23)转动连接在加工箱体(1)内部靠上部位,

所述滑轮(22)设有两个,两个滑轮(22)对称转动连接在传动轴(23)上,所述滑轮(22)通过

绳索(24)与内箱(6)固定连接,所述传动轴(23)与电机一(21)的输出端传动连接;所述清洗机构(9)包括辅助清洁组件(91)和电机二(92),所述电机二(92)设置在加工箱体(1)底端面,所述辅助清洁组件(91)设有两个,两个所述辅助清洁组件(91)对称设置在加工箱体(1)内部,所述辅助清洁组件(91)包括支架(911)、高压喷头(912)、滑块(913)、齿条(914)、齿轮(915)和安装轴(916),所述齿条(914)通过滑块(913)滑动连接在加工箱体(1)内部,所述齿轮(915)通过安装轴(916)转动连接在加工箱体(1)内部,所述齿轮(915)的齿槽与齿条(914)的齿槽相啮合,所述高压喷头(912)铜鼓支架(911)与齿条(914)固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅铸锭硅片清洗设备,其特征在于:所述支腿(10)设

有四个,四个所述支腿(10)分别设置在加工箱体(1)下端面四个棱角处。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅铸锭硅片清洗设备,其特征在于:所述加工箱体

(1)前端面铰接有箱门(11),箱门(11)中间位置设置有透明观察窗(13),箱门(11)前端面上侧设置有把手(12)。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅铸锭硅片清洗设备,其特征在于:所述泵体(8)通

过软管与高压喷头(912)连接。

5.根据权利要求1所述的一种多晶硅铸锭硅片清洗设备,其特征在于:所述内箱(6)底

端面开设有漏孔(a)。

6.根据权利要求1所述的一种多晶硅铸锭硅片清洗设备,其特征在于:所述集水槽(7)

内部设置有过滤网,且过滤网为双层结构。

7.根据权利要求1所述的一种多晶硅铸锭硅片清洗设备,其特征在于:两个所述安装轴

(916)之间通过同步带传动连接,且安装轴(916)与电机二(92)的输出端传动连接。

8.根据权利要求1所述的一种多晶硅铸锭硅片清洗设备,其特征在于:所述抛光轴(3)

设有若干个,若干个所述抛光轴(3)呈环形等距排布于转轴(5)环形侧面。

多晶硅铸锭硅片清洗设备 

1

多晶硅铸锭硅片清洗设备 

2

多晶硅铸锭硅片清洗设备 

3

多晶硅铸锭硅片清洗设备 

4

1为本发明的结构示意图;

2为本发明的外部结构示意图;

3为本发明中升降机构的结构示意图;

4为本发明中升清洗机构的结构示意图。

附图标记中:1.加工箱体;2.升降机构;3.抛光轴;4.驱动机;5.转轴;6.内箱;7.集水槽;8.泵体;9.清洗机构;10.支腿;11.箱门;12.把手;13.透明观察窗;21.电机一22.滑轮;23.传动轴;24.绳索;91.辅助清洁组件;92.电机二;911.支架;912.高压喷头;913.滑块;914.齿条;915.齿轮;916.安装轴。

多晶硅铸锭硅片清洗设备,包括装置主体、升降机构2和清洗机构9,装置主体包括加工箱体1、抛光轴3、驱动机4、转轴5、内箱6、集水槽7、泵体8和支腿10,支腿10设置在加工箱体1下端面,驱动机4设置在加工箱体1顶端面中间位置,转轴5转动连接在加工箱体1内部,且与驱动机4的输出端传动连接,抛光轴3设置在转轴5上,集水槽7设置在加工箱体1内部底端面,内箱6位于集水槽7上方。

升降机构2设置在加工箱体1内部上侧,升降机构2包括电机一21、滑轮22、传动轴23和绳索24,传动轴23转动连接在加工箱体1内部靠上部位,滑轮22设有两个,两个滑轮22对称转动连接在传动轴23上,滑轮22通过绳索24与内箱6固定连接,传动轴23与电机一21的输出端传动连接。

清洗机构9包括辅助清洁组件91和电机二92,电机二92设置在加工箱体1底端面,辅助清洁组件91设有两个,两个辅助清洁组件91对称设置在加工箱体1内部,辅助清洁组件91包括支架911、高压喷头912、滑块913、齿条914、齿轮915和安装轴916,齿条914通过滑块913滑动连接在加工箱体1内部,齿轮915通过安装轴916转动连接在加工箱体1内部,齿轮915的齿槽与齿条914的齿槽相啮合,高压喷头912铜鼓支架911与齿条914固定连接,本发明结构优良,设计合理,操作简便,消除抛光死角,抛光清洗二合一,具有广泛地应用前景,创造性强。

支腿10设有四个,四个支腿10分别设置在加工箱体1下端面四个棱角处,加工箱体1前端面铰接有箱门11,箱门11中间位置设置有透明观察窗13,箱门11前端面上侧设置有把手12,泵体8通过软管与高压喷头912连接,内箱6底端面开设有漏孔a,集水槽7内部设置有过滤网,且过滤网为双层结构,两个安装轴916之间通过同步带传动连接,且安装轴916与电机二92的输出端传动连接,抛光轴3设有若干个,若干个抛光轴3呈环形等距排布于转轴5环形侧面。

本发明在工作时:将硅片物料投入内箱6,运行电机一21,电机一21的输出端转动带动传动轴23转动,传动轴23带动滑轮22转动,滑轮22通过绳索24拉动内箱6向上移动,使抛光轴3进入内箱6内部,运行驱动机4,驱动机4的输出端转动带动转轴5转动,转轴5带动抛光轴3转动,抛光轴3对硅片物料进行抛光操作,抛光完毕后,反向运行电机一21,同理,使内箱6在加工箱体1内向下移动,并与集水槽7相接触,运行电机二92,电机二92的输出端转动带动安装轴916转动,安装轴916带动齿轮915转动,齿轮915带动齿条914移动,两个齿条914做相向运动,带动喷头向内向移动至内箱6上侧,泵体8将水输送至高压喷头912,高压喷头912对硅片物料进行清洗操作,多余的水经过漏孔a向下流动,并过滤后,进入集水槽7底部,以供循环利用,节约水资源,从而解决了传统的硅片加工,清洗设备和抛光设备属于两种设备,先后加工,延长了加工的时间,设备间的配合度较低,且抛光过程中,加工箱体1位置固定,抛光会留有死角,导致抛光不彻底的问题。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点,对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

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