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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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IR-UFPA探测器

时间: 2021-04-13
点击次数: 8

一、主要生产设备

IR-UFPA探测器 

IR-UFPA探测器 

二、工艺流程简述

IR-UFPA探测器 

1IR-UFPA探测器生产流程及产污环节图

IR-UFPA探测器 

2IR-UFPA探测器委托封装生产流程及产污环节图

项目探测器生产及委托封装工艺流程基本相同,区别仅是探测器生产过程总所需硅片及读出电路外购,探测器委托封装所需硅片及读出电路均由客户提供,本环评统一进行生产及封装工艺流程简述。

(1)原材料外购

根据项目产品生产需要,外购硅片(或客户提供)、光刻胶、读出电路电子组件、错窗窗口等原辅材料备用。

(2)硅片分割

外购入项目的硅片为晶圆,采用划片机将晶圆进行划片之后,得到单片硅片,划片过程中产生机械噪声。

(3)硅片背金生长

硅片背金生长包括硅片北面氧化膜去除、清洗、硅片背面金属生长三个部分探测器芯片背面氧化层去除可采用纯物理的磨抛背减和化学腐蚀。磨抛背减是采用常规的磨抛,需对探测器芯片加压,会对芯片物理结构带来损伤,导致芯片机械性能降低。化学腐蚀是直接采用化学试剂对芯片北面进行腐蚀,不会对芯片结构带来物理损伤。本项目中采用化学腐蚀方式进行芯片北面氧化层去除。化学方式包括干法腐蚀及湿法腐蚀两种,湿法腐蚀是采用稀释的氢氟酸完成氧化层去除,腐蚀过程中若不做好保护措施,可能会对芯片正面带来损伤,干法腐蚀是采用电感精合等离子体设备进行氧化层去除。

清洗采用干法清洗,即是采用辉光放电的方式进行清洗,辉光放电是指低压气体中显示辉光的气体放电现象,即是稀薄气体中的自持放电(自激导电)现象。辉光放电有亚正常辉光和反常辉光两个过渡阶段,放电的整个通道由不同亮度的区间组成,即由阴极表面开始,依次为:①阿斯通暗区;②阴极光层;③阴极暗区(克克斯暗区):④负辉光区:⑤法拉第暗区;⑥正柱区:⑦阳极暗区:⑧阳极光层。背面金属生长及葆金金属膜的生长,该工艺采用箱式真空镀膜机及离子镀膜机进行金属层镀膜生长,真空镀膜就是在真空环境中,将镀膜材料加热,进行蒸发或升华,以均匀镀于基片玻璃上,形成薄膜,其工作原理是通过一定加热方式使被热发材料受热蒸发或升华,由固态或液态变为气态,对于单质材料,常见加热方式有电阻加热、电子束加热、高频感应加热,电弧加热和激光加热,本项目镀膜过程中采用电阻加热方式将金属蒸发蒸镀于芯片背面。电阻加热的工作原理是在高真空下,金属材料作为阴极,内接铜杆做阳极,内接铜杆做阳极,通电压,移动阳电极尖端与阴极接触,阴极局部熔化发射热电子,再分开热电极,产生弧光放电,使阴极材料蒸发成膜。镀膜过程中,镇、金原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。

(4)涂光刻胶

即是采用涂胶机将光刻胶均匀的涂抹于芯片表面。光刻胶是一种有机化合物,受紫外曝光后,在显影溶液中的溶解度会发生变化,晶片制造中所用的光刻胶以液态涂在芯片表面,然后烘干成为胶膜。涂胶结束后,将涂有光刻胶的芯片置于烘箱内烘干,目的是蒸发掉光刻胶内的有机成分,使晶圆表面的胶固化,烘干温度85C°至120C°,烘干时间30s-60s。烘干过程中有少量蒸发的有机废气产生,无组织排放。

(5)显影光刻

即是采用光刻机进行光刻,光刻机又名紫外曝光机、掩膜对准曝芯片光机等,光刻的本质是把制作在掩膜上的图形复制到以后要进行刻蚀的晶圆上,其原理与照相相似,不同的是半导体晶圆与光刻胶代替了照相底片与感光涂层。

光刻过程中光刻胶层透过掩膜被曝光在紫外线下,变得可溶,期间发生的反应类似于按下机械相机快门那一刻胶片的变化,掩膜上印着预先设计好的电路图案,紫外线透过它照在光刻胶层上,就会形成微处理器的每一层电路图案,一般来说,在晶圆上得到的电路图案是掩膜上电路图案的四分之一。

曝光光刻结束之后,用化学显影液将曝光造成的光刻胶可溶解区域溶解即是光刻胶显影的过程,显影的主要目的就是将掩膜版的图形准确复制到光刻胶中,显影技术包括连续喷雾及旋覆浸没,连续喷雾是显影液以雾的形式喷洒,实际显影过程中通常采用超声波零化以获得低速弥散,旋覆浸没是将显影液滴于光刻胶上,然后旋转芯片使显影液覆盖到整个芯片上,为了让光刻胶可溶解区域完全溶解,显影液在光刻胶上停留时间一股为10s-30s,显影结束后,采用去离子水进行冲洗,去除残留显影液,去离子水依托使用物理研究所内所供应上离了水,冲洗结束后将产生一定量的废弃显影液。

(6) 去胶清洗

图形转移加工后,光刻胶已完成使命,需要清洗去除,本项目芯片去胶清洗主要采用的是有机溶剂去胶清洗,即采用丙酮、酒精浸泡,等光刻胶完全溶解后,放置于工具夹具中,利用超声波清洗机进行超声波清洗完成即可。

芯片去胶清洗过程中产生的清洗废液统一收集之后,交由微废中心进行处置。

(7)硅片释放(去除牺牲层)

芯片释放主要是去除牺牲层,该牺牲层是亚胺化后的高分子有机物,该物质的去除分湿法及干法两种。

湿法腐蚀对支撑层、读出电路上的氧化物和金属层有相当程度的腐蚀和损伤,本项目采用对支撑层氮化硅及读出电路上的氧化物和金属层几乎零腐蚀的干法腐蚀。干法腐蚀即是采用刻蚀机进行刻蚀,刻蚀过程即是芯片表面不需要的材料的去除过程,刻蚀过程中把芯片表面暴露于气态中产生的等离子体,等离子体通过光刻胶中开出的窗口与芯片发生物理反应或化学反应,从而去掉多余的暴露表面材料。项目刻蚀采用离子束刻蚀机,刻蚀过程中氧气、氯气作为刻蚀气体进行使用,刻蚀后排出的排气主要为少量氧气及氨气

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