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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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光伏太阳能硅片清洗工艺资料

时间: 2021-02-26
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表面清洗硅片清洗是指在氧化、光刻、外延、扩散和引线蒸发等工序前,采用物理或化学的方法去除硅片表面的污染物和自身氧化物,以得到符合清洁度要求的硅片表面的过程。

在硅片加工工艺中,有多达20%的步骤为清洗。制造一种设备将硅片表面的沾污全部除去是不可能的。在硅片清洗过程中,将每片上的沾污从百万级降低到十万级相对容易,但要把沾污全部去除或在全部工艺中保证沾污不再增加却是非常困难的。所以,不同的工艺技术所要求的硅片最终表面态不同,其所需要的清洗方法也不相同,不可把各种清洗方法同等对待。

1硅片清洗设备的清洗工艺

清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污,因为有机物会遮盖部分硅片表面,从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除;然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷;最后再去除颗粒、金属等沾污。1.1清除有机表面膜、粒子和金属沾污

A类硅片清洗设备的工艺流程见表1

光伏太阳能硅片清洗工艺资料 

1.2清洗工艺步骤

1步:NH4OH+H2O2+H2O比例为115

2步:HCl+H2O2+H2O比例为115

此工艺分为氧化、络合处理两个过程。使用NH4OH+H2O2+H2O,温度控制在7580℃。H2O2在高pH值时为强氧化剂,破坏有机沾污,其分解为H2OO2NH4OH对许多金属有强的络合作用。HCl+H2O2+H2O中的HCl靠溶解和络合作用形成可溶的碱或金属盐。分别在第1步和第2步的前、中加入98%H2SO430%H2O2HF。可得到高纯化表面,阻止离子的重新沾污。在稀HCl溶液中加氯乙酸,可极好地除去金属沾污。表面活性剂的加入,可降低硅表面的自由能,增强其表面纯化。它在HF中使用时,可增加疏水面的浸润性,以减少表面对杂质粒子的吸附。

2清洗工艺顺序:去分子→去离子→去原子→去离子水冲洗

B类硅片清洗设备的工艺流程见表2

光伏太阳能硅片清洗工艺资料2.1超声清洗去除切磨后大粒子超声清洗是利用声能振动槽底,其振动频率大于20kHz。硅片置于槽内液体中,能量由超声振子通过槽底传给液体,并以声波波前的形式通过液体。振动足够强时,液体被撕开,产生许多气泡,叫空穴泡。超声清洗的能量就存在于这些泡中,泡遇到硅片表面将爆破,产生的巨大的能量起到清洗的作用。随着粒子尺寸的减小,清洗效果下降。为了增加超声清洗效果,在清洗液中加入表面活性剂。但表面活性剂和其它化学试剂一样,也是对硅片有作用的有机物。无机物被除去后,化学试剂本身的粒子被留下。需要说明的是由于声能的作用,会对硅片造成一定的损伤。

2.2NH4OH+H2O2+H2O清洗液去除硅片表面的小颗粒

作用原理:在该清洗液中,由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜SiO2呈亲水性,硅片表面和粒子之间可用清洗液浸透,硅片表面的自然氧化膜和硅被NH4OH腐蚀,硅片表面的粒子便落入清洗液中。粒子的去除率与硅片表面的腐蚀量有关,为去除粒子,必须进行一定量的腐蚀。在清洗液中,由于硅片表面的电位为负,与大部分粒子间都存在排斥力,防止了粒子向硅片表面吸附。

去除粒子对硅片表面有一定的腐蚀,影响硅片的微粗糙度。工艺实验表明,SiO2的腐蚀速度随NH4OH浓度的增加而加快;Si的腐蚀速度随NH4OH浓度的增加而加快,当到达某一浓度后为一定值。NH4OH促进腐蚀,H2O2阻碍腐蚀。所以若氧化速率大于碱对硅的腐蚀速率,则表面被均匀腐蚀。该清洗液的最佳配比为0.0515。随清洗液温度的升高,粒子去除效率也会提高。但温度升高也会导致NH4OH的挥发性增强,溶液的浓度降低很快,使其组成浓度不易控制,清洗效果降低。因此通过定时补液可保持溶液浓度的稳定性。

2.3HF+H2O2+H2O清洗液去除硅片表面

金属沾污

硅片表面金属的存在形式有很多种,以原子、氧化物、金属复合物、硅化物等形式存在于自然氧化膜表面、自然氧化膜内部、硅与氧化物的界面或硅内部。金属在溶液中的附着特性与pH值、金属诱生氧化物作用、氧化还原电位、负电性以及化学试剂的氧化性等有关。在3的酸性溶液中,pH值越低,金属越不易附着在硅片上。金属的负电性越低,越不容易附着在硅片表面。

2.4H2SO4+H2O2+H2O清洗液去除硅片

表面有机物

该溶液具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于溶液中,并能把有机物氧化生成CO2H2O。清洗硅片可去除硅片表面的有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污较重时会使有机物碳化而难以去除。清洗后,硅片表面会残留有硫化物,这些硫化物很难用去粒子水冲洗掉。清洗时要用到大量高浓度的H2SO4溶液并且要在高温(120150)下完成,对环境极为不利。由于臭氧的氧化性比H2O2的氧化性强,可用臭氧来取代H2O2,以降低H2SO4的用量和反应温度。由此可以看出,硅片湿式清洗技术要用到大量的化学试剂,对生产成本和环境污染都极为不利。而且,工业上用的超纯化学试剂和超净水中也含有一定的污染物,过高的清洗液浓度和过长的工艺时间都会对清洗效果带来不利影响。如超纯水中溶有一定浓度的氧,若硅片在超纯水中冲洗的时间太长,则会造成硅片表面的粗糙度增加。

2.5干燥工艺过程

在清洗的各个工序中,干燥一般为清洗终结步骤,也是最关键的一步。不同的清洗方法所采用的干燥方式亦应有所不同,并且还依赖于硅片表面的亲水性和疏水性。比较通用的干燥方法是旋转甩干,此外还有毛细甩干、溶液蒸发干燥、热N2干燥等。

用更经济的、给环境带来更少污染的工艺获得更高性能的硅片是目前太阳能硅片清洗的发展趋势。而高集成化的器件要求硅片清洗要尽量减少给硅片表面带来的破坏和损伤,尽量减少溶液本身或工艺过程中带来的沾污。从而硅片清洗设备正向着小型化、非盒式化及一次完成化(所有清洗与干燥步骤在一个槽内进行)方向发展,以减少工艺过程中带来的沾污,满足工艺的要求。硅片表面的洁净度及表面态对高质量的硅组件工艺是至关重要的。如果表面质量达不到要求,无论其它工艺步骤控制得多么优秀,也是不可能获得高质量太阳能组件。硅片表面上的沾污已不再是清洗最终的要求。在清洗过程中所造成的表面化学态及粗糙度已成为重要的参数。这无论对清洗工艺还是对清洗设备都是一个极大的挑战。

3结束语

随着太阳能快速高效的发展,硅片的大直径化、超薄化和组件结构的高集成化,对硅片清洗要求越来越高。这就要求清洗设备向综合化、集成化及全自动化的方向发展,以减少工艺过程中带来的再次污染,满足硅片清洗工艺的要求。尽管到目前为止,非在线式硅片清洗技术已有了很大的发展,但是清洗设备本身所产生的污染问题却一直没能彻底解决,从而成为影响成品率的一个重要因素。因此人们迫切需要一种新方法,能够在线清除在硅片的取放、传输、升降、托盘旋转、设备抽气、排风以及反应室物理化学反应过程中所产生的污染。

总之,硅片清洗的发展趋势是全自动在线干法清洗技术,特别是随着硅片尺寸的大直径化,一些落后的非自动非在线清洗工艺必将被淘汰。


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