欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻资讯

玻璃微加工工艺的研究

时间: 2021-02-25
点击次数: 1

本文介绍了玻璃微加工的工艺,包括喷砂,湿法蚀刻,反应离子蚀刻(RIE)和玻璃回流技术。根据实验介绍并讨论了每种方法的优缺点。喷砂和湿法蚀刻技术是简单的工艺,但是在小而高纵横比的结构中却面临困难。演示了喷砂处理过的2 cm×2 cm Tempax玻璃晶片,其蚀刻深度约为150 µm。通过湿蚀刻工艺观察到具有蚀刻深度和侧面约20μmTempax玻璃结构。这项工作最重要的方面是开发RIE和玻璃回流焊技术。这些方法的当前挑战在此得到解决。深Tempax玻璃柱,表面光滑,垂直,通过RIE技术获得了直径为1μm的玻璃柱,纵横比为2μm,蚀刻深度为10μm的高深宽比为10的玻璃。通过玻璃回流技术成功地演示了嵌入在Tempax玻璃内部的贯穿硅晶片互连。研究了玻璃回流到大腔体(大于100μm),微沟槽(0.8μm宽沟槽)和微毛细管(直径1μm)的情况。进行了工艺流程的其他优化,以使玻璃渗透到微型图案中。并研究了微毛细管(直径为1μm)。进行了工艺流程的其他优化,以使玻璃渗透到微型图案中。并研究了微毛细管(直径为1μm)。进行了工艺流程的其他优化,以使玻璃渗透到微型图案中。

关键词:玻璃微加工,湿法蚀刻,喷砂,反应离子蚀刻,玻璃回流工艺

去:

1.简介

由于玻璃的优异材料性能,包括透明度,机械强度,和介电性能,该玻璃已经被广泛用于微纳米机械系统[ 12 ],微纳米流体装置[ 34 ],和光学MEMS(微机电系统)设备[ 5 ]。的玻璃基板,可以容易地连接到经由阳极接合工艺的硅衬底没有任何额外的粘合剂,而这些键的密封件表现出良好的气密真空[ 67 ]和高粘合强度[ 8 ]。不幸的是,玻璃很难以微米级的尺度精确地加工。

在过去的几十年中,硅的微纳米制造技术已经得到研究和发展。高深宽比的硅图形结构可通过深RIE技术轻松实现[ 9 ]。反过来,对玻璃微机械加工的研究较少。有在SiO的蚀刻许多研究2 [ 101112 ]; 然而,玻璃的蚀刻比SiO 2的蚀刻困难更大。TEMPAX玻璃的组分包括大约75%的SiO 213%的Na 2 O10.5CaO和其它少量添加剂,如1.3%的Al 2 ö 30.3K 2 O,等。因此,玻璃不是纯SiO 2,而是向玻璃中添加在蚀刻过程中具有不同蚀刻速率的其他成分。因此,低纵横比,低蚀刻速率,有限的掩模选择性和高表面粗糙度仍然是玻璃微加工中的当前问题。

目前微机械加工玻璃的几种技术存在的,包括钻孔[ 13 ],铣[ 13 ],激光[ 13 ],喷砂[ 13 ],湿式蚀刻[ 1415 ],干蚀刻[ 161718 ],玻璃模制技术[ 619202122 ],等。前三种方法通常用于较大的图案尺寸和较小结构的面问题。喷砂技术会导致粗糙的蚀刻表面,并且难以制造100μm以下的小图案。深玻璃蚀刻的湿法蚀刻可通过光滑的侧壁实现;然而,由于其各向同性的刻蚀行为,长宽比受到限制。而且,关于侧面蚀刻,尺寸再现性可能是困难的。与干法刻蚀相反,它可以实现精确的微加工;然而,在深蚀刻中仍然存在蚀刻速率,掩模选择性和蚀刻质量的挑战。玻璃成型技术,也称为玻璃吹制和玻璃回流,是用于广泛的微系统应用的潜在技术。在本质上,玻璃吹制可以认为是玻璃回流的反向。在以前的出版物中已经描述了玻璃吹制[19 ]。首先,将硅中的蚀刻腔与薄玻璃晶圆结合在一起。然后,将该晶片在炉内在高温下加热。由于空腔中截留气体的膨胀,玻璃被吹入三维球形壳中。已经提出了高Q因子微玻璃吹制的酒杯谐振器[ 20 ]。另外,使用玻璃吹制已成功地证明了双面微透镜阵列[ 21 ]。反过来,对于玻璃回流,需要真空腔。真空在真空腔内的玻璃上施加力,在高温过程中将其拉入腔中。玻璃可以渗透到大空腔中;但是,玻璃不容易拉成狭窄的图案[ 622 ]

在这项工作中,研究和评估了四种用于玻璃微加工的技术,包括喷砂,湿法蚀刻,RIE和玻璃回流技术。喷砂和湿法蚀刻技术是简单的工艺,但是它们面临着小而高纵横比的结构的难题。通过使用RIE,还研究了具有光滑表面,垂直形状和高纵横比的深Tempax玻璃柱结构。最后,研究了玻璃回流到大腔体,微沟槽和微毛细管中的情况。

2.实验与讨论

2.1。喷沙

喷砂是一种技术,其中将微粒射流引向目标(样品)以通过高速磨料颗粒的撞击通过机械腐蚀去除材料。喷砂工艺可用于蚀刻各种材料,例如玻璃[ 13 ],陶瓷[ 2 ](例如:LTCC(低温共烧陶瓷))和硅。

1图中所示为喷砂装置,通常由喷嘴,微粉和可移动平台组成。通过喷砂机的喷嘴,高压气流使颗粒向样品加速。样品的蚀刻速率通常由粉末的喷射速度(80-290 m / s)和工作台移动速度(X速度和Y速度)控制。在这项工作中,喷砂工艺用于Tempax玻璃的图案化,使用的Al 2 O 3粉末的粒径为14μm。图2说明了在玻璃晶圆上喷砂的实验过程。厚度为300 µm的玻璃基板(图2a)用于此过程。粘贴厚度为50μm的干膜抗蚀剂(MS 7050Toray,东京,日本),然后执行光刻,如图图2b。接下来,通过喷砂蚀刻具有干膜抗蚀剂图案的玻璃晶片。如图所示,在喷砂条件下,玻璃蚀刻深度约为150 µm。表格1。喷砂效果的插图图像显示在图3。图中给出了2 cm×2 cm的玻璃晶片和AA'横截面图3ab。玻璃蚀刻表面非常粗糙,蚀刻轮廓演变为V形,如图所示图3

玻璃微加工工艺的研究 

玻璃微加工工艺的研究 

玻璃微加工工艺的研究 

玻璃微加工工艺的研究 

综上所述,喷砂技术的优点是简单,成本低,定向刻蚀准确。然而,由于干膜抗蚀剂分辨率的限制和粉末颗粒的大尺寸,对于小图案来说是困难的。此外,如上所述,粗糙的蚀刻表面和锥形蚀刻轮廓面临困难。在喷砂过程中渗透到蚀刻表面的Al 2 O 3粉末可以在后处理过程中释放出来。因此,在器件制造的表面上可能会出现许多颗粒。将该方法的优缺点与其他方法进行了比较表2

玻璃微加工工艺的研究


Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开