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摘要
在这项研究中，干膜光刻胶使用 UV 光刻进行图案化，并优化侧壁轮廓以实现垂直侧壁。干膜的侧壁垂直度对于更好的图案转移非常重要。部分因子设计 (FFD) 方法用于确定侧壁优化的重要变量。重要的因素是曝光能量。其他因素在改善侧壁垂直度方面不显着。侧壁角度范围从 64 ± 5° 到 86 ± 5°。发现侧壁斜率随着曝光能量的降低而增加。
光刻图案化干膜的反应离子蚀刻（RIE）在干膜掩模的制造中是必要的。使用 Ar 等离子体和 CF4-O2 等离子体进行具有优化侧壁的干膜 RIE。全因子实验设计用于确定影响过程的关键因素。氧气流速和射频功率是使用 CF4-O2 等离子体的干膜 RIE 的重要变量。蚀刻速率范围从 ~150 nm/min 到 ~5000 nm/min。蚀刻速率随着射频功率和氧气流速的增加而增加。发现 RF 功率和时间对 Ar 等离子体很重要。
制造的具有几乎垂直侧壁的干膜模具用于电镀铜和 Ti 剥离应用。使用部分因子设计优化电镀工艺。正如预期的那样，发现电流密度和电镀时间很重要。与较高的电流密度相比，较低的电流密度导致更光滑、细粒度的沉积物。然而，镀液pH值对干膜的影响还有待研究。具有增加侧壁斜率的干膜模具在电镀铜和 Ti 剥离方面表现出更好的图案转移。
介绍
光刻胶
光刻胶是一种用于微电子行业的感光材料，用于在基材表面形成图案涂层。使用称为光刻的工艺将图案从光掩模转移到晶片上。在此过程中，将光刻胶涂覆在晶片上并通过掩模曝光。在抗蚀剂的这些曝光区域中发生光化学反应，然后很容易将其溶解在显影剂溶液中。抗蚀剂图案取决于光掩模图案和抗蚀剂的极性。正性光刻胶以这样一种方式对光作出反应，从而使曝光区域在显影过程中更快地溶解。换句话说，抗蚀剂的未曝光区域将保持不变。
本文讲述光阻的类型，干膜光刻胶，干膜电镀工艺，干膜剥离工艺等问题
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