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残留物清除
残留物去除通常发生在蚀刻或注入步骤之后。由于光致抗蚀剂是一种含有长链聚合物的有机材料，当没有其他物质存在时，氧化很容易，聚合物从表面的去除也就完成了。然而，当存在来自先前处理的残留物时，必须在晶片被送至下一步骤之前将其去除。残渣去除的难度取决于之前的处理；抗蚀剂的烘焙通过耗尽溶剂使其硬化，紫外(UV)曝光使抗蚀剂交联(参考)，蚀刻耗尽抗蚀剂的溶剂并蚀刻抗蚀剂，同时在表面上沉积聚合物(参考)，离子注入使抗蚀剂交联并脱氢，在抗蚀剂的外表面附近产生“外壳”。
残余物必须被去除，并且通常与光致抗蚀剂掩模的等离子体剥离相结合。残余物既含有有机(通常含氟)材料，也含有无机(通常含硅)材料。例如，在蚀刻栅极叠层之后，除了保留在蚀刻区域中的不想要的栅极氧化物之外，通常使用一系列SPM和HF来去除蚀刻和剥离残留物。
预氧化清洗
由于在器件制造区域发现的大气污染，有机薄膜薄层存在于晶片表面。有机蒸汽会从聚合物部件中释放出来，例如晶片载体和建筑材料。虽然这些污染水平很低，但是晶片接受的处理对这些低水平很敏感，例如，在热处理之前必须清洁表面。在许多制造领域，SPM清洗步骤是RCA预热清洗过程的一部分。
SPM后冲洗和干燥
粘性SPM很难从晶圆表面去除，需要大量冲洗。表面的吸湿硫残留物会吸收水分并产生颗粒缺陷。有效的冲洗对于防止任何残留化学物质残留在晶片表面至关重要。本技术指南涵盖了冲洗。SPM处理后的干燥取决于晶片表面。对裸露的硅表面进行SPM处理会产生一个薄的氧化物层，称为化学氧化物，具有自限性，通常小于1.0-1.2纳米，不是化学计量的二氧化硅，而是二氧化硅。因此，在SPM处理后，硅表面是亲水的，可以用各种技术干燥，表面张力梯度干燥在本技术指南中讨论。
SPM前和后处理
在SPM工艺之后，可以使用其他化学浴来获得期望的表面调节结果。SPM后的SC-1(表面处理–1，H2SO4:H2O2::H2O)处理通常用作清除有机薄层的清理步骤，或用于颗粒清除功能。SC-1可以用在专用浴池的同一个湿工作台上，也可以用在单独的湿工作台上。本技术指南的RCA清洁部分讨论了SC-1.. 在SPM工艺之前或之后，使用基于HF的配方从侧壁去除含硅聚合物和碳氟聚合物，特别是在栅极蚀刻工艺之后。此外，极低浓度的氟化氢被添加到表面等离子体处理中，以改变晶片表面的润湿特性，从而使化学物质在清洗后有效地从晶片中排出。
化学过滤和再加工
对于H2SO4和H2O2，根据所用过滤器的类型，带有过滤器的化学分配系统可以将颗粒水平降低10-500倍。
从再处理器出来的颗粒数小于6个/毫升(> 0.5米)，小于0.007个/毫升(> 1米)。再处理器可用于H2SO4，通常使用蒸馏，结合过滤和离子交换树脂从化学物流中去除污染物。MTS H2SO4再处理器在H2O和残余H2O2被热消除后，使用真空蒸馏塔纯化H2SO4。MTS再处理器可以安装在化学品分配系统中。
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