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摘要 

       硅主导半导体行业是有充分理由的。 一个因素是稳定，容易形成，绝缘氧化物，这有助于高性能 并允许实际处理。 这些美德如何才能作为新的美德继续存在对完整性、特征尺寸的小型化和其他方面提出了要求 尺寸，以及对加工和制造方法的限制? 这些需求使得识别、量化和预测控制增长的关键变得至关重要以及原子尺度上的缺陷过程。理论与新实验的结合(同位素方法、电子方法) 噪声、自旋共振、脉冲激光原子探针等解吸方法，特别是扫描隧道显微镜或原子力显微镜)提供了工具他对模型的影响刚刚得到认可。 我们讨论电流硅氧化的统一模型，超越了传统的描述的动力学和椭偏数据，明确地解决问题提出同位素实验。 这个框架仍然是Deal-Grove模式提供了一种现象学来描述行为的主要机制给出了一个基础，从这个基础可以对实质性的偏差进行描述在这个模型中，生长受到扩散和界面反应的限制 系列。 与Deal-Grove的差异仅对第一批投资者最为显著几十个氧化物原子层，这对超薄的氧化物层至关重要现在要求。 几个重要的特征出现了。 首先是压力的作用和应力松弛。 其次是最接近硅的氧化物的性质进一步分析了其缺陷及其与非晶化学计量氧化物的区别输出，无论是在组成、网络拓扑或其他方面。 第三,我们必须考虑固定和移动物种的电荷状态。 在薄膜中不同的介电常数，图像项可能很重要; 这些方面影响光谱解释，氧化剂种类的注入和相对缺陷稳定性。 随着铅浓度的提高，这一点变得更加重要与界面应力相关。 这就进一步提出了关于完美的问题的氧化物随机网络和合并的间隙种分子氧。重要的是界面粗糙度。 这些特性取决于预栅氧化物清洗并确定要氧化的硅表面可能有对上面列出的特性的影响。

介绍  

      硅一直主导着半导体行业长久以来，这两者几乎成了同义词。在一定程度上，这是优秀的基础教育的结果硅的性质; 部分原因是经验的丰富在材料控制方面，以便克服障碍有信心。 在一定程度上，它也是附属性质就像一种容易形成的，稳定的，绝缘的氧化物允许在加工和高路线的独创性的性能。 是氧化物提供了边缘对于硅(在其他因素中)，例如111-Vs，或钻石。 工业驱动着更高的包装  CMOS器件的密度要求这种技术优势需要更薄的氧化物来维持门电介质。 硅的霸主地位能维持下去吗? 在纳米级时，是否需要新的方法比例真的是正确的特征长度吗? 有新问题，也有新机遇吗? 为  主要领域半导体技术，范围广泛因素包括:氧化物的分解和磨损，具有足够的过程控制和噪音的制造能力与氧化物中的陷阱，氧化物中的电荷有关影响界面附近的传输等。因此，在这次审查中，我们集中讨论如何着手我们对薄的生长和性质的理解。

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本文讲述了C J索菲尔德和A M斯通汉姆，氧化的基本概念，Si/氧化物界面附近的氧化物性质等一些问题。

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