欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829
 
 
 
新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
新闻中心 新闻资讯

氧化剥离技术

时间: 2021-09-23
点击次数: 6

氧化剥离技术

扫码添加微信,获取更多半导体相关资料

摘要

       降低混合集成结构中由于热膨胀系数差异而产生的应力需要去除衬底,这是关键因素之一。由于铝牺牲层和高铝含量DBR层之间的刻蚀选择性低,常用的外延剥离技术很难用于制作全外延介质阻挡半导体激光器。提出并论证了一种新的去除底物的方法——氧化剥离法。与外延剥离法相比,该工艺对铝含量显示出更高的选择性,外延剥离法允许释放具有外延DBR和硅上单独元件的垂直腔面发射激光器结构,减少了工艺步骤的数量,并最终降低了制造/集成器件的成本。金锗合金用于分子束外延生长的氧化剥离结构的金属键合。1米厚的AlAs嵌入牺牲层被横向氧化,以从GaAs衬底释放部分处理的器件。在硅衬底上制作了分离式垂直腔面发射激光器的2D阵列。接触退火、衬底去除、器件分离、键合和氧化物孔的形成在单个处理步骤中完成。测量了所制备器件的电致发光光谱、伏安特性和π特性。发现制造的器件的串联电阻约为100欧姆。对于孔径为25 m的器件,证明了阈值电流为8 mA的激射。

 

介绍

      由于热膨胀系数差异引起的应力集成技术应包括衬底释放和器件分离。去除或减薄GaAs衬底是将热失配应力降低到可接受水平的重要第一步。我们的有限元分析表明,减薄附着的GaAs层会使应力值降低3-6倍,这可能会增强系统的完整性,防止用于焊接的焊料凸块断裂/空隙化以及应力导致的激光二极管退化。第二个重要步骤是分离基于GaAs的部件,以减少粘合结构的面积,并因此防止变薄的ⅲ-ⅴ层的翘曲和破裂。

      虽然有几种方法被证明可以去除GaAs衬底,但是这种技术仍然具有挑战性,特别当与硅芯片上的已处理器件的分离相结合时。三种最广泛使用的衬底去除方法:(一)湿法蚀刻,(二)智能切割和(三)外延剥离当用于制造高效的基于铝镓砷的发光器件,如垂直腔面发射激光器和谐振腔光电探测器时,具有特定的问题。

 

GaAs基质释放的湿法氧化

      湿法氧化工艺的主要优点是对铝镓砷合金中的铝含量有极高的选择性。这一特性要求在异质结构生长过程中对成分进行精确控制,以实现可再现的氧化。然而,高铝含量合金的生长在再现性方面是有问题的。分子束外延提供了一种采用短周期超晶格(也称为数字合金)的方法,这种超晶格由几个单层(ML)厚的层组成,与合金相比,可以增强对成分的控制。在分子束外延中,在不改变渗出池温度的情况下,可以生长多种组成的单光子晶体硅。此外,与合金相比,SPSL在生长过程中保持原子级光滑表面,这在生长总厚度超过10 μm的非常厚的结构(如垂直腔面发射激光器)时尤其重要。

 氧化剥离技术

      图1 氧化速率与各种氧化温度下的铝含量,说明湿式氧化工艺相对于100纳米厚的待氧化层的铝含量的选择性。虚线的开放符号对应合金,实线的封闭符号对应短周期超晶格。带有十字的细线显示了缓冲氧化物蚀刻溶液的湿法蚀刻速率对成分的依赖性,这对于参考文献中的外延剥离(ELO)是典型的。

 

结果和讨论

      大多数典型的键合方案包括焊料凸块,类似于倒装芯片封装、聚合物胶或金属合金以将光电子元件附着到硅上。

      在实验中,金锗合金是一个自然的选择,因为它是n型GaAs广泛使用的欧姆接触金属。在所采用的键合技术中,键合合金成为硅上金属化方案的一部分,并用作光电元件的电触点。金属也有利于集成所需的高导热性.另一方面,金属结合的问题是对可能用于进一步加工的湿化学物质的稳定性差。无论在外延剥离技术中使用哪种键合材料,衬底释放和器件分离步骤都应该在键合周期中完成。否则,冷却后结构可能会断裂。

      通过氧化剥离技术在硅二氧化硅晶片上制造的器件台面的光学图像和光纤截面如图6所示。

       氧化剥离方法结合了外延剥离(ELO)的有益特性和引言中描述的智能切割技术。类似于智能切割方法,横向氧化产生应力层,但不通过器件结构注入。与ELO类似,湿式氧化是对薄层的横向修改,不涉及对GaAs衬底主体的蚀刻。与ELO不同,湿法氧化在铝镓砷化合物中铝含量高时具有高度选择性。此外,氧化剥离允许在单个热处理工艺步骤中获得结合、器件层释放和器件分离。

  

结论  

      混合集成垂直腔面发射激光器通过氧化剥离技术制作在硅片上。通过反应离子蚀刻形成的器件台面使用金、锗合金的金属结合结合到硅晶片。通过垂直腔面发射激光器结构的湿法横向氧化,在相同的处理步骤中完成衬底去除、键合、接触退火和氧化物孔的形成。本文展示了所制备器件的激光、电学和光学特性。 

      本文所提出的技术可以用于各种基于GaAs的器件的异质集成,例如激光器、发光二极管、光电探测器、晶体管等。硅或其他衬底。这些应用包括各种大型宽带光通信和互连模块,包括芯片级光互连、需要将高性能ⅲ-ⅴ族半导体元件与硅电路集成的各种射频和微波系统、利用光和微波技术的各种传感器应用。

 

文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁


Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开