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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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新型3-D RF微结构集成的光刻胶涂层方法

时间: 2021-09-24
点击次数: 17

新型3-D RF微结构集成的光刻胶涂层方法

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摘要

      本文介绍了在大型三维形貌表面上涂覆光刻胶的三种方法。介绍和研究了两种制备三维微结构和射频微机电系统器件的特殊方法:喷射法和电沉积法。概述了每种方法的特点及其优缺点。从复杂性、性能和应用类型方面进行比较,指出最合适的涂覆方法。这些涂层方法的潜力通过多级微机械加工结构和射频微机电系统器件的制造等应用得到了证明。

 

介绍

       对于一些微机电系统应用来说,将图案转移到具有广泛形貌的硅片上需要在非平面表面上有均匀的光刻胶层。迄今为止,已经引入了三种光致抗蚀剂涂覆技术来制造微机电系统器件。旋涂是最常规的涂覆方法,用于标准的平面晶片。它并不总是令人满意的,只能在某些微机电系统应用中进行某些修改。应考虑诸如电沉积和光刻胶喷涂等替代方法。据报道,光致抗蚀剂的电沉积对于芯片的三维堆叠是一种有吸引力的方法,但是它需要导电层。最近,一种新的涂覆方法,光致抗蚀剂的直接喷涂被引入作为用于微系统的另一种光致抗蚀剂涂覆技术。

  

旋涂和喷涂

      光刻胶旋涂是集成电路工艺中平面晶片的标准涂覆方法。涂覆过程从将光致抗蚀剂溢流到晶片上开始,以便覆盖整个表面。具有快速旋转速度的第二步促进了膜的干燥,并减少了光致抗蚀剂的进一步流动,这可能导致不均匀的涂层。然后用第二(M2)掩模曝光晶片。需要高曝光能量来确保所有结构都打开。这种显影剂解决方案提供了高对比度图像。这种光刻胶不需要后烘焙。

      旋涂是一种成熟的技术,使用商业上可获得的设备和光刻胶。该工艺与集成电路技术兼容,可用于所有类型衬底层的所有加工阶段。不足之处——主要障碍是旋转时的离心力造成的。深蚀刻的特征对溶液流动造成物理阻碍,阻止完全覆盖,并且经常导致条纹或光致抗蚀剂厚度变化,例如在晶片上不同位置的空腔的近侧和远侧或空腔之间的变化。

       与旋涂相比,喷涂的原理不同,它是直接喷射系统包括超声波喷嘴,其产生微米大小的液滴分布。它可以减少晶片上光刻胶的流体动力学效应气溶胶的中心部分被传送到分配喷嘴,该分配喷嘴被构造成降低载气压力并垂直于衬底表面改变光刻胶喷雾的方向。在喷涂过程中,当喷涂单元的旋转臂在晶片上移动时,晶片缓慢旋转。旋转允许光致抗蚀剂覆盖空腔中的所有角度。

      对于涂覆非平面表面,喷涂比旋涂有一些优点首先,这种技术使用的光刻胶比旋涂少得多。事实上,对于旋涂,晶片充满光刻胶,但是由于高转速,只有少量光刻胶保留在晶片上。对于喷涂,非常细小的光刻胶液滴直接沉积在晶片上并形成层。抗蚀剂损失的量只是喷向空气或排气系统的一小部分。

尽管喷射技术比旋转给出更好的结果,但是如果在同一晶片上存在尺寸差异很大的空腔,则可以观察到光刻胶厚度的微小变化。小腔底部的光刻胶厚度比大腔厚。如果空腔的尺寸差异较大,将导致空腔之间的光刻胶厚度变化较大。因此,当在晶片上使用相同的曝光能量时,这可能影响光致抗蚀剂中印刷图案的分辨率。

新型3-D RF微结构集成的光刻胶涂层方法 

3 在晶圆上不同位置的375m深腔底部与H=V=2=3的光刻胶厚度和均匀性

新型3-D RF微结构集成的光刻胶涂层方法  

4 两个空腔之间的光刻胶涂覆的晶片表面的图像:a)使用喷涂和b)使用旋涂

 

涂层方法和应用的比较

       当用于涂覆具有高形貌的晶片时,光致抗蚀剂的旋涂、喷涂和电泳涂覆各有其优点和缺点。根据每种镀膜方法的特点,我们将不同的镀膜工艺组合成一个工艺,实现三维射频器件。使用这些涂层技术已经开发了用于射频器件实现的后处理模块。使用该模块已经实现了许多射频结构,例如:低损耗微带传输线、导体背衬电感器、串扰阻挡层、表面下电感器和芯片内传输线。旋涂和喷涂可用于制造两级块状微结构。两级体微机械加工结构的一个例子如图2所示。9a)。具有8个到达晶片正面的晶片通孔的微机械加工结构的特写图如图9b。在第二次蚀刻之后,在空腔底部图案化的正方形具有正确的形状,表明氮化物掩模层的良好图案化。

      在最后一步使用ED光刻胶涂层进行金属图形化。该方法利用有源器件金属化层作为涂覆的电镀基底。此外,这种涂层技术的非常保形的特性允许在多层蚀刻表面上延伸的细线的定义。

 

结论

      为了实现三维结构,介绍了旋涂、喷涂和增感光刻胶三种涂覆方法。进行实验以评估每种涂覆方法的适用性以及其对于微机电系统应用的优点和缺点。总之,我们可以得出结论,旋涂和喷涂可以用于所有类型的表面材料,并且优选用于图案化深腔底部的接触窗口或结构。旋涂可以在标准设备中进行,但是再现性难以控制。另一方面,喷涂需要特殊的设备和光刻胶,但它带来了可控和更好的效果。最后一种涂覆方法,即ED光刻胶涂覆,更适合金属图案化,因为该方法需要金属层作为电镀的种子层。所以这种技术通常被用作后端流程。通过将不同的涂覆方法结合到一个过程中,我们成功地制造了几个三维结构。微机电系统和微电子学中的其他新应用。

 

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