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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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自选择性化学镀

时间: 2021-09-26
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自选择性化学镀

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摘要

      自选择性无电电镀是一种生产功能性一维纳米材料的新方法。该技术基于传统的无静电电镀,利用基底和表面金属沉积来产生所需的功能纳米结构。综述了过去6年的进展和进展,包括通过自选择性无电电镀实现的硅纳米线阵列和伴随的贵金属树突的生产、可能的生长机制和未来的挑战。本文讨论了这种方法对未来发展新颖和独特的纳米器件的作用,这是用传统的制造技术无法实现的。有趣的最新结果表明,该产品的选择性是可以通过控制无静电电镀过程和后表面处理来获得的。

 

介绍

      无电镀是指金属离子水溶液的自动催化或化学还原以及随后在基材上的电镀。在这个过程中,金属离子被还原剂还原成金属,还原剂仅仅是电子供体,金属离子是与电子供体反应的电子受体。催化剂是加速允许还原剂氧化的无电化学反应的样品。在传统的无电镀中,基底提供了防止蚀刻的催化表面。多孔硅因其在光电子学中的潜在应用而备受关注。生产多孔硅有三种电化学途径,即阳极蚀刻、光电化学蚀刻和激光辅助蚀刻,所有这三种方法都在酸性氟化物溶液中进行。

      金属辅助无电蚀刻用于在基底上产生所需的纳米结构,但在金属沉积中不起主要作用。这与采用表面金属化的常规化学镀形成对比。

 

硅上的自选择性化学镀

       化学镀是基于电偶置换反应,其中阴极反应和阳极反应同时发生。在硅-硝酸银-氟化氢系统中,银离子注入的空穴被氧化过程消耗,沉积可以在没有外加偏压的情况下进行。以下描述了可能的机制。

      注入的空穴被硅表面的氧化所消耗,衬底原子被银原子取代(置换电镀)

      银沉积过程中注入的空穴转移到溶液中的电子供体。

      溶液中的银离子和还原剂直接在表面上的催化位点反应,而不涉及电荷转移过程中的底物。

      基于某些考虑,可以推导出SiNW阵列的自选择性化学镀的可能机制(见图。5) 开始时,硅蚀刻和银/金沉积同时发生在硅表面。沉积的银/金原子在硅衬底表面形成核,因此,许多银/金纳米团簇最初均匀分布在硅衬底表面。这些纳米团簇和围绕这些核的区域分别作为电化学氧化还原反应中的局部阴极和阳极。也就是说,在氢氟酸水溶液中,许多纳米尺寸的独立式电解池可以自发地在硅表面组装。一般来说,这些金属纳米团簇在化学镀期间具有强烈的聚结并形成连续膜的趋势。在工业应用中,聚结比金属涂层更有利,但同时会导致独立式电解池的消失和硅衬底的均匀蚀刻。

 自选择性化学镀

5 SiNW阵列和银枝晶生长过程的示意图 

      在硅的自选择性化学镀中,树枝状金属镀层对SiNW阵列的形成起着重要作用。银/金枝晶的形成应在扩散限制聚集模型的框架内考虑,该模型包括通过随机路径将颗粒粘附到选定的种子上形成团簇,以及颗粒扩散以粘附到生长的结构上,如图12所示。

 

自选择性化学镀制备功能性1D复合纳米材料

      自选择性化学镀可用于制造大面积定向SiNW p-n结二极管和超晶格阵列。图17显示了用于制造大面积shows结二极管阵列的程序。通过自选择性化学镀,可以定制SiNW p-n结的电特性,因为可以预先建立平面硅p-n结的电特性。SiNWpn结二极管阵列的直接和可预测的合成代表了制造基于SiNW的纳米器件的重要一步。特别是,这项技术以低成本大规模生产基于SiNW的纳米器件。

      图19显示了SiOxNy覆盖的SiNW阵列的形成过程的示意图。用等离子体浸没离子注入和沉积(PIII&D) 处理覆盖有150纳米厚的非晶硅薄膜的硅晶片。由于氧化硅层对氟化氢具有反应性,所以氧化硅覆盖的氮化硅膜是通过自选择性化学镀形成的。

 自选择性化学镀

19 Sioxny帽状SiNW阵列的生长过程示意图

 未来的挑战

       尽管在理解自选择性化学镀方面已经取得了实质性进展,但在该技术被更广泛地用于制备功能性1D纳米材料之前,路线图中还存在一些挑战。下面列出了一些关键问题:

      生长机制——在硅上的自选择性化学镀中,一些人认为银保护下面的硅免受蚀刻,而另一些人假设银颗粒只催化与其接触的硅衬底的蚀刻。另一个学派认为银团簇的网络结构影响垂直锡钨的形成。然而,这些提出的机制没有足够的实验证据支持,必须做出一些假设。因此,对硅上自选择化学镀的详细机理的研究需要更多的研究。

      纳米线合成——虽然通过自选择性化学镀控制合成SiNW阵列的方法已经开发出来,但是推广这种方法来生产各种半导体纳米线还为时过早。例如,在锗的自选择性化学镀中,在蚀刻的锗晶片表面发现了中间纳米孔。薄孔壁随后的化学溶解被认为扩大了孔并导致相邻孔的合并。因此,在足够长的蚀刻时间后,高密度的纳米线应该保留在表面上。然而,很少有人关注自选择性化学镀期间锗晶片的演变。我们相信,自选择性化学镀也可以扩展到其他材料,如碳化硅和氮化镓。因此,不仅迫切需要研究硅上自选择化学镀的特性,而且需要寻找新的应用和制造其他半导体纳米线。

      功能性纳米材料——纳米技术的基础是能够制造出具有新颖独特性能的纳米结构材料。尽管有可能借助自选择性化学镀来生产原型纳米器件,如基于SiNW的光伏电池、SiNW p-n结二极管阵列和p-PDEF/n-SiNW异质结,但该技术必须扩展,大规模生产需要更巧妙的工程。

      综述了自选择性化学镀的最新进展。该技术可以制备许多功能性1D纳米材料,并讨论了可能的生长机制和未来的挑战。该技术在开发新颖独特的纳米器件方面发挥了重要作用,否则无法用传统方法制造。应该注意的是,自选择性化学镀的研究仍处于起步阶段,这一技术在纳米技术中的更广泛应用需要取得进展。

 

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