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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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兆声波辅助湿法化学处理去除凸块工艺光掩模

时间: 2021-10-08
点击次数: 5

兆声波辅助湿法化学处理去除凸块工艺光掩模

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摘要

      由TOK、JSR、陶氏化学等公司生产的新一代负色调和化学放大的正色调光阻剂在先进的包装应用中获得了发展势头。随着铜柱和微凸起的采用,树脂的厚度要求正在增加到40-100µm的范围。为了形成柱子,抵抗面罩必须更厚以包含整个凸结构。Akrion系统的工程师开发了一种新型的、单晶片的、厚的PR条工艺,目的是降低先进包装工艺流程中这一步骤的拥有成本(氧化亚钴)。使用有机溶剂加上独特的超气体能力,与传统工艺相比,该工艺减少了40%或更多的工艺时间和相关的化学消耗。

 

背景

      负音阻的一个已知缺点是,高度交联电阻掩模的溶剂带时间比典型的正音阻要长得多。注意到,在他们的实验中使用的两种正抗蚀剂带时间为5分钟,而AZ-100nXT负色调抗蚀剂使用AZ400T的抗蚀剂带时间为50分钟。其他主要负阻剥离供应商的数据表上也记录了长剥离时间或特殊的剥离要求。类似的问题也出现在化学放大的正音调抵抗中,与非化学放大的正抵抗相比。基于这些厚抗蚀剂去除的挑战,已经开发了各种方法,以降低执行这一过程所需的成本、时间和化学消耗。阿克里星系统的工程师开发了一种完全的单晶圆工艺,在这种工艺中,溶剂和光刻胶的反应速率通过热量和专有形式的巨气搅拌来增加反应速率。

 

实验

      两步法已经成为去除高达60µm厚的抗蚀性的最有效的方法。在第一步中,使用在60-80℃和低晶圆旋转速度下的溶剂暴露时间来开始膨胀和溶解厚厚的光刻胶层。接下来是第二个溶剂暴露步骤,使用侵略性的正面巨气能量来促进聚合物链在整个光致抗蚀剂层的断裂。在这一步骤之后,去离子水冲洗和旋转干燥步骤足以完全去除溶剂、溶解的光致抗蚀剂和任何聚合物残留物。该工艺可以根据所使用的抗蚀剂厚度和溶剂剥离化学方法对时间和温度进行优化。典型流程的流程图如图1所示。

      转移到晶片表面化学溶剂弯月板中的巨气能量在驱动溶剂和光刻胶之间的反应中起着非常重要的作用。一旦光刻胶膨胀并开始溶解,超气能学提供的搅拌有助于驱动聚合物链断裂反应。它还有助于减少更靠近晶圆表面的流体边界层,驱动表面残基的去除,类似于图2所示的粒子去除现象的说明。

兆声波辅助湿法化学处理去除凸块工艺光掩模 

1 厚光刻胶去除工艺流程图

兆声波辅助湿法化学处理去除凸块工艺光掩模 

2 兆声对流体边界层的影响

阴性锥复位结果

      每个过程的显著参数如表1所示,结果结构的扫描电镜图像如图4所示。20µm,JSRTHB-126N抗蚀剂剥离工艺中,100W功率下的超气体搅拌提供了60秒或40%的工艺时间减少,并在回收前相应的溶剂使用减少1升,也是40%。第二种JSR抗阻条工艺以类似的方法开发,并与宏电子的可实现的工艺时间和不使用宏电子的传统工艺进行了比较。每个过程的显著参数如表2所示,结果结构的扫描电镜图像如图5所示。在50µm,JSRTHB-151N抗蚀剥离过程中,100W功率下的巨搅拌提供了至少60秒的过程时间减少(因为非巨电子样品的致密碰撞区域仍存在大量的残留物)。在回收前,每晶片至少减少1.5升,或每晶片消耗溶剂的50%。

 兆声波辅助湿法化学处理去除凸块工艺光掩模

1 JSR20µm条带工艺参数

化学放大的阳性抵抗结果

      再次使用了图1中所示相同的基本流程。在这种情况下,没有进行非超电子学的比较,但可以在20µm和40µm过程之间进行有趣的比较。工艺参数如表3所示,所得结构的扫描电镜图像如图6所示。

       TOK化学放大,正阻掩模比相似的抗剂厚度需要较短的溶剂剥离时间。有趣的是,在20µm和40µm掩码删除之间所需的处理时间的增量。需要延长14%的过程来去除100%厚的光溶剂涂层,这表明需要一定的固定的时间来启动光溶剂掩模内的溶剂反应,与厚度无关。作者怀疑,在这两种情况下,较高的溶剂温度将显著增加反应速率,并减少整个工艺时间。这将在即将到来的工作中进行研究,以及剥离相同的TOK光刻胶的100µm厚掩模的工艺开发。

 

结论

      阿克核粒子系统公司有效地应用其专利的单晶超电子技术来减少厚光刻胶剥离工艺步骤的氧化亚钴。对于20µm至50µm范围内的负色调光阻掩模,与典型的单晶片喷涂工艺相比,每个晶片的工艺时间和化学消耗的减少可以达到40%或更大。同样的超电子辅助工艺方法适用于厚的、化学放大的、正音阻掩模,本文显示了20µm到40µm的范围,并将扩展到100µm厚的掩模,在碰撞工艺要求的上限。

 

文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁


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