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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒

时间: 2021-10-15
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臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒

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摘要

      本研究开发了一种低拥有成本的臭氧去离子水清洗工艺。室温下40 ppm的臭氧浓度用于去除有机蜡膜和颗粒。仅经过商业脱蜡处理后,仍残留有厚度超过200的蜡残留物。由于臭氧的扩散限制反应,代替脱蜡器的DIO3处理在8000的厚蜡层上显示出低去除率。脱蜡器与DIO3漂洗相结合,以减少蜡去除时间并完全去除蜡残留物。用DIO3漂洗代替去离子漂洗导致表面接触角小于5°,这表明不需要进一步的清洗步骤。通过将SC-1清洗步骤与DIO3漂洗过程相结合,进一步提高了颗粒去除效率。通过在脱蜡过程中引入DIO3清洗,缩短了处理时间。

 

介绍

      通过几种抛光和清洗工艺,已经生产出通过直拉法生长的用于器件芯片制造的硅晶片。随着用于器件大规模生产的晶片尺寸的增加,半导体制造需要硅晶片的改善的均匀性和接近零的缺陷。通常,真空吸盘或薄膜类型的薄膜用于将晶片附着在抛光头上进行抛光处理。然而,有机蜡也被用于将晶片附着在头上,用于最终的批量型抛光工艺,特别是为了实现晶片的高均匀性。在抛光过程之后,应该从晶片背面去除有机蜡及其残留物。商业和专有的脱蜡器用于去除厚的有机蜡,但是在常规的晶片背面清洗工艺中,为了去除残留物和颗粒,遵循了SC-1清洗的几个步骤。它需要较长的处理时间、高温、大量的化学和去离子水浪费,从而导致高拥有成本(CoO).2)在本研究中,新的清洗工艺是用臭氧化二氧化碘水(DIO3)开发的,以实现低CoO

 

实验

      图4显示了作为臭氧气体压力和臭氧气体浓度的函数的去离子水中溶解的臭氧浓度的变化。在相同的臭氧气体浓度下,较高的臭氧气体压力对较高的DIO3浓度更有效。当O3气体压力过高时,O3气体由于过多产生气泡而不能有效溶解在去离子水中。优化的臭氧气体压力用于在最大溶解臭氧浓度下最小化气泡的产生。使用反射计(TE-2000,K-MAC)测量蜡膜的厚度。使用静态接触角分析仪观察表面润湿性。光学显微镜(LV100D,尼康)和傅里叶变换红外光谱(FTX-6000,Bio-Rad)用于分析清洗后晶片上的颗粒和蜡残留物。表面粒子扫描仪(Surfscan-6200,Tencor)用于测量清洗后晶片表面的粒子数量。

臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒 

4 溶解臭氧浓度随臭氧气体压力和浓度的函数

结果和讨论

      各种溶剂处理测试脱蜡器和水溶性溶剂以除去有机蜡。改变水溶性脱蜡剂的浓度以评估蜡膜的去除速率。图5显示了在40∶1至100∶1(去离子水∶脱蜡剂)的不同脱蜡剂浓度下,有机蜡的去除率随时间的变化。脱蜡剂浓度越高,去除有机蜡越有效。尽管脱蜡器能有效地除去稠的有机蜡,但很难完全除去有机蜡。在40 : 1脱蜡溶液中处理4分钟后,仍残留厚度大于300的蜡残余物。图6显示了用脱蜡剂、异丙醇和丙酮处理的表面的接触角随处理时间的变化。异丙醇和丙酮在去除大块蜡层方面与脱蜡剂一样有效。应该注意的是,即使在5分钟的处理后,没有一个样品达到20o以下。

      臭氧化去离子水处理:在不同浓度的DIO3中去除有机蜡。图7显示了溶解臭氧浓度40和68ppm溶解臭氧浓度的蜡去除率随时间的函数。高浓度的DIO3去除有机蜡。虽然DIO3在去除有机污染物方面非常有效,但DIO3的去除率过低厚蜡层。至少需要超过45min才能达到薄膜厚度小于500A,说明臭氧反应是扩散控制过程。DIO3去除有机化合物的机理如图所示。 

      脱蜡器和DIO3的组合:为了在短时间内去除蜡,商用消蜡器与DIO3结合。新工艺的目标是减少脱蜡时间和SC-1步骤。图中。9表示残余蜡的变化在解波器(1:40)中处理样品4min后,厚度随时间的函数。DIO3冲洗处理膜后,即使处理时间长于1min,膜厚度也低于100A。脱蜡处理4分钟后,经常规脱蜡和去离子水冲洗工艺后,仍有大于200A的蜡残留。

      另一方面,脱蜡过程后的DIO3冲洗代替去离子水冲洗,4min冲洗后的蜡小于50A。图中。10显示了用DIO3处理过的表面的接触角和光学图像。用DIO3代替DI冲洗后,接触角更低,蜡残留层更薄,如图所示。10(b),表示没有需要去除蜡的进一步清洗步骤。在冲洗后加入SC-1步骤后,无论臭氧处理如何,接触角都具有完全的亲水性。

 臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒

6 用消波剂、IPA和丙酮处理的表面接触角随处理时间的变化

 臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒

8 通过DIO3扩散控制反应去除有机颗粒的机理

颗粒的去除

      以评价二氧化硅对颗粒去除的影响效率(PRE),使用200mmp型(100)晶圆,如图所示。 11.最终的干燥是在室温下的马兰戈尼型IPA干燥机中进行的。脱蜡过程后的DIO3冲洗颗粒略低于去离子水,如图所示。11(b)。在清洗过程中加入SC-1步骤后,PRE显著增加。需要注意的是,SC-1与DIO3后的应用明显优于DIW冲洗后的PRE,如图所示。11(c)和(d)因为DIO3冲洗不仅去除蜡残留,还去除最终抛光引入的颗粒。与有24分钟工艺时间的常规工艺和开发的不到8分钟的工艺相比,PRE几乎相同。它还可以假设DIO3漂洗使晶片表面更具亲水性,这不仅防止了颗粒在冲洗过程中的粘附,而且提高了冲洗效率。


结论

     本研究采用DIO3有效清洗了用于抛光头上的重有机膜蜡膜。采用传统的脱蜡剂、IPA和丙酮相互去除有机蜡。脱蜡剂和溶剂处理后仍有大于200A的蜡残留。所有的溶剂都将表面接触角降低到20o,但没有降低。由于臭氧反应的扩散能力有限,DIO3仅不能去除厚蜡膜。用DIO3冲洗代替去离子水冲洗,不仅可以完全去除蜡渣,还可以去除颗粒,减少SC-1的清洁步骤。因此,DIO3的引入大大减少了工艺时间和化学消耗。

 

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