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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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CMP后化学机械抛光清洗中的纳米颗粒去除

时间: 2021-10-15
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CMP后化学机械抛光清洗中的纳米颗粒去除

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摘要

      本文研究了化学机械抛光(CMP)工艺后颗粒在晶圆表面的粘附情况。嵌入的颗粒可以是浆中的磨料颗粒、垫材料中的碎片和被抛光的薄膜颗粒。为了找到最有效的颗粒去除机理,研究了不同的去除方法。在cmp清洗后,在溶液中加入表面活性剂。结果与不含表面活性剂的清洗进行比较,表明通过刷扫的机械相互作用和表面活性剂在溶液中的化学作用(即摩擦化学相互作用),清洗更有效。数值分析还预测了添加表面活性剂后的颗粒去除率。计算了晶圆-粒子界面中存在的范德华力,以找出去除粒子所需的能量。最后,通过将范德华力建模为粒子与表面分离距离的函数,研究了粘附过程。弹性理论对纳米颗粒-表面相互作用的成功适应,揭示了CMP的清洗机制。该模型告诉我们,随着分离距离的减小,引力并不总是会增加。估计的力值可用于浆料设计和CMP工艺估计。

 

介绍

      化学机械抛光最初用于玻璃和硅片抛光。随着其功能的增加,化学机械抛光被引入到平面化层间电介质(ILD)、浅沟槽隔离(STI)和用于片上多级互连的镶嵌金属布线中。该工艺适用于半导体加工中的铜、钨和低介电常数介质。化学机械抛光的目标是实现粗糙表面的平面化。在化学机械抛光过程中,晶片被倒置在载体中,并被压入与流过浆液饱和抛光垫的浆液膜接触。晶片表面通过机械磨损和化学腐蚀进行抛光,以实现局部和整体平面化。这一过程对于制备光滑的表面层至关重要,以便后续过程可以从平坦的表面开始。

      本研究的主要目的是研究化学机械抛光后清洗中的颗粒去除机理。本研究采用了三种方法。首先是用刷扫法进行清洗,然后在清洗液中加入化学药品和添加剂,最后通过数值模拟来预测附着力范围和偏转表面。

 

化学机械抛光后清洗中纳米粒子的去除机理

      介绍:化学机械抛光的主要问题是残留颗粒含量高。根据化学机械抛光的类型和抛光条件,由于抛光垫施加的机械压力,这些颗粒可以物理吸附在表面或部分嵌入衬底中。由于范德华力在粘合过程中更占主导地位,因此必须通过刷子刷洗的机械力或使用化学溶液或添加剂来克服它。在微粒的情况下,机械力是不够的。因此,必须添加化学物质或添加剂来控制静电排斥,以防止颗粒重新粘附。这可以通过控制基底和颗粒上的电荷来实现,这可以通过改变溶液的酸碱度或添加表面活性剂来改变。

      实验:刷子用作上盘,晶片用作下盘。本研究使用聚乙烯醇刷子。为这个实验准备了两种清洗溶液。在第一种溶液中,使用10毫升去离子水作为清洗溶液。第二种溶液是通过混合10毫升去离子水和0.1重量%含醇醚硫酸盐的阴离子表面活性剂制成的。在数据采集之前,将直径为5毫米的刷子浸泡在去离子水中30分钟。清洁实验在室温下进行,参数如下:刷子压力为125帕,速度为0.5厘米/秒。刷子在晶片上的七个位置往复运动。清洗过程后,用去离子水在超声波清洗机中清洗样品1分钟,以防止颗粒再沉积到基底上。

      结果和讨论:用连续力学方法进一步分析了实验结果。结果如图14所示.从该图中可以推断,去除颗粒所需的力随着颗粒尺寸而变化。在达到一定尺寸后,机械移除的效果会显著降低。在这个阶段之后,使用表面活性剂将有助于减少去除较小颗粒所需的力。

      结论:这项研究为理解表面活性剂分子在化学机械抛光后清洗中的作用开辟了未来的研究领域。在这方面,我们将观察表面活性剂在达到临界胶束浓度(CMC)前后的行为。将讨论表面活性剂浓度和温度范围内的摩擦学方法。

 CMP后化学机械抛光清洗中的纳米颗粒去除

14 不同粒径下的下压力变化

表面活性剂分子在化学机械抛光后清洗中的作用

      介绍:化学机械抛光后清洗过去是用去离子水冲洗以去除浆料颗粒的简单过程。然而,它们现在必须加入额外的化学物质或添加剂以有效去除颗粒。有效的后化学机械抛光清洗溶液的最新发展有助于减少冲洗水的消耗。因此,表面活性剂和去离子水的使用将有助于降低耗材成本

      实验:清洁实验在室温下进行,参数如下:刷子压力为125帕,速度为0.5厘米/秒。刷子在晶片的三个位置往复运动。清洗过程后,用去离子水在超声波清洗机中清洗样品1分钟,以防止颗粒再沉积到基底上。

      结果和讨论:18和19显示了在化学机械抛光后清洗过程中,表面活性剂浓度和温度对摩擦系数的影响。结果表明,随着表面活性剂浓度和温度的增加,平均摩擦系数降低。这种现象可以解释如下。因为在高温下,表面活性剂将比在低温下花费更少的时间均匀分散到基底表面,这又降低了表面张力。较低的表面张力会产生较低的润湿角。此外,较低的润湿角产生较高的润湿,从而降低基底表面上的平均摩擦系数。在这种情况下,该过程有助于在刷扫过程中去除颗粒。另一个原因是硅片在清洗过程中容易发生放热反应;因此,界面温度的升高会降低基底表面的平均摩擦系数。

      结论:在这项研究中,我们使用了一种新的方法来研究后化学机械抛光清洗过程中的颗粒去除机制。该方法从抛光实验开始,以便将颗粒粘附在晶片表面上。化学环境是专门为此而设计的。抛光后,进行清洗实验以研究颗粒去除机理。还特别考虑了表面活性剂的选择。结果表明,表面活性剂分子可以降低颗粒间的粘附力。对于较大的颗粒,用较高浓度的表面活性剂和较高的操作温度进行清洗被证明能有效地减小粘附在基底表面上的残余颗粒的尺寸。其机理主要是界面相互作用。

 

弹性表面上附着力的建模   略

 

结论

      颗粒与晶片表面的粘附是化学机械抛光工艺中的主要问题之一。使用实验的化学机械抛光和化学机械抛光后清洗过程中的机理与数值分析相结合,粘附过程由颗粒和表面附近存在的范德华力控制。

      结果表明,虽然表面活性剂分子可以减少颗粒之间的粘附,但机械去除仅对一定尺寸的大颗粒有效。对于较大的颗粒,用较高浓度的表面活性剂和较高的操作温度进行清洗被证明能有效地减小粘附在基底表面上的残余颗粒的尺寸。一旦颗粒尺寸达到临界尺寸,剩余的小颗粒将不能被有效去除。

      对于剩余的小颗粒,加入表面活性剂可以有效去除颗粒。表面活性剂有两个基本作用。一是削弱粒子与粒子和表面之间的结合。另一个是防止颗粒和晶片表面之间的进一步粘附。其机理主要是界面相互作用。此外,利用弹性理论,我们能够分析表面中点处的垂直位移。范德瓦尔斯力被评估为分离距离的函数。我们发现,当距离达到临界值ALPHA时,范德华力将不再吸引。这一结果由误差%的稳定图和70到80范围内的ALPHA试验次数显示。

 

文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁

 

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